半导体构装与其制造方法技术

本发明专利技术主要的目的在于提供一种半导体构装元件，包括具有一凹槽或沟槽于一载板上。至少一具有背面及包括第一焊垫的主动面的晶片，此晶片固定于凹槽中，并暴露出其主动面。一第一绝缘层位于载板与主动面上，它包括第一导电通孔穿透其中，并连接第一焊垫。一多层结构位于第一绝缘层上，它包含布局导线、第二导电通孔于其中，及至少一第二绝缘层于其上，并暴露出锡球焊垫于多层结构上。其中布局导线、第二导电通孔及锡球焊垫与第一导电通孔有电性上的连接。锡球则是固定于锡球焊垫上。这样的架构整合一般覆晶构装工艺中的重新分布与接脚间距扩散（ｆａｎ－ｏｕｔ）步骤，简化了覆晶球栅阵列现有工艺方法。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种，特别是有关于一种覆晶球栅阵列型式结构与其制造方法。(2)
技术介绍
在构装工艺、尤其是高脚数集成电路或是小面积低脚数集成电路的覆晶球栅阵列构装工艺中，必须将晶片上的输出/入端焊垫，通过重新分布过程(redistribution process)将其重新排列成阵列形式(array)，然后再形成UBM(Under Bumping Metallization)金属层与锡铅凸块(solder bumper)。由于一般印刷电路板(Print Circuit Board，PCB)在工艺布局上无法配合高密度输出/入接脚的集成电路，因此需先将覆晶晶片先接合于高密度的基板(Build-Upsubstrate)，再通过高密度基板将晶片输出/入接脚转换扩散(fan-out)成面积与间距较大的分布。由于覆晶晶片上锡铅凸块体积较小，与高密度基板的热膨胀系数差距过大，因此在制作时需以环氧底胶(underfill)填充晶片、基板与凸块间，以增加可靠度，然而此工艺相当耗时，且增加成本。(3)
技术实现思路
本专利技术主要目的是提供一种，而不需额外高成本的高密度基板展开接脚与相关工艺步骤。本专利技术的另一目的在于提供一种新型覆晶球栅阵列型式结构与其制作方法，以简化一般传统上覆晶球栅阵列型式制作时所需的焊点重新分布与凸块制作，而将其整合至高密度基板的接脚间距扩散步骤中。本专利技术的又一目的在于提供一种可靠度提高的新型构装结构与其制造方法，以有效避免将晶片与电路板直接接合，可达到最小厚度的构装与散热性的需求。根据以上所述的目的，本专利技术提供一种半导体构装元件，包括具有一凹槽(cavity)或沟槽(slot)于一载板上；至少一具有背面(back surface)及包括第一焊垫(bondingpads)的主动面(active surface)的晶片，此晶片固定于凹槽中，并暴露出其主动面；一第一绝缘层于载板与主动面上，它包括第一导电通孔穿透其中，并连接第一焊垫；一多层结构于第一绝缘层上，它包含布局导线、第二导电通孔于其中，及至少一第二绝缘层于其上，并暴露出锡球焊垫(ball pad)于多层结构上；其中布局导线、第二导电通孔及锡球焊垫与第一导电通孔有电性上的连接；锡球(solder ball)则是固定于锡球焊垫上。这样的架构整合一般覆晶构装工艺中的重新分布与接脚间距扩散(fan-out)步骤，从而简化了覆晶球栅阵列现有工艺步骤。为进一步说明本专利技术的目的、结构特点和效果，以下将结合附图对本专利技术进行详细的描述。(4)附图说明图1为一流程示意图，用以说明本专利技术的制造流程。图2为一正面示意图用以说明本专利技术的晶片与载板相关位置。图3是说明本专利技术以图2中2A-2A剖线的晶片封装的若干剖面示意图。图4是说明本专利技术以图2中2A-2A剖线的晶片封装的另一剖面示意图。图5是本专利技术以图2中2A-2A剖线的晶片封装的又一剖面示意图。图6是本专利技术以图2中2A-2A剖线的晶片封装的又一剖面示意图。图7是本专利技术以图2中3A-3A剖线的晶片封装的剖面示意图。(5)具体实施方式当本专利技术以如下的实施例详细描述的时，熟悉此领域的技术人员应有认识到本专利技术在不脱离所提出的专利范围的情况下允许若干的修正与替换。所运用来揭示的结构或方法并不仅局限于特定的封装元件，还包括其他同等的半导体封装元件，而图示亦是用来加以说明较佳实施例，而非加以限制本专利技术范围。本专利技术的半导体封装元件的不司部分并没有依照尺寸绘图。某些尺度与其他相关尺度相比已经被夸张，以提供更清楚的描述和本专利技术的理解。另外，虽然在这些实施例是以具有宽度与深度在不同阶段的二维中显示，应该很清楚地了解到所显示的区域只是封装元件的一部份，其中可能包含许多在三维空间中排列的元件。相对地，在制造实际的元件时，图示的区域具有三维的长度，宽度与高度。本专利技术主要的目的在于提供一种半导体构装元件，包括具有一凹槽(cavity)或沟槽(slot)于一载板上。至少一具有背面(back surface)及包括第一焊垫(bondingpads)的主动面(active surface)的晶片，此晶片固定于凹槽中，并暴露出其主动面。一第一绝缘层于载板与主动面上，它包括第一导电通孔穿透其中，并连接第一焊垫。一多层结构于第一绝缘层上，它包含布局导线、第二导电通孔于其中，及至少一第二绝缘层于其上，并暴露出锡球焊垫(ball pad)于多层结构上。