【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是有关于一种非挥发性存储器(Non-Volatile Memory)，且特别是有关于一种。
技术介绍
非挥发性存储器中的闪存由于具有可进行多次资料的存入、读取、抹除等动作，且存入的资料在断电后也不会消失的优点，所以已成为个人计算机和电子设备所广泛采用的一种存储器元件。典型的闪存以掺杂的多晶硅制作浮置栅极(Floating Gate)与控制栅极(Control Gate)。其中浮置栅极位于控制栅极和基底之间，且处于浮置状态，没有和任何电路相连接，而控制栅极则与字符线(Word Line)相接，此外还包括穿隧氧化层(Tunneling Oxide)和栅间介电层(Inter Gate Dielectric)分别位于基底和浮置栅极之间以及浮置栅极和控制栅极之间。当对此存储器进行程序化(Program)时，对控制栅极施加正电压，而对漏极区(或源极区)施加一较小的电压，使得在漏极区(或源极区)和基底之间产生的热电子经过穿隧氧化层射入并陷于浮置栅极中。由于注入浮置栅极的电子会均匀分布于整个多晶硅浮置栅极层之中，因此这种存储单元只能储存“1”和“0”两种资料状态，而...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种多位闪存，其特征在于该多位闪存包括一基底；一控制栅极，该控制栅极设置于该基底上；一浮置栅极，该浮置栅极设置于该控制栅极与该基底之间；一栅间介电层，该栅间介电层设置于该控制栅极与该浮置栅极之间；一穿隧氧化层，该穿隧氧化层设置于该浮置栅极与该基底之间；一源极区与一漏极区，该源极区与该漏极区设置于该浮置栅极两侧的该基底中；一隔离区，该隔离区设置于该浮置栅极中，且该隔离区使该浮置栅极分离成复数个导电区块，而形成一导电区块数组，该导电区块数组从该源极区至该漏极区的方向为列的方向，每一列包括两个导电区块，每一行则包括n个(n为正整数)导电区块；以及一信道区，该信道区设置于该浮置栅极下方及该源极区与该漏极区之间的该基底中，该多位闪存在未写入资料的状态下，同一列的该些导电区块下方的该信道区具有相同启始电压，不同列的该些导电区块下方的该信道区则具有不同的启始电压。2.如权利要求1所述的多位闪存，其特征在于该栅间介电层包括氧化硅层。3.如权利要求1所述的多位闪存，其特征在于该栅间介电层包括氧化硅/氮化硅层。4.如权利要求1所述的多位闪存，其特征在于该栅间介电层包括氧化硅/氮化硅/氧化硅层。5.如权利要求1所述的多位闪存，其特征在于该浮置栅极的材质包括多晶硅化锗。6.如权利要求1所述的多位闪存，其特征在于该隔离区的材质包括氧化硅。7.如权利要求1所述的多位闪存，其特征在于该隔离区的材质包括氮化硅。8.一种多位闪存的制造方法，其特征在于该方法包括下列步骤提供一基底；于该基底上形成一穿隧氧化层；于该穿隧氧化层上形成一导体层；于该导体层中形成一隔离区，该隔离区使该导体层分离成复数个导电区块，该些导电区块形成一导电区块数组，该导电区块数组从一位线至另一位线的方向为列的方向，每一列包括两个导电区块，每一行则包括n个(n为正整数)导电区块；于该导体层上形成一栅间介电层；图案化该栅间介电层与该导体层以形成一浮置栅极；于该浮置栅极两侧的该基底中形成该些位线；于该浮置栅极上形成一控制栅极；以及进行一启始电压调整步骤，使不同列的该些导电区块下方的信道区具有不同的启始电压。9.如权利要求8所述的多位闪存的制造方法，其特征在于该导体层的材质包括多晶硅化锗。10.如权利要求8所述的多位闪存的制造方法，其特征在于于该导体层中形成该隔离区的方法包括于该导体层上形成一图案化光阻层，该图案化光阻层暴露预定形成该隔离区的区域；进行一离子植入步骤，于预定形成该隔...
【专利技术属性】
技术研发人员：张国华，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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