湿蚀刻装置制造方法及图纸

本发明专利技术揭示一种湿蚀刻装置，它包含有储存槽、底板、供液装置及排气装置。具有四个侧壁面的储存槽是用以放置多数晶圆及蚀刻液，且两相对的第一及第二侧壁面内壁具有多数直条纹几何结构大体垂直储存槽底部；底板是设置于储存槽底部上方，具有多数贯穿孔；供液装置是设置于储存槽的底部下方，以通过贯穿孔将蚀刻液注入储存槽；排气装置是邻近设置于第三或第四侧壁面，以排出储存槽中的气体。邻近设置有排气装置的侧壁面的贯穿孔的尺寸小于相对于邻近设置有排气装置的侧壁面的贯穿孔的尺寸。通过在湿蚀刻装置的内侧壁制作条纹几何结构以及改变底板的贯穿孔的尺寸，来改变蚀刻液的流速，进而有效改善晶圆蚀刻均匀度及提高湿蚀刻制程的品质。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于半导体制程
，特别是有关于一种湿蚀刻装置，用以改善晶圆在湿蚀刻装置中的蚀刻均匀度(uniformty)。
技术介绍
在半导体蚀刻制程中，湿式蚀刻是利用薄膜与特定溶液间所进行的化学反应，以去除基底上的薄膜。湿蚀刻的优点在于制程单纯及产量速度快。另外，湿式化学蚀刻由于设备简单，而且成本低及产能高，再加上具有优秀的蚀刻选择比，因此在目前的半导体制程中，湿式蚀刻经常用来作为复晶硅、氧化硅、氮化硅或金属等材料的全面性蚀刻(blanket etch)或剥除(strip)。在湿蚀刻制程中，例如应用于去除氮化硅(Si3N4)或氮氧化硅(SiOXNY)的湿蚀刻制程，是使用磷酸(H3PO4)槽作为化学蚀刻反应室。其主要缺陷在于由于磷酸是粘度非常高的酸液，因此磷酸槽在蚀刻过程中需维持高温状态，例如在150-160℃的范围。如此一来，对于采用批次(batch)的方式进行晶圆蚀刻时，容易造成蚀刻速率不一致，例如位于磷酸槽内前方与后方的晶圆，以及位于晶圆中央与晶圆边缘的蚀刻速率不一致。参阅图1-图2所示，为传统的湿蚀刻装置解决上述问题的改进方法。首先，参阅图1所示，其为传统湿蚀刻装本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种湿蚀刻装置，其特征是：它至少包含有储存槽及底板，用以放置多数晶圆及蚀刻液的该储存槽具有多数侧壁面，其中两相对的第一及第二侧壁面的内壁具有多数既定几何结构；该底板设置于该储存槽的底部上方，该底板具有多数贯穿孔。

【技术特征摘要】
1.一种湿蚀刻装置，其特征是它至少包含有储存槽及底板，用以放置多数晶圆及蚀刻液的该储存槽具有多数侧壁面，其中两相对的第一及第二侧壁面的内壁具有多数既定几何结构；该底板设置于该储存槽的底部上方，该底板具有多数贯穿孔。2.根据权利要求1所述的湿蚀刻装置，其特征是它更包括有供液装置设置于该储存槽的底部下方，用以将该蚀刻液通过该贯穿孔注入该储存槽中。3.根据权利要求1所述的湿蚀刻装置，其特征是该储存槽是一矩形且具有四个侧壁面的结构。4.根据权利要求1所述的湿蚀刻装置，其特征是该晶圆的边缘朝向该储存槽的第一及第二侧壁面，且该晶圆的正面及背面分别朝向该储存槽的第三及第四侧壁面。5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：李瑞评，董萱盛，杜建男，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]