本发明涉及一种非易失存储单元的读取方法，非易失存储单元具有基底、第一源极／漏极以及一第二源极／漏极，第一源极／漏极与第二源极／漏极之间具有一信道区，而信道区上具有一栅极，栅极与通道区之间具有位于第一绝缘层以及第二绝缘层之间的非导电性电荷...

一种非挥发性只读存储器，其结构有一字线形成于一基底上，而字线包括一金属层与一复晶硅线，另外有一捕捉层位于字线与基底之间，以及有一形成于基底上的复晶硅保护线，且此复晶硅保护线电性连接至字线与位于基底的接地掺杂区，其中，复晶硅保护线的阻值高...

一种只读存储器的制造方法，此方法提供具有存储单元区与周边电路区的基底，其中存储单元区已形成存储单元阵列，周边电路区已形成多个晶体管。然后于存储单元区形成具有多个第一开口的精准层，上述第一开口位于存储单元阵列的每一存储单元的信道区上方并具...

一种非挥发性存储器及其制造方法，其结构有一字符线形成于一基底上，另外有一捕捉层位于字符线与基底之间，且有一接触窗位于基底上方而与字符线电性连接。此外，还有位于基底中的一接地掺杂区，以及电性连接此接地掺杂区，并通过接触窗电性连接字符线的一...

一种存储装置，包含：一半导体基底，上有存储单元；一内联线结构，位于该半导体基底上，耦合于该存储单元；一护层，覆盖于该内联线结构上，包含：一第一介电层，如高密度电浆氧化物层，覆盖于该内联线结构表面；一氮氧化硅层，覆盖于高密度电浆氧化物层上...

本发明涉及一种半导体制造系统及其制程程序控制方法。该系统使用这样的方法控制制程程序：首先，通过操作接口将储存在数据模块的测量项目字段的至少一测量项目传送至测量装置来进行测量，以得到一对应的测量值。接着，通过操作接口存取一制程程序条件表并...

一种半导体集成电路中的垫氧化层的形成方法，是于硅晶圆上形成一层厚度比后续工艺所需的垫氧化层的厚度略大一些的零层氧化层，随后进行微影与蚀刻工艺，图案化零层氧化层与硅晶圆，以于硅晶圆中形成数个对准用标记。然后进行一清洗工艺将光阻与部分零层氧...

一种罩幕式只读存储器的制造方法，此方法依序于基底上形成一氧化硅／氮化硅／氧化硅复合层与复数个栅极，且任一栅极与基底之间的氧化硅／氮化硅／氧化硅复合层作为一预定编码区。接着，于栅极间的基底中形成复数条位线，并且于基底上形成与栅极电连接的复...

本发明的一较佳实施例提供了一种俘获式非易失存储单元，其包括有一个其上被形成有一Ｎ＋源极与一Ｎ＋漏极的Ｐ型半导体基底、一个被形成在该源极与该漏极之间的沟道。一个第一绝缘层、一个非传导式电荷陷获层、一个第二绝缘层、以及一个栅极被依序形成在该...

本发明公开一种自对准可编程相变存储器件及其制造方法。该器件是以相变物质为基础的自对准及非易失性存储结构，此相变物质例如是硫族化合物，且存储器件被制作于集成电路上的非常小区域面积内。本发明的制造自对准存储单元的过程中只需要２个相关阵列掩模...

一种虚拟接地非易失存储单元阵列是由被排列成行与列、以便形成一阵列的多个相邻的非易失存储单元所形成。每一个非易失存储单元由一个带有被形成在二绝缘层间的一陷获层的Ｎ信道金属氧化半导体场效晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）所形成。在擦除状态之中，陷获层储...

一种紫外线程序化的Ｐ型罩幕式只读存储器及其制造方法，是先提高所有存储单元的起始电压，使所有存储单元均处于难以导通的第一逻辑状态（０或１），以避免位线之间发生漏电流。然后，待位线与字符线形成后，使用紫外线照射欲储存第二逻辑值（１或０）的存...

一种半导体元件的线的制造方法，提供具有一沉积层的基底，随后于沉积层上形成一光阻层。接着，使用一光罩施行一微影工艺，以图案化光阻层，其中此一光罩是考虑到近接效应与蚀刻的微负载效应而设计出来的。然后，以图案化光阻层作为蚀刻罩幕，进行一蚀刻工...

一种Ｐ型氮化硅只读存储器器件的初始化方法，此方法为提供一Ｐ型氮化硅只读存储器器件后，以紫外光均匀照射该Ｐ型氮化硅只读存储器器件，使电子陷入均匀分布于该Ｐ型氮化硅只读存储器器件的一氮化硅层中而使该Ｐ型氮化硅只读存储器器件均匀程序化至低起始...

一种利用离子植入方法制作混合电路元件电容器的方法。此方法先在已形成隔离区的硅基底上形成一层多晶硅层，接着对多晶硅层进行一离子植入步骤，将氧离子植入多晶硅层中的设定深度，随后进行回火步骤，使植入多晶硅层的氧离子与硅离子产生反应，而于多晶硅...

本发明提供一种于一沟槽隔离元件形成时消除应力与损伤的方法，至少包括：提供一半导体底材；蚀刻半导体底材以形成一沟槽结构；及退火处理，例如以高温退火或快速热退火方式处理沟槽结构，借以消除沟槽结构的应力，达到避免半导体元件可靠度降低的目的。也...

本发明公开了一种具防水窗口的研磨垫，此研磨垫内及窗口周围填充一适当的吸水剂或疏水剂。在化学机械研磨期间，聚集于研磨垫的窗口表面上的水分或水汽将由吸水剂吸收或由疏水剂制止。因此，可防止或减少水分或水汽渗入研磨垫中及聚集在窗口表面，从而可延...

本发明揭示一种形成具有低应力无侵蚀区的浅沟渠隔离侧壁氧化层的方法。本发明利用氧与氢氧根进行一原位蒸汽发生制程以在浅沟渠隔离中形成一侧壁氧化层。以本发明的方法形成的侧壁氧化层具有低应力、不会有侵蚀区的现象且反应时间也远比传统热氧化制程短。

本发明公开一种用以评估天线效应的测试结构。该测试结构包含有：一衬底；一ＯＮＯ介电层，形成于该衬底上，其中该ＯＮＯ介电层由一下层氧化层、一氮化硅层以及一上层氧化层所构成；一电极，形成于该ＯＮＯ介电层之上；以及一天线结构，电连接该电极，用来...

一种罩幕式只读存储器的制造方法，此方法提供已形成栅极介电层、埋入式位线的基底，接着于基底上形成字符线与字符线上的条状前置层，再定义条状前置层以形成多个前置编码凸块。然后，于前置编码凸块的间隙形成介电层，再于介电层与前置编码凸块上形成具有...