【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体元件的工艺方法,更具体的说,涉及利用离子注入以消除金属硅化物空隙形成的方法。
技术介绍
在现今集成电路中(“ICs”),为了降低成本,缩小外观大小是一项重要的因素,而存取数据的速度也是同等的重要。记忆型集成电路的速度取决于字线的速度。在半导体产业致力于减小集成电路的大小时,字线的宽度也被缩小了,然而却造成了字线电阻的增大。众所周知,高电阻字线会降低速度,即会使记忆型集成电路速度下降。因此,为了制造高效能集成电路,低电阻字线是关键所在。在传统金属氧化半导体(“MOS”)集成电路中,多晶硅用于取代铝(Al)当作栅极材料。然而,其缺点是多晶硅比铝拥有更高的电阻,虽然可以用掺杂的方式降低电阻,但是不管掺杂的浓度再高,多晶硅的电阻仍是很大。为了降低电阻,可以在多晶硅上或是在互补性氧化金属半导体晶体管形成后的栅极上沉积一层金属,只有部分沉积到多晶硅层的金属层会和多晶硅作用形成金属硅化物。而形成金属硅化物的过程是会自行校准的,因而称作自行校准硅化技术。通过金属硅化层在多晶硅栅极上的形成,使得金属硅化物电阻明显的降低。常见用于形成金属硅化物结构的金属包含了钛、钨、钼、钴等,然而并不局限于此。金属硅化物形成后会紧接着高温退火韧化,以更进一步的降低其电阻,然而,快速退火会造成硅原子由多晶硅层扩散到金属硅化物栅极上,这种扩散会在金属硅化物和多晶硅的界面间造成空隙,并对集成电路操作造成不利的影响。
技术实现思路
本专利技术提供一种集成电路元件工艺的方法,其包含在晶圆衬底上覆盖第一层后,再把多晶硅层加在该第一层上,并在该多晶硅层内注入氮离子,再在该多晶硅化物 ...
【技术保护点】
一种半导体元件制造方法,其包含:在晶圆衬底上提供第一层;在该第一层上提供多晶硅层;在该多晶硅层上注入氮离子;在该多晶硅层上形成金属多晶硅化物层;以及形成源极和漏极区。
【技术特征摘要】
US 2005-1-28 11/044,2121.一种半导体元件制造方法,其包含在晶圆衬底上提供第一层;在该第一层上提供多晶硅层;在该多晶硅层上注入氮离子;在该多晶硅层上形成金属多晶硅化物层;以及形成源极和漏极区。2.如权利要求1所述的方法,其中该第一层包含二氧化硅层。3.如权利要求1所述的方法,还包含移除在该多晶硅层上形成的原生氧化层。4.如权利要求3所述的方法,其中移除该原生氧化层的步骤包含以稀释的氢氟酸溶液清除。5.如权利要求1所述的方法,形成该金属多晶硅化物层的步骤包含在该多晶硅层上沉积金属层,并使该多晶硅层退火。6.一种半导体元件工艺的方法包含定义晶圆衬底;在该晶圆衬底上提供第一层;在该第一层上形成第二层;...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨令武,陈光钊,骆统,
申请(专利权)人:旺宏电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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