整合微机电装置及集成电路的制造流程的方法制造方法及图纸

一种形成微机电装置及集成电路的方法，其基本步骤包括：提供半导体基材包含第一区域和第二区域，形成集成电路装置在第一区，形成第一绝缘层在半导体基材上，蚀刻第一绝缘层以形成第一介电层在第一区和第二介电层在第二区，其中，第二介电层跟第一介电层间隔开，形成第二绝缘层覆盖于半导体基材、第一介电层及第二介电层上，蚀刻第二绝缘层以露出第一介电层，形成第三绝缘层于半导体基材、第二绝缘层及第一介电层上，蚀刻第三绝缘层以形成多个导孔以及形成金属层于半导体基材上以填满上述导孔。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及微机电(microelectromechanical“MEM”)装置的制造流程方面，且特别有关于整合微机电装置及集成电路的制程的方法。
技术介绍
微机电装置应用方面最著名的是应用在微致动器和微感应器方面。以系统整体的实施效能跟成本来看，包含微机电装置和微电子电路的制造流程并使之模块化是最为有利的。然而，制造一个放置于微机电装置的互补式金属氧化物半导体(CMOS)，传统技术必须分开制造微机电装置及集成电路。例如，集成电路的制程经常优先处理在微机电装置制程开始之前。针对微机电装置及集成电路的相同制造步骤(其中，包括如沉积介电层、蚀刻导孔和形成金属层)所采取的分开制程的组装对策是很没有效果的，这样只会导致制造流程所花费的资源重复地浪费。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种，能排除掉一个以上来自于制程中相关技术的限制与不利。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种形成微机电装置及集成电路的方法。包括提供半导体基材包含第一区及第二区，其中，形成集成电路组件在第一区，形成第一绝缘层在半导体基材上，蚀刻第一绝缘层以形成第一介电层在第一区及与第一介电层间隔开的第二介电层在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成具有集成电路的微机电装置的方法，包括：提供包含第一区域和第二区域的半导体基材；形成集成电路组件于该第一区；形成第一绝缘层于该半导体基材；蚀刻该第一绝缘层以形成第一介电层于该第一区和与该第一介电层间隔开 的第二介电层于该第二区；形成第二绝缘层覆盖于该半导体基材、第一介电层及第二介电层；蚀刻该第二绝缘层以露出该第一介电层；形成第三绝缘层覆盖于该半导体基材、第二绝缘层和第一介电层；蚀刻该第三绝缘层以形成多个导孔； 以及，形成金属层于该半导体基材上以填满该多个导孔。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种形成具有集成电路的微机电装置的方法，包括提供包含第一区域和第二区域的半导体基材；形成集成电路组件于该第一区；形成第一绝缘层于该半导体基材；蚀刻该第一绝缘层以形成第一介电层于该第一区和与该第一介电层间隔开的第二介电层于该第二区；形成第二绝缘层覆盖于该半导体基材、第一介电层及第二介电层；蚀刻该第二绝缘层以露出该第一介电层；形成第三绝缘层覆盖于该半导体基材、第二绝缘层和第一介电层；蚀刻该第三绝缘层以形成多个导孔；以及，形成金属层于该半导体基材上以填满该多个导孔。2.如权利要求1所述的形成具有集成电路的微机电装置的方法，其特征在于，该第一绝缘层由硼磷硅玻璃所形成。3.如权利要求1所述的形成具有集成电路的微机电装置的方法，其特征在于，用快速加热处理方式对该第一绝缘层进行回火。4.如权利要求1所述的形成具有集成电路的微机电装置的方法，其特征在于，该第一绝缘层厚度的范围为6500～11000。5.如权利要求1所述的形成具有集成电路的微机电装置的方法，其特征在于，在形成该第二绝缘层覆盖在该半导体基材、第一介电层和第二介电层上之后，还在该第二绝缘层上形成一传导膜。6.如权利要求1所述的形成具有集成电路的微机电装置的方法，其特征在于，该第二绝缘层由氮化硅所形成。7.如权利要求6所述的形成具有集成电路的微机电装置的方法，其特征在于，形成该第二绝缘层的厚度实质上为10000。8.如权利要求1所述的形成具有集成电路的微机电装置的方法，其特征在于，该第三绝缘层由硅氧化合物所形成。9.如权利要求1所述的形成具有集成电路的微机电装置的方法，其特征在于，在该集成电路上可以各形成至少一个的NMOS晶体管和PMOS晶体管。10.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜硕伦，江禄山，朱世麟，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]