掩模式只读存储器的结构及其制造方法技术

一种罩幕式只读存储器的结构及其制造方法，此结构包括一基底；一埋入式位线，配置在基底中；一图案化的堆栈层，配置在部分基底的表面上，其中此堆栈层由一第一介电层、一终止层以及一第二介电层所构成；一栅氧化层，配置在部分基底的表面上；以及一字符线，横跨于埋入式位线的上方，而构成数个编码存储单元，其中在这些编码存储单元中，具有堆栈层者为一逻辑状态“０”，而具有栅氧化层者为一逻辑状态“１”。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种存储器的结构及其制造方法，且特别是有关于一种罩幕式只读存储器(Mask ROM)的结构及其制造方法。
技术介绍
一般罩幕式只读存储器的结构包括数条位线(Bit Line，BL)以及横跨于位线上的数条多晶硅字符线(Word Line，WL)。而位于字符线下方以及两相邻位线之间的区域则是存储单元的通道区。对某些罩幕式只读存储器而言，其程序化的方法为利用于通道中植入离子与否，来储存数据“0”或“1”。而此种将离子植入于特定的通道区域的工艺又称为编码布植工艺。通常罩幕式只读存储器的编码布植工艺，为首先利用一光罩将形成于基底上的光阻层图案化，而暴露欲编码的通道区。接着，再以此图案化的光阻层为罩幕进行一离子植入工艺，以将离子植入于预定编码的通道域中。然而，罩幕式只读存储器的编码布植工艺中用来作为编码罩幕的光罩，通常会因电路设计的需求而在同一光罩上形成单一(Isolated)图案区与密集(Dense)图案区。然而，在进行图案转移的曝光步骤时，由于单一图案区的曝光的光强度较密集图案区的曝光的光强度为强，因此容易使密集图案区与单一图案区中的曝光图案因为光学邻近效应(Optic本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种罩幕式只读存储器的结构，其特征是，该结构包括：　　　　一基底；　　　　一埋入式位线，配置在该基底中；　　　　一图案化的堆栈层，配置在部分该基底的表面上，其中该堆栈层由一第一介电层、一终止层以及一第二介电层所构成；　　　　一栅氧化层，配置在部分该基底的表面上；以及　　　　一字符线，横跨于该埋入式位线的上方，而构成数个编码存储单元，其中该些编码存储单元中，具有该堆栈层者具有一第一数据状态，而具有该栅氧化层者具有一第二数据状态。

【技术特征摘要】
1.一种罩幕式只读存储器的结构，其特征是，该结构包括一基底；一埋入式位线，配置在该基底中；一图案化的堆栈层，配置在部分该基底的表面上，其中该堆栈层由一第一介电层、一终止层以及一第二介电层所构成；一栅氧化层，配置在部分该基底的表面上；以及一字符线，横跨于该埋入式位线的上方，而构成数个编码存储单元，其中该些编码存储单元中，具有该堆栈层者具有一第一数据状态，而具有该栅氧化层者具有一第二数据状态。2.如权利要求1所述的罩幕式只读存储器的结构，其特征是，该堆栈层由一第一氧化硅层、一氮氧化硅层以及一第二氧化硅层所构成。3.如权利要求1所述的罩幕式只读存储器的结构，其特征是，该堆栈层由一第一氧化硅层、一氮化硅层以及一第二氧化硅层所构成。4.如权利要求1所述的罩幕式只读存储器的结构，其特征是，该第一介电层的厚度为200埃至800埃。5.如权利要求1所述的罩幕式只读存储器的结构，其特征是，该终止层的厚度为20埃至80埃。6.如权利要求1所述的罩幕式只读存储器的结构，其特征是，该第二介电层的厚度为200埃至800埃。7.一种罩幕式只读存储器的制造方法，其特征是，该制造方法包括在一基底上形成由一第一介电层、一终止层以及一第二介电层所构成的一堆栈层；在未被该堆栈层覆盖的该基底中形成一埋入式位线；在该基底上形成一第一光阻层，其中该第一光阻层上具有一第一线/间距图案；移除未被该第一光阻层所覆盖的该第二介电层与该终止层，暴露出该第一介电层；移除该第一光阻层；在该基底上方形成一第二光阻层，其中该第二光阻层上具有一第二线/间距图案，且该第二线/间距图案所延伸的方向与该第一线/间距图案所延伸的方向不同...

【专利技术属性】
技术研发人员：张庆裕，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]