处理室残留物的两步式等离子清洗制造技术

公开了一种采用多步无晶片自动清洗方法清洗处理室中的沉积残留物的方法。具体而言，该方法向处理室中引入具有至少约７５％的分子式为Ｘ↓［ｙ］Ｆ↓［ｚ］的含氟化合物的第一气态成分，然后形成从处理室内表面上去除硅和硅基副产物的第一蚀刻等离子体。该方法然后向处理室中引入含有至少约５０％的Ｏ↓［２］的第二气态成分，并由第二气态成分形成等离子体，以提供从处理室内表面上去除碳和碳基副产物的第二蚀刻等离子体。本发明专利技术还提供了一种配置为执行所述的两步式清洗处理的系统。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种清洗先前沉积在处理室内表面上的残留物的设备和方法。特别是，本专利技术涉及采用两步清洗工艺除去内壁或其它部件上的残留物的无晶片等离子清洗方法。
技术介绍
在通常的等离子处理中，使用活性气体物质来激发等离子，以便从衬底上生成或除去想要的膜。化学活性物质包括离子、中性原子和分子。当参与例如等离子蚀刻的化学处理时，活性物质与待蚀刻的材料之间发生物理或化学反应。谨慎地选择化学活性物质以专用于要进行反应的衬底表面。一般而言，由一或多个工艺参数控制等离子，例如晶片温度、处理室表面温度、压力、反应气体流量、反应气体混合比、反应气体浓度、气体注入分布、等离子离子浓度和偏压等。对于特定的处理，以实验设计(更常称为DOE)的形式对这些工艺参数进行工艺参数的优化和化学反应物的选择。虽然谨慎小心地监控化学过程，在进行处理的处理室内表面还是会有不希望的残留物沉积。此残留物不幸地沉积在处理室内壁四周。处理室内部的残留物积聚不但使处理不可靠和偏移基准，且导致以瑕疵形式恶化、缺陷的衬底。如果没有频繁的清洗处理，残留物积聚而导致的杂质会移往衬底之上。此外，因残留物积聚造成处理性能失控，导致处理室环本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理室的清洗方法，包括：向处理室中引入第一气态成分，该第一气态成分包含至少约７５％的化学式为Ｘ↓［ｙ］Ｆ↓［ｚ］的含氟化合物；由此第一气态成分形成等离子体，以提供第一蚀刻等离子体，其从处理室的内表面去除硅和硅基化合物；　 　向处理室中引入第二气态成分，该第二气态成分包含至少约５０％的Ｏ↓［２］；以及由此第二气态成分形成等离子体，以提供第二蚀刻等离子体，其从处理室的内表面去除碳和碳基化合物。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2001-5-4 60/288,6781.一种处理室的清洗方法，包括向处理室中引入第一气态成分，该第一气态成分包含至少约75％的化学式为XyFz的含氟化合物；由此第一气态成分形成等离子体，以提供第一蚀刻等离子体，其从处理室的内表面去除硅和硅基化合物；向处理室中引入第二气态成分，该第二气态成分包含至少约50％的O2；以及由此第二气态成分形成等离子体，以提供第二蚀刻等离子体，其从处理室的内表面去除碳和碳基化合物。2.如权利要求1所述的处理室清洗方法，其中所述的含氟化合物是从主要由NF3和SF6构成的组中选择的。3.如权利要求2所述的处理室清洗方法，其中所述的含氟化合物为SF6。4.如权利要求2所述的处理室清洗方法，其中所述的第一气态成分至少含有约90％的所述含氟化合物。5.如权利要求4所述的处理室清洗方法，其中所述的第一气态成分主要由所述的含氟化合物构成。6.如权利要求1所述的处理室清洗方法，其中所述的第二气态成分至少含有约75％的O2。7.如权利要求6所述的处理室清洗方法，其中所述的第二气态成分至少含有约90％的O2。8.如权利要求6所述的处理室清洗方法，其中所述的第二气态成分包含化学式为XyFz的含氟化合物。9.如权利要求8所述的处理室清洗方法，其中所述第二气态成分的所述含氟化合物是从主要由NF3和SF6构成的组中选择的。10.如权利要求8所述的处理室清洗方法，其中所述的第二气态成分的所述含氟化合物为SF。11.如权利要求10所述的处理室清洗方法，其中所述的第二气态成分是约90％的O2和10％的SF6。12.如权利要求6所述的处理室清洗方法，其中所述的第二气态成分主要由O2构成。13.如权利要求1所述的处理室清洗方法，其中由第一气态成分形成等离子体以提供从处理室内表面去除硅和硅基化合物的第一蚀刻等离子体的方法操作进一步包括保持约2mTorr至5mTorr之间的室...

【专利技术属性】
技术研发人员：布雷特C理查森，文森特翁，
申请(专利权)人：拉姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]