浅沟渠隔离结构的制造方法技术

一种浅沟渠隔离结构的制造方法，此方法提供一基底，并于基底上已依序形成有垫氧化层、罩幕层与第一沟渠，接着于第一沟渠内与基底上形成绝缘层以填满第一沟渠，且在第一沟渠上方的绝缘层具有第二沟渠。然后，于绝缘层上形成共形的帽盖层，且在第二沟渠上方的帽盖层具有第三沟渠，再于帽盖层上形成反转罩幕以覆盖第三沟渠，接着移除反转罩幕之外的帽盖层与绝缘层至暴露出罩幕层表面，再移除反转罩幕。其后移除残留的帽盖层与沟渠外的残留的绝缘层至暴露出罩幕层表面，再移除罩幕层及垫氧化层。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种电性绝缘(Electrically insulating)结构的制造方法，且特别是有关于一种浅沟渠隔离(Shallow Trench Isolation，STI)结构的制造方法。
技术介绍
随着半导体元件集成度的日益提高，元件的设计规则日益缩小，在0.18微米以下的制作工艺中，存储单元内的电性绝缘结构，例如是氧化硅绝缘层，已经无法使用区域氧化法(Local Oxidation，LOCOS)来制造，现今应用最广泛的方法之一，即是利用形成浅沟渠隔离结构的方法以制造电性绝缘结构。一般而言，在制造浅沟渠隔离结构的制作工艺中，使用高密度电浆化学气相沉积(High Density Plasma Chemical Vapor Deposition，HDPCVD)法以将氧化硅填入沟渠中，由于高密度电浆化学气相沉积法具有均匀覆盖性(Conformity)不佳的问题，因此必须将过量的氧化硅填入沟渠中，再以化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)法将氧化硅层回磨至适当的厚度，然而，沟渠在基底上的分布会因应实际状况而具有疏密不同的图案，当在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征在于：　　　　提供一基底，于该基底上已依序形成有一垫氧化层、一罩幕层与一第一沟渠；　　　　于该第一沟渠内与该基底上形成一绝缘层以填满该第一沟渠，且在该第一沟渠上方的该绝缘层具有一第二沟渠；　　　　于该绝缘层上形成共形的一帽盖层，且在该第二沟渠上方的该帽盖层具有一第三沟渠；　　　　于该帽盖层上形成一反转罩幕以覆盖该第三沟渠；　　　　移除该反转罩幕之外的该帽盖层与该绝缘层至暴露出该罩幕层表面；　　　　移除该反转罩幕；　　　　移除残留的该帽盖层与该沟渠外的残留的该绝缘层，直至暴露出该罩幕层表面；以及　　　　移除该罩幕层及该垫氧化层。

【技术特征摘要】
1.一种浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征在于提供一基底，于该基底上已依序形成有一垫氧化层、一罩幕层与一第一沟渠；于该第一沟渠内与该基底上形成一绝缘层以填满该第一沟渠，且在该第一沟渠上方的该绝缘层具有一第二沟渠；于该绝缘层上形成共形的一帽盖层，且在该第二沟渠上方的该帽盖层具有一第三沟渠；于该帽盖层上形成一反转罩幕以覆盖该第三沟渠；移除该反转罩幕之外的该帽盖层与该绝缘层至暴露出该罩幕层表面；移除该反转罩幕；移除残留的该帽盖层与该沟渠外的残留的该绝缘层，直至暴露出该罩幕层表面；以及移除该罩幕层及该垫氧化层。2.如权利要求1所述的浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征在于该帽盖层的材质包括氧化硅。3.如权利要求1所述的浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征在于形成该帽盖层的方法包括化学气相沉积法。4.如权利要求1所述的浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征在于形成该绝缘层的方法包括以高密度化学气相沉积法形成一氧化硅层。5.如权利要求1所述的浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征在于该帽盖层与该绝缘层于相同的反应室为沉积形成。6.如权利要求1所述的浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征在于该帽盖层与该绝缘层于不同的反应室沉积形成。7.如权利要求1所述的浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征在于该反转罩幕的材质包括光阻材料。8.如权利要求1所述的浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征在于移除残留的该帽盖层与该沟渠外的残留的该绝缘层，直至暴露出该罩幕层表面的方法包括化学机械研磨法。9.如权利要求1所述的浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征在于在该沟渠内与该基底上形成该绝缘层以填满该沟渠的步骤之前，更于该沟渠的内表面形成衬层。10.一种浅沟渠隔离结构的制造方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：林宗德，王啸刚，洪天爵，周世良，练文政，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]