其中布局导线、第二导电通孔及锡球焊垫与第一导电通孔有电性上的连接。锡球(solder ball)则是固定于锡球焊垫上。这样的架构整合一般覆晶构装工艺中的重新分布与接脚间距扩散(fan-out)步骤，从而简化了覆晶球栅阵列现有工艺步骤。图1为一流程示意图，用以说明本专利技术的制造流程。本专利技术的一较佳实施例为覆晶球栅阵列构装的制造方法。首先，研磨晶片至一所需的厚度后，将晶片上的晶片切割下来(步骤50)。提供一具有若干凹槽或沟槽的载板，将切割后的晶片置入载板的沟槽中(步骤51)，其中晶片的主动面朝上，背面与侧壁以一粘着剂固定于沟槽中。而载板的材料可以是硅晶片(silicon)、陶瓷(ceramic)、玻璃(glass)或是有机材料基板(organic substrate，e.g.BT)等。接着，在晶片的主动面与载板表面涂覆一绝缘材料(步骤52)，并暴露出晶片主动面周边上的焊垫。绝缘材料的涂覆可利用类似半导体薄膜制作工艺来完成，其主要目的是保护与平坦化晶片与载板表面。其次，于绝缘层中制作第一导电通孔(步骤53)，这些第一导电通孔与晶片的焊垫位置一致。之后，于绝缘层上制作多层电路与第二导电通孔的布局(步骤54)，其中的多层电路可使第一导电通孔与第二导电通孔有电性上的连接。接着重新分布焊垫(步骤55)，这些重新分布的焊垫与第二导电通孔的位置一致，排列至载板表面形成间距较大的阵列形式。此一步骤可利用一般工艺中的重新分布与UBM步骤来完成；即利用已预布电路线路与导电通孔的单/多层板，其中导电通孔即与晶片主动面上的焊垫相连接；将此单/多层板与覆盖绝缘材料的晶片主动面相粘接，最后再于多层板上覆盖一层绝缘层，并暴露出导电通孔的焊垫。接着，切割构装后的晶片与载板，将锡球植入预定的位置(即第二导电通孔与重新分布焊垫的位置)，回焊(reflow)后切割构装后的晶片与载板，即完成构装程序(步骤56)。锡球植入的步骤可利用一般BGA植球的设备即可完成。另外，亦可视需要先将晶片与载板研磨至所需的薄形构装厚度。图2为一正面示意图，用于说明本专利技术的晶片与载板相关位置。如图2所示，载板11上有许多的凹槽10(cavity)或是沟槽(slot)，每一个凹槽10的大小足以容纳一个晶片。利用粘着剂将晶片的背面固定于凹槽底部，而晶片的侧壁亦利用粘着剂固定于凹槽的侧壁。图3至图5说明本专利技术以图2中2A-2A剖线的晶片封装的若干剖面示意图。如图3所示为锡球分布于晶片周边载板的位置上。将晶片20放置于载板11中，并以粘着剂19固定后，于晶片的主动面30与载板表面先形成一绝缘层14，并暴露出主动面30上的晶片焊垫21。在绝缘层14上形成一具有线路布局23与导电通孔22的多层板15后，再于多层板15上覆盖一绝缘层16，只暴露出导电通孔的焊垫18(UBM)，则锡球17固定于导电通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体构装元件，其特征在于，包括： 一载板具有至少一凹槽于该载板上； 至少一晶片，该晶片具有一背面及包括数个第一焊垫的一主动面，该晶片固定于该凹槽中，并暴露出该主动面； 一第一绝缘层于该载板与该主动面上，该第一绝缘层包括数个第一导电通孔穿透该第一绝缘层并连接该第一焊垫； 一多层结构位于该第一绝缘层上，该多层结构包含数条布局导线、数个第二导电通孔于其中，及至少一第二绝缘层于其上，并暴露出数个锡球焊垫于该多层结构上，其中该布局导线、该第二导电通孔及该锡球焊垫与该第一导电通孔有电性上的连接；及 数个锡球固定于该锡球焊垫上。

【技术特征摘要】
1.一种半导体构装元件，其特征在于，包括一载板具有至少一凹槽于该载板上；至少一晶片，该晶片具有一背面及包括数个第一焊垫的一主动面，该晶片固定于该凹槽中，并暴露出该主动面；一第一绝缘层于该载板与该主动面上，该第一绝缘层包括数个第一导电通孔穿透该第一绝缘层并连接该第一焊垫；一多层结构位于该第一绝缘层上，该多层结构包含数条布局导线、数个第二导电通孔于其中，及至少一第二绝缘层于其上，并暴露出数个锡球焊垫于该多层结构上，其中该布局导线、该第二导电通孔及该锡球焊垫与该第一导电通孔有电性上的连接；及数个锡球固定于该锡球焊垫上。2..如权利要求1所述的半导体构装元件，其特征在于，所述载板的材料选自于硅晶片基板、陶瓷基板、玻璃基板、有机材料基板或其组合物之一。3.如权利要求1所述的半导体构装元件，其特征在于，所述载板选自于具有一电路布局的陶瓷基板、有机材料基板或其组合物之一。4.如权利要求1所述的半导体构装元件，其特征在于，所述锡球焊垫可位于以下位置之一该晶片上方、该晶片上方的周围或其组合。5.一种半导体构装元件，其特征在于，包括一载板具有至少一穿透该载板的沟槽；至少一晶片固定于该沟槽中，并暴露出该晶片的一背面及一主动面，该主动面包括数个第一焊垫；一第一绝缘层于该载板与该主动面上，该第一绝缘层包括数个第一导电通孔穿透该第一绝缘层并连接该第一焊垫；一多层结构于该第一绝缘层上，该多...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡振荣，李睿中，林志文，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]