掩模只读存储器的结构及其制造方法技术

一种罩幕式只读存储器的结构及其制造方法，此结构包括一基底；复数个栅极，配置在部分基底之上方；一栅介电层，配置在基底与栅极之间；复数条埋入式位线，配置在栅极两侧的基底中；一绝缘层，配置在埋入式位线的上方以与栅极之间；复数条字线，每一字线以垂直于埋入式位线的方向配置在相同一列的栅极上与绝缘层上；以及一编码层，配置在字线以与栅极之间。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是有关于一种内存的结构及其制造方法，且特别是有关于一种罩幕式只读存储器(Mask ROM)的结构及其制造方法。
技术介绍
一般罩幕式只读存储器的结构包括数条位线(Bit Line，BL)以及横跨于位线上的数条多晶硅字线(Word Line，WL)。而位于字线下方以及两相邻位线之间的区域则是存储单元的信道区。对某些罩幕式只读存储器而言，其程序化的方法利用于信道中植入离子与否，来储存数据“0”或“1”。而此种将离子植入于特定的信道区域的制作工艺又称为编码布植制作工艺。通常罩幕式只读存储器的编码布植制作工艺，首先利用一光罩将形成于基底上的光阻层图案化，而暴露欲编码的信道区。接着，再以此图案化的光阻层为罩幕进行一离子植入制作工艺，以将离子植入于预定编码的信道域中。然而，罩幕式只读存储器的编码布植制作工艺中用来作为编码罩幕的光罩，通常会因电路设计的需求而在同一光罩上形成单一(Isolated)图案区与密集(Dense)图案区。然而，在进行图案转移的曝光步骤时，由于单一图案区的曝光的光强度较密集图案区的曝光的光强度为弱，因此容易使密集图案区与单一图案区中的曝光图案因为光学邻近效应(Optical Proximity Effect，OPE)，而使关键尺寸产生偏差。如此，将会使罩幕式只读存储器在进行信道离子植入步骤时，导致离子植入区块的位置发生对不准(Misalignment)的现象，进而造成只读存储器存储单元内的资料错误，影响内存的操作性能，使产品的可靠性降低。公知方法中，为了解决罩幕式只读存储器的编码罩幕的密集图案区与单一图案区的曝光图案的关键尺寸不一致的问题，大多是利用光学邻近校正法(Optical Proximity Correction，OPC)或是相移式光罩(Phase Shift Mask，PSM)技术等等。其中，光学邻近校正法是利用辅助图案的设计以消除邻近效应所造成的关键尺寸偏差现象。然而，此种方式必须设计具有特殊图案的光罩。因此，其除了光罩制作较为费时之外，更提高了制造光罩的困难度与制造成本。此外，在光罩制造完成之后，要进行光罩图案的缺陷改良(Debug)也极为不易。另外，在公知方法中，通常罩幕式只读存储器的编码布植制作工艺所使用的编码离子利用硼离子。然而，植入于信道区中硼离子却容易扩散至两侧的埋入式位线中。此外，倘若编码布植制作工艺所使用的编码罩幕有对准失误或是关键尺寸产生偏差的问题时，亦会使原先预定植入于信道区中的编码离子扩散至埋入式位线中。上述两种情形都将使得埋入式位线中的离子浓度改变，而使得埋入式位线的电流不足。
技术实现思路
本专利技术的目的就是在提供一种，以避免编码离子扩散至埋入式位线中，而产生埋入式位线的电流不足的问题。本专利技术的另一目的是提供一种，在不需光学邻近校正法以及相移式光罩技术的前提下，便能顺利完成罩幕式只读存储器的编码布植，借此以降低制作成本。本专利技术提出一种罩幕式只读存储器的结构，此结构包括一基底、一栅介电层、复数个栅极、复数调条埋入式位线、一绝缘层、复数条字线以及一编码层。其中，栅极配置在部分基底的上方。栅介电层配置在基底与栅极之间。另外，埋入式位线配置在栅极两侧的基底中。而绝缘层配置在埋入式位线的上方以与栅极之间。另外，每一条字线则是以垂直于埋入式位线的方向配置在相同一列的栅极上以及绝缘层上。编码层配置在字线以与栅极之间，而构成复数个编码存储单元。其中，在这些编码存储单元中，编码层中有一编码离子植入者具有一逻辑状态“1”，而在其它编码存储单元中，编码层中未有编码离子植入者具有一逻辑状态“0”。本专利技术提出一种罩幕式只读存储器的制造方法，此方法首先在一基底上形成一栅介电层，并且在栅介电层上形成一长条状导电结构。之后，以长条状导电结构为一植入罩幕进行一离子植入步骤，以在长条状导电结构两侧的基底中形成一埋入式位线。接着，以垂直于埋入式位线的方向图案化长条状导电结构，以形成复数个栅极。继之，在基底上形成一绝缘层，覆盖住栅极。之后利用一化学机械研磨法或一回蚀刻法移除部分绝缘层，直到栅极暴露出来。如此一来，在埋入式位线的上方以与栅极之间便形成有绝缘层。继之，在栅极与绝缘层上依序形成一材料层与一导电层。之后，以垂直于埋入式位线的方向图案化导电层与材料层，而形成一字线以及一编码层，其中所形成的编码层位于字线以及相同一列的栅极之间。接着，在字线上形成一编码罩幕层，并且以编码罩幕层为一植入罩幕进行一离子布植步骤，以在编码层中植入一编码离子，而构成数个编码存储单元。其中，在这些编码存储单元中，编码层中有编码离子植入者具有一逻辑状态“1”，而在其它编码存储单元中，编码层中未有编码离子植入者具有一逻辑状态“0”。本专利技术的，可防止编码离子扩散至埋入式位线中，因此可解决公知罩幕式只读存储器会有埋入式位线电流不足的问题。