非挥发性存储器的结构及其操作方法技术

一种非挥发性存储器的结构，其特征是，该结构包括：多个存储单元、多条字符线，多条漏极线与多条源极线，其中该些存储单元以同行且相邻的两个存储单元为一组，而形成多个存储单元组，该些存储单元组并排成一行／列阵列；在每一行中， 各存储单元组中的两个存储单元共享一源极区，且相邻两存储单元组共享一漏极区；在每一列中，各存储单元组的源极区皆耦接至同一源极线；在每一列中，各存储单元的栅极皆耦接至同一字符线；以及在每一行中，各存储单元的漏极区皆耦接至 同一漏极线。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种非挥发性存储器(non-volatile memory)的结构及其操作方法，且特别是有关于一种一存储单元储存一位(1bit/cell)的。
技术介绍
在各种非挥发性存储器产品中，具有可进行多次数据的存入、读取、抹除等动作，且存入的数据在断电后也不会消失的优点的可电抹除且可程序只读存储器(EEPROM)，已成为个人计算机和电子设备所广泛采用的一种存储器元件。典型的可电抹除且可程序只读存储器以掺杂的多晶硅制作浮置栅极(floating gate)与控制栅极(control gate)。当存储器进行程序化(program)时，注入浮置栅极的电子会均匀分布于整个多晶硅浮置栅极层之中。然而，当多晶硅浮置栅极层下方的穿隧氧化层(tunneling oxide)有缺陷存在时，就容易造成元件的漏电流，影响元件的可靠度。因此，为了解决可电抹除可程序只读存储器元件漏电流的问题，目前的方法是采用一电荷陷入层(trapping layer)取代公知存储器的多晶硅浮置栅极，此电荷陷入层是由氧化硅/氮化硅/氧化硅(oxide-nitride-oxide，简称ONO)复合层所构成的堆栈式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非挥发性存储器的结构，其特征是，该结构包括多个存储单元、多条字符线，多条漏极线与多条源极线，其中该些存储单元以同行且相邻的两个存储单元为一组，而形成多个存储单元组，该些存储单元组并排成一行/列阵列；在每一行中，各存储单元组中的两个存储单元共享一源极区，且相邻两存储单元组共享一漏极区；在每一列中，各存储单元组的源极区皆耦接至同一源极线；在每一列中，各存储单元的栅极皆耦接至同一字符线；以及在每一行中，各存储单元的漏极区皆耦接至同一漏极线。2.如权利要求1所述的非挥发性存储器的结构，其特征是，该些漏极线的材质包括金属。3.如权利要求1所述的非挥发性存储器的结构，其特征是，该些源极线的材质包括金属。4.如权利要求1所述的非挥发性存储器的结构，其特征是，该些存储单元的该源极区各自通过一第一接触窗耦接至该源极线，且该些存储单元的该漏极区各自通过一第二接触窗耦接至该漏极线。5.一种非挥发性存储器的操作方法，适于操作如权利要求1所述的存储单元阵列，其特征是，该操作方法包括进行抹除操作时，于选定的一存储单元所耦接的该字符线上施加一第一正电压，并使该存储单元所耦接的该漏极线、该源极线为0伏特，以利用通道F-N穿隧效应抹除该存储单元；以及进行程序化操作时，于选定的该存储单元所耦接的该字符线上施加一第一负电压，于该存储单元所耦接的该源极线上施加一第二正电压，并使该存储单元所耦接的该漏极线为0伏特，以利用价带-导带间热电洞注入效应程序化该存储单元的一源极侧。6.如权利要求5所述的非挥发性存储器的操作方法，其特征是，该第一正电压为10～18伏特左右。7.如权利要求5所述的非挥发性存储器的操作方法，其特征是，该第一负电压为-3～-7伏特左右。8.如权利要求5所述的非挥发性存储器的操作方法，其特征是，该第二正电压为3～7伏特左右。9.一种非挥发性存储器的操作方法，适于操作如权利要求1所述的存储单元阵列，其特征是，该操作方法包括进行抹...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡文哲，叶致锴，卢道政，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：