金属硅化物的制造方法技术

一种金属硅化物的制造方法，其特征是，包括下列步骤：　　　　提供一基底，其中于该基底上形成有一介电层；　　　　于该介电层上形成一导体层；　　　　于该导体层上形成一黏着层；以及　　　　于该黏着层上形成一金属硅化物层。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种半导体元件的制造方法，且特别是有关于一种在多晶硅上形成金属硅化物(metal silicide)的制造方法。
技术介绍
随着半导体元件集成度的增加，元件中的图案与线宽亦逐渐缩小，因而导致元件中的栅极与导线的接触电阻增高，产生较大的电阻-电容延迟(RC Delay)，进而影响元件操作速度。由于金属硅化物的电阻较多晶硅(Polysilicon)低，并且其热稳定性也比一般内连线材料高，因而在栅极上形成金属硅化物，以期能够降低栅极和金属连线之间的电阻值。在现行制造金属硅化物的工艺中，当多晶硅层例如是栅极形成在半导体晶圆上之后，在此半导体晶圆进入形成金属硅化物的高温工艺之前，半导体晶圆会有一段等待期间暴露于大气中，此时在半导体晶圆上的多晶硅层将会长成一层薄薄的原生氧化层(native oxide)。然而，当此形成有原生氧化层的半导体晶圆进入后续的形成金属硅化物的高温工艺时，此原生氧化层的存在将会使得金属硅化物与多晶硅层的黏着性(adhesion)不佳，进而造成金属硅化物相当容易与多晶硅层剥离(peeling)，影响到元件的可靠度与效能。
技术实现思路
因此，本专利技术的目本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属硅化物的制造方法，其特征是，包括下列步骤提供一基底，其中于该基底上形成有一介电层；于该介电层上形成一导体层；于该导体层上形成一黏着层；以及于该黏着层上形成一金属硅化物层。2.如权利要求1所述的金属硅化物的制造方法，其特征是，该黏着层包括一富含氮层。3.如权利要求2所述的金属硅化物的制造方法，其特征是，形成该黏着层的方法包括使用化学气相沉积法，临场掺杂浓度为2*1018原子/立方厘米至5*1019原子/立方厘米左右的氮离子。4.如权利要求2所述的金属硅化物的制造方法，其特征是，该黏着层的厚度为5埃至40埃左右。5.如权利要求1所述的金属硅化物的制造方法，其特征是，该黏着层包括一氮离子植入层。6.如权利要求5所述的金属硅化物的制造方法，其特征是，形成该黏着层的方法包括使用一离子植入法，以1千电子伏特至5千电子伏特的植入能量，将浓度为2*1018原子/立方厘米至5*1019原子/立方厘米左右的氮离子植入该导体层中。7.如权利要求5所述的金属硅化物的制造方法，其特征是，该黏着层的厚度为20埃左右。8.如权利要求1所述的金属硅化物的制造方法，其特征是，该金属硅化物层的材质选自硅化钛、硅化钨、硅化钽、硅化钼、硅化钴与硅化镍所组的族群其中之一。9.如权利要求1所述的金属硅化物的制造方法，其特征是，该导体层的材质包括多晶硅。10.一种金属硅化物的制造方法，包括下列步骤提供一基底，其特征是，于该基底上形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：张国华，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：