一种自行对准钴硅化物的接触窗制作工艺技术，于基底上先形成一深接触窗开口，然后于接触窗开口侧壁形成氮化硅间隙壁。然后，沉积一层钴层，再依序形成一层离子化金属等离子体钛层与一层化学气相沉积氮化钛层。随后，施行第一次快速热制作工艺。接着，进行...

一种存储器器件的结构及其制造方法，此结构包括一基底；一栅氧化层，配置在部分基底上；一栅极，配置在栅氧化层上；一埋入式位线，配置在栅极两侧的基底中；一抬升线，配置在埋入式位线上方的基底表面上；一间隙壁，配置在栅极的两侧壁，用以使抬升线与栅...

一种氮化物只读存储器存储单元的制造方法，其中，氮化物只读存储器元件包含阵列区和周边区。首先，提供衬底，并在衬底上形成氧化层；接着，在氧化层的上方形成周边区的多晶硅层；然后，形成图案化的周边多晶硅；接下来，在阵列区和周边区的衬底上方形成Ｏ...

一种整合与自动化作业的方法及系统。此整合与自动化作业的系统利用人机接口以选择／输入默认值，而整体服务器则储存参数与操作程序，并根据由人机接口所输入的默认值来取出相对应的部分参数与操作程序。此外，此系统所使用的机台尚提供一个储存区，而此储...

一种半导体器件的结构及其制造方法，此结构包括一基底；一硅化锗层，配置在基底上；一紧硅层，配置在硅化锗层的表面上；一栅氧化层，配置在部分紧硅层上；一栅极，配置在栅氧化层上；以及一源极／漏极，配置在栅极两侧的紧硅层中。

本发明提供一种计算增加的缺陷数目的方法，用以监控反应室或晶片的品质。首先，以图像重迭的技术以及将对应率和捕获率的总和最大化而确定出适当的沉积工艺前灵敏度。其次，以适当的灵敏度扫描沉积前的晶片，并记录下沉积前粒子数目Ｐ１。第三，在晶片上进...

一种存储元件的制造方法，包括： 定义一第一掺杂物型的一半导体衬底； 提供一第二掺杂物型的一掺杂层于该衬底上； 提供一介电层于该掺杂层上； 形成一栓塞于该介电层中； 掺杂该第二掺杂物型的掺杂物于该栓塞的整个区...

本发明涉及一种护垫蚀刻程序后去除元件上氟化铝缺陷的方法，包括以下步骤：（ａ）应用ＥＫＣ溶液，主要包括羟胺（ｈｙｄｒｏｘｙｌａｍｉｎｅ，ＨＤＡ），且应用的时间约为３０分钟；（ｂ）应用一中间清洗化学品（ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅｒｉｎｓｅ...

本发明涉及一种高密度电浆氧化沉积物的去除方法，其中，提供一基板并形成氮化硅层于其上，且以高密度电浆法（ＨＤＰ）沉积氧化硅层于氮化硅层上，此去除方法包括步骤：（１）以内至外模式（ｉｎ－ｓｉｄｅ－ｏｕｔｍｏｄｅｌ）对氧化硅层进行蚀刻，基板...

一种双位罩幕式只读存储器的结构及其制造方法，此结构包括一基底；一栅极结构，配置在部分基底上；一双位编码区，配置在栅极结构两侧边底下的基底中；至少一间隙壁，配置在栅极结构的两侧；一埋入式漏极，配置在间隙壁两侧的基底中；一掺杂区，配置在埋入...

一种非挥发性存储器的结构，此非挥发性存储器的结构是由多个存储单元、多条字符线，多条漏极线与多条源极线所构成。其中，多个存储单元以每两个存储单元为一组而形成多个存储单元组，这些存储单元组并排成一行／列阵列。每一行中的各个存储单元组中各存储...

一种高抗辐射的六角形栅极的快闪存储单元，包括基底、源极区、漏极区以与栅极结构。漏极区与源极区之间形成信道区。栅极结构邻接于源极区与漏极区之间，其中栅极结构具有氧化物－氮化物－氧化物层，其中沿着与信道垂直方向上，栅极结构的幅度从源极区逐渐...

一种介层窗的制造方法，先在具有金属层的基底上形成一层介电层覆盖于金属层上。接着，利用微影与蚀刻工艺图案化介电层，直到暴露出金属层顶部，以形成介层窗开口。接着，于介层窗开口表面形成一层薄氮化钛层覆盖金属层，再于介层窗开口表面形成一钛／氮化...

一种存储器件的结构及其制造方法，此结构包括一基底；一栅氧化层，配置在基底的表面上；一栅极，配置在部分栅氧化层上；一埋入式漏极线，配置在栅极两侧的基底中；一间隙壁，配置在栅极的两侧壁；一深掺杂区，配置在部分埋入式漏极线底下的基底中，其中埋...

一种存储器件的结构及其制造方法，此结构包括一基底；复数条埋入式位线，配置在基底中；复数条字线，配置在部分基底上；一栅氧化层，配置在基底与字线之间；一顶盖层，配置在字线的顶部；一间隙壁，配置在字线的侧壁；复数个沟渠式导线，分别配置在埋入式...

一种闪存器件的平坦化方法，于基底上先形成一层穿隧氧化层，再于穿隧氧化层上形成一浮栅极，并于浮栅极上形成一顶盖层，其中穿隧氧化层、浮栅极以及顶盖层组成一堆栈结构。然后，假使顶盖层是氮化层，则需在堆栈结构上先沉积一层氧化层，再于基底上形成一...

一种排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法，此方法首先提供一晶圆，其中晶圆上已形成有数个晶粒，且在晶圆上发现有一重复性缺陷存在。接着，确认此重复性缺陷是否为一影响合格率的缺陷。倘若此重复性缺陷并非影响合格率的缺陷，则定义此重复...

一种降低第二位效应的氮化硅只读存储单元，由一基底、位于基底上的一氧化硅／氮化硅／氧化硅层、位于氧化硅／氮化硅／氧化硅层上的一栅极、位于基底中邻接栅极的源／漏极，以及位于源／漏极与氧化硅／氮化硅／氧化硅层之间邻接栅极的一浅口袋掺杂区域所组...

一种无刮伤化学机械研磨工艺，使用含有二氧化硅研磨粒的研磨剂研磨基底上的待研磨层，并且于接近研磨步骤完成之前加入可缩小研磨粒的溶液，以避免晶片表面被刮伤。

一种制造氮化硅只读存储器的方法，适于整合一氮化硅只读存储单元与一周边电路的工艺，其特征是，该方法包括： 于一基底上形成一氮化硅堆栈层； 定义该氮化硅堆栈层，以暴露出部分该基底； 施行一离子植入工艺，以于定义过的该氮化硅...