蚀刻氮化硅薄膜的设备及方法技术

一种蚀刻氮化硅薄膜的设备及方法，此方法首先提供一磷酸槽，并且在磷酸槽的侧边装设一声波产生器。接着，将一晶圆浸入磷酸槽中，其中晶圆上已形成有一氮化硅薄膜。之后，开启声波产生器，以使晶圆上的氮化硅薄膜被蚀刻或移除。由于本发明专利技术在磷酸槽的侧边装设有声波产生器，因此可以帮助磷酸槽中的浓磷酸与水之间混合的均匀度，进而促进蚀刻的均匀度。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种蚀刻的设备及方法，且特别是有关于一种。
技术介绍
在半导体工艺中，蚀刻工艺是用来将未被光阻层或是罩幕层覆盖的薄膜，以化学反应或是物理作用的方式移除，以完成将光罩上的图案转移到薄膜上的目的。而这些经蚀刻之后的薄膜将会成为半导体组件的一部份。另外，在半导体工艺中，将整个薄膜移除的方法也经常使用蚀刻工艺来完成。目前用于半导体工艺上的蚀刻技术，主要分为湿式蚀刻(Wet Etching)以及干式蚀刻(Dry Etching)，其中湿式蚀刻主要是利用化学反应来将进行薄膜的蚀刻。通常氮化硅薄膜是一种以湿式蚀刻的方式来进行蚀刻或移除的绝缘材料。目前，对于氮化硅薄膜的蚀刻方式大都是使用磷酸蚀刻的方式来完成。换言之，一般于进行氮化硅薄膜的蚀刻时，会将晶圆浸于磷酸槽中，以进行氮化硅薄膜的蚀刻工艺。而在蚀刻工艺的过程中，会由磷酸槽的底部注入水，以使氮化硅薄膜与水产生化学反应，以达到蚀刻或移除氮化硅薄膜的目的，因此磷酸槽中的磷酸液主要是作为催化剂之用。然而，由于磷酸槽内的磷酸液相当浓稠，因此注入磷酸槽中的水不易与磷酸液均匀混合，再加上若注入的水控制不当，将容易产生爆沸(Boiling本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蚀刻氮化硅薄膜的设备，其特征是，该设备包括：　　　　一磷酸槽；　　　　一加水单元；　　　　一管件，连接在该磷酸槽与该加水单元之间；　　　　一加热装置，配置在该磷酸槽的底部；以及　　　　一声波产生器，配置在该磷酸槽的侧边。

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻氮化硅薄膜的设备，其特征是，该设备包括一磷酸槽；一加水单元；一管件，连接在该磷酸槽与该加水单元之间；一加热装置，配置在该磷酸槽的底部；以及一声波产生器，配置在该磷酸槽的侧边。2.如权利要求1所述的蚀刻氮化硅薄膜的设备，其特征是，在该磷酸槽内的底部处配置有一挡板，该挡板上具有复数个微孔。3.如权利要求1所述的蚀刻氮化硅薄膜的设备，其特征是，该声波产生器为一百万声波产生器。4.如权利要求1所述的蚀刻氮化硅薄膜的设备，其特征是，该声波产生器配置在该磷酸槽呈对向的两侧边。5.如权利要求1所述的蚀刻氮化硅薄膜的设备，其特征是，该加水单元与一加压装置连接。6.一种蚀刻氮化硅薄膜的方法，其特征是，该方法包括提供一磷酸槽；在该磷酸槽的侧边装设一声波产生器；将一晶圆浸入该磷酸槽中，其中该晶圆上已形成有一氮化硅薄膜；以及开启该声波产生器，以进行该氮化硅薄膜的蚀刻步骤。7.如权利要求6所述的蚀刻氮化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：张庆裕，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]