化学气相沉积反应室中沉积温度的检测方法技术

一种沉积温度的检测方法，适用于检测化学气相沉积机台的反应室的沉积温度，包括：于反应室中置入待沉积物；于待沉积物上形成金属硅化物层；测量金属硅化物层的硅／金属原子比；以及将硅／金属原子比代入硅／金属原子比对温度的关系式以求得沉积温度。通过上述方法可实时检测并监控机台的沉积温度。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种对化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)机台的反应室(chamber)的沉积温度进行检测的方法，且特别是有关于一种使用通过金属硅化物原子比对化学气相沉积机台的反应室沉积温度进行检测的方法。
技术介绍
近年来，化学气相沉积法已然成为半导体制作工艺中，最重要且主要的薄膜沉积工具。举凡所有半导体组件所需要的薄膜，不论是生长金属层如钨、钛、铜、铝等，或是生长阻障层如氮化钛、氮化钽等，或是生长介电材料如钡锶钛氧化物(BaSrTiOx)、锶铋钽氧化物(SrBiTaOx)、氟氧化硅(SiOF)、二氧化硅等，皆可由化学气相沉积法沉积而得。由于化学气相沉积机台的反应室的沉积温度会影响产品的良莠，因此，一般会在系统建立或机台预防保养(Prevent Maintenance)之际，将反应室的沉积温度调校成适当的温度。调校沉积温度的方法，一般是使用热电偶(thermocouple)法。由于在热电偶法调校沉积温度的过程中，必需打开反应室，因而，反应室内的环境条件会发生变化(真空度改变)，因此，机台必需运转一段极长的时间，以使反应室内的粒子分布、沉积本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沉积温度的检测方法，适用于检测一化学气相沉积机台的一反应室的一沉积温度，其特征在于：　　　　于该反应室中置入一待沉积物；　　　　于该待沉积物上形成一金属硅化物层；　　　　测量该金属硅化物层的一硅／金属原子比；以及　　　　将该硅／金属原子比代入一硅／金属原子比对温度的关系式以求得该沉积温度。

【技术特征摘要】
1.一种沉积温度的检测方法，适用于检测一化学气相沉积机台的一反应室的一沉积温度，其特征在于于该反应室中置入一待沉积物；于该待沉积物上形成一金属硅化物层；测量该金属硅化物层的一硅/金属原子比；以及将该硅/金属原子比代入一硅/金属原子比对温度的关系式以求得该沉积温度。2.如权利要求1所述的沉积温度的检测方法，其特征在于测量该金属硅化物层的该硅/金属原子比的方法包括X光萤光分析法。3.如权利要求1所述的沉积温度的检测方法，其特征在于该金属硅化物层的材质包括硅化钨。4.如权利要求1所述的沉积温度的检测方法，其特征在于该金属硅化物层的材质包括选自硅化钛、硅化钽、硅化钼、硅化钴与硅化镍所组的族群其中之一。5.如权利要求1所述的沉积温度的检测方法，其特征在于该硅/金属原子比对温度的关系式包括硅/金属原子比对温度的检量线方程式。6.如权利要求1所述的沉积温度的检测方法，其特征在于该待沉积物包括一测试控片。7.一种监控化学气相沉积机台的沉积温度的方法，其中于该化学气相沉积机台中已建立一硅/金属原子比对温度的关系式，其特征在于将一待沉积物置入该化学气相沉积机台中；于该待沉积物上形成一...

【专利技术属性】
技术研发人员：周世良，吴琮钦，林宗德，洪天爵，曾国佑，练文政，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]