【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种罩幕式只读存储器的结构及其制造方法，且特别是有关于一种。目前一种双位罩幕式只读存储器已在积极的发展中。双位罩幕式只读存储器顾名思义是一种可于单一存储单元中储存二位数据(twobit per cell)的存储器元件。关于此种存储器元件的结构说明如下附图说明图1所示，其为公知一种双位罩幕式只读存储器结构的剖面示意图。请参照图1，公知双位罩幕式只读存储器包括一基底10、一栅极结构16、一双位编码区20、一埋入式漏极18、一绝缘层22以及一字符线24。其中，栅极结构16配置在部分基底10上，且栅极结构16包括一栅极导电层14以及配置在栅极导电层14底下的一栅氧化层12。此外，埋入式漏极18配置在栅极结构16两侧的基底10中。另外，双位编码区20则是配置在栅极结构16两侧边底下的基底10中。在双位编码区20中有编码离子植入的位为一逻辑状态“1”，而在双位编码区20中未有编码离子植入的位为一逻辑状态“0”。绝缘层22配置在埋入式漏极18的上方，用以隔离两相邻的栅极结构16。而在栅极结构16上则是配置有字符线24，用以使相同一列的栅极结构16彼此电性...
【技术保护点】
一种双位罩幕式只读存储器的结构，其特征是，该结构包括： 一基底； 一栅极结构，配置在部分该基底上； 一双位编码区，配置在该栅极结构两侧边底下的该基底中； 至少一间隙壁，配置在该栅极结构的两侧； 一埋入式漏极，配置在该间隙壁两侧的该基底中； 一掺杂区，配置在该埋入式漏极与该双位编码区之间的该基底中，其特征是，该掺杂区的离子型态与该双位编码区的离子型态相反，且该掺杂区的离子浓度较该双位编码区的离子浓度高； 一绝缘层，配置在该埋入式漏极的上方；以及 一字符线，配置在该栅极结构的表面上。
【技术特征摘要】
1.一种双位罩幕式只读存储器的结构，其特征是，该结构包括一基底；一栅极结构，配置在部分该基底上；一双位编码区，配置在该栅极结构两侧边底下的该基底中；至少一间隙壁，配置在该栅极结构的两侧；一埋入式漏极，配置在该间隙壁两侧的该基底中；一掺杂区，配置在该埋入式漏极与该双位编码区之间的该基底中，其特征是，该掺杂区的离子型态与该双位编码区的离子型态相反，且该掺杂区的离子浓度较该双位编码区的离子浓度高；一绝缘层，配置在该埋入式漏极的上方；以及一字符线，配置在该栅极结构的表面上。2.如权利要求1所述的双位罩幕式只读存储器的结构，其特征是，该掺杂区是将该双位编码区包围起来。3.如权利要求1所述的双位罩幕式只读存储器的结构，其特征是，更包括一口袋型掺杂区，配置在未有该编码离子植入的该双位编码区中。4.如权利要求3所述的双位罩幕式只读存储器的结构，其特征是，该口袋型掺杂区中所掺杂的离子包括砷离子，且该口袋型掺杂区中所掺杂的剂量为1×1013/cm2。5.如权利要求1所述的双位罩幕式只读存储器的结构，其特征是，该双位编码区中所植入的离子包括砷离子，且该双位编码区所植入的剂量为2×1013/cm2。6.如权利要求1所述的双位罩幕式只读存储器的结构，其特征是，该掺杂区中所植入的离子包括BF2+离子，且该掺杂区中所植入的剂量为5×1013/cm2。7.如权利要求1所述的双位罩幕式只读存储器的结构，其特征是，该埋入式漏极中所掺杂的离子包括BF2+离子，且该埋入式漏极中所掺杂的剂量为1.5×1015/cm2。8.如权利要求1所述的双位罩幕式只读存储器的结构，其特征是，该间隙壁的厚度为400埃至600埃。9.如权利要求1所述的双位罩幕式只读存储器的结构，其特征是，该字符线包括一多晶硅层以及在该多晶硅层顶部的一金属硅化物层。10.一种双位罩幕式只读存储器的制造方法，其特征是，该方法包括在一基底上形成一栅极结构；在该基底上形成图案化的一光阻层，暴露出一双位编码区；以该光阻层为罩幕进行一双位编码布植步骤，以在该双位编码区中植入一编码离子；以该光阻层为罩幕进行一第一离子植入步骤，以在该基底中形成一掺杂区，其中该掺杂区的离子型态与该双位编码区的离子型态相反，且该掺杂区的离子浓度较该双位编码区的离子浓度高；移除该光阻层；在该栅极结构的侧壁形成至少一间隙壁；以该间隙壁与该...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘慕义，范左鸿，詹光阳，叶彦宏，卢道政，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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