本专利技术的，由于其不需光学邻近校正法或相移式光罩技术，即可顺利完成编码布植制作工艺，因此可降低组件的制作成本。本专利技术的，可提高其编码布植制作工艺的制作工艺裕度。为让本专利技术的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合附图，作详细说明。附图说明图1A图至图1D是依照本专利技术一较佳实施例的罩幕式只读存储器的制造流程立体示意图。标号说明100基底 102栅介电层104长条状导电结构 104a栅极106埋入式位线 108绝缘层110编码层 112字线114编码罩幕层 116离子植入步骤118编码离子具体实施方式图1A至图1D所示，其绘示为依照本专利技术一较佳实施例的罩幕式只读存储器的制造流程立体示意图。请参照图1A，首先提供一基底100。接着，在基底100上形成一栅介电层102以及一长条状的导电结构104。其中，形成栅介电层102与长条状导电结构104的方法例如是先利用一热氧化法以在基底100的表面上形成一薄氧化层(未绘示)，之后在薄氧化层上形成一导电层(未绘示)。接着，图案化导电层以形成长条状导电结构104。然后，再将未被长条状导电结构104覆盖的薄氧化层移除，而形成栅介电层102。在本实施例中，长条状导电层104的材质例如是多晶硅。继之，以长条状导电结构104为一植入罩幕进行一离子植入步骤，以在长条状导电结构104两侧的基底100中形成一埋入式位线106。之后，请参照图1B，以垂直于埋入式位线106的方向图案化长条状的导电结构104，而形成复数个栅极104a。接着，在埋入式位线106的上方以与栅极104a之间形成一绝缘层108，用以使相邻的栅极104a以与栅极104a与埋入式位线106之间能彼此电性隔离。其中，形成绝缘层108的方法例如是先在基底100上方形成一绝缘材质层(未绘示)，覆盖住栅极104a，之后利用一回蚀刻法或一化学机械研磨法移除部分绝缘材质层，直到栅极104a暴露出来，如此便能于埋入式位线106的上方以及相邻的栅极104a之间形成有绝缘层108。然后，请参照图1C，在相同一列的栅极104a上以及绝缘层108上形成一编码层110与一字线112。其中，形成编码层110与字线112的方法例如是在基底100的上方全面性的形成一半导体材料层，并且在半导体材料层(未绘示)上形成一导电层(未绘示)，覆盖住栅极104a以及绝缘层108。之后，以垂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种罩幕式只读存储器的结构，其特征在于：包括：　　　　一基底；　　　　复数个栅极，配置在部分该基底的上方；　　　　一栅介电层，配置在该基底与该些栅极之间；　　　　复数条埋入式位线，配置在该些栅极两侧的该基底中；　　　　一绝缘层，配置在该些埋入式位线上方以及该些栅极之间；　　　　复数条字线，每一该些字线以垂直于该些埋入式位线的方向配置在相同一列的该些栅极上与该绝缘层上；　　　　一编码层，配置在该些字线以及该些栅极之间，而构成复数个编码存储单元，其中在该些编码存储单元中，该编码层中有一编码离子植入者具有一逻辑状态“１”，而在其它该些编码存储单元中，该编码层中未有该编码离子植入者具有一逻辑状态“０”。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种罩幕式只读存储器的结构，其特征在于包括一基底；复数个栅极，配置在部分该基底的上方；一栅介电层，配置在该基底与该些栅极之间；复数条埋入式位线，配置在该些栅极两侧的该基底中；一绝缘层，配置在该些埋入式位线上方以及该些栅极之间；复数条字线，每一该些字线以垂直于该些埋入式位线的方向配置在相同一列的该些栅极上与该绝缘层上；一编码层，配置在该些字线以及该些栅极之间，而构成复数个编码存储单元，其中在该些编码存储单元中，该编码层中有一编码离子植入者具有一逻辑状态“1”，而在其它该些编码存储单元中，该编码层中未有该编码离子植入者具有一逻辑状态“0”。2.如权利要求1所述的罩幕式只读存储器的结构，其特征在于该编码层的材质包括一半导体材料。3.如权利要求2所述的罩幕式只读存储器的结构，其特征在于该半导体材料包括未掺杂的多晶硅。4.如权利要求1所述的罩幕式只读存储器的结构，其特征在于该字线的材质包括经掺杂的多晶硅。5.如权利要求1所述的罩幕式只读存储器的结构，其特征在于该编码离子包括PH3离子。6.如权利要求1所述的罩幕式只读存储器的结构，其特征在于绝缘层的材质包括氧化硅。7.一种罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于包括在一基底上形成一栅介电层；在该栅介电层上形成一长条状导电结构；在该长条状导电结构两侧的该基底中形成一埋入式位线；以垂直于该埋入式位线的方向图案化该长条状导电结构，以形成复数个栅极；在该埋入式位线的上方以及该些栅极之间形成一绝缘层；以垂直于该埋入式位线的方向，在相同一列的该些栅极上与该绝缘层上形成一编码层与一字线，其中该编码层形成在该字线与相同一列的该些栅极之间；在该字线上形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：张庆裕，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]