【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体制程，特别是涉及一种。
技术介绍
在半导体制程中，各个元件的连结主要是靠导线。其中，用来连结导线与集成电路元件及上下两层导线的部分则称为插塞。其中，为了不让导线与半导体元件及上下两层导线直接接触而发生短路(有插塞之处除外)，在导线与半导体元件之间及上下两层导线之间必须以介电层(亦即，所谓的内金属介电层(Inter-Metal Dielectrics，IMD))加以隔离。然而，随着半导体元件集积度的增加，元件的尺寸会愈来愈小，而使得导线间的间隙其高宽比(Aspect Ratio)会变大，如此将导致在间隙填入介电材料变得比较困难。另一方面，当导体与其它导体间的距离变小时，导线本身的阻值以及导线间的寄生电容大小是为影响元件速度的决定性关键之一。因此，为了使尺寸缩小的半导体元件上仍有良好的操作速度，对于导线间的介电材料就有一些要求。介电材料不但要可以完全填入导体的间隙里，且需具有好的平坦性。此外，介电材料还要能够阻挡水分的传递，并且具有低的介电常数，以减少导线间的寄生电容。一般而言，由于高密度电浆化学气相沉积法(HDPCVD)所沉积的介电层在致...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种填充间隙的方法，其特征在于其包括以下步骤提供一基底，且该基底上已形成有复数个凸部，而且各该些凸部之间具有一间隙；在该基底上形成一第一介电层，以填入该些凸部之间的该间隙，并覆盖该些凸部，其中所形成的该第一介电层中具有复数个缝隙，且该些缝隙的位置是高于该些凸部的顶部；进行一化学机械研磨法，移除部分该第一介电层，以使该些缝隙打开，而形成复数个开口；进行一非等向性蚀刻制程，以扩大该些开口的宽度；以及在该第一介电层上形成一第二介电层，以填满该些开口。2.根据权利要求1所述的填充间隙的方法，其特征在于其中所述的第一介电层的形成方法包括一高密度电浆化学气相沉积法。3.根据权利要求1所述的填充间隙的方法，其特征在于其中所述的该些凸部包括复数个闸极结构。4.根据权利要求1所述的填充间隙的方法，其特征在于其中所述的该些凸部包括复数个导线结构。5.根据权利要求1所述的填充间隙的方法，其特征在于其中所述的非等向性蚀刻制程包括一湿式蚀刻制程，且该湿式蚀刻制程所使用的蚀刻液包括一氢氟酸溶液。6.根据权利要求1所述的填充间隙的方法，其特征在于其中在提供该基底的步骤之后，与在该基底上形成该第一介电层的步骤之前，更包括在该些凸部与该基底的表面形成一衬层。7.一种浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征在于其包括以下步骤提供一基底，且该基底已形成有图案化的一垫氧化层与一罩幕层，以及复数个沟渠；在该罩幕层上形成一第一介电层，以填入该些沟渠中，其中所形成的该第一介电层中具有复数个缝隙，且该些缝隙的顶部是高于该罩幕层的表面；移除部分该第一介电层，以使该些缝隙打开，而形成复数个开口；移除该些开口侧壁的该第一介电层，以扩大该些开口的宽度；在该第一介电层上形成一第二介电层，以填满该些开口；以及移除该些沟渠以外的该第一介电层与该第二介电层。8.根据权利要求7所述的浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征在于其中所述的第一介电层的形成方法包括一高密度电浆化学气相沉积法。9.根据权利要求7所述的浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征在于其中所述的移除部分该第一介电层的方法包括一化学机械研磨法。10.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕前宏，苏金达，陈光钊，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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