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公开了一种采用多步无晶片自动清洗方法清洗处理室中的沉积残留物的方法。具体而言，该方法向处理室中引入具有至少约７５％的分子式为Ｘ↓［ｙ］Ｆ↓［ｚ］的含氟化合物的第一气态成分，然后形成从处理室内表面上去除硅和硅基副产物的第一蚀刻等离子体。该方法...
该专利属于拉姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过拉姆研究公司授权不得商用。

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