一种具有浅接面的非挥发性内存的制造方法，其中一栅极结构形成于一基底上，此一栅极结构包括有一电子捕捉层及一导电层。一掺杂间隙壁形成在栅极结构的侧壁上。接着，多条埋入式位线形成于该栅极结构侧边的基底中。然后，进行一热处理，使掺质由掺杂间隙壁...

一种减少微粒产生的方法，适用于晶圆上的氧化硅层的蚀刻工艺，此方法是在高于室温的第一温度下对晶圆进行除气动作，再冷却晶圆，以使晶圆的温度达到第二温度，之后再蚀刻氧化硅层。

本发明提出一种多位存储单元的参考位稳定方法，此参考位稳定方法首先在多位存储单元的制造过程中，预先将一个多位存储单元中的一个第一位程序化至适当的高准位状态。之后，再于使用时读取此多位存储单元中，除前述的第一位外的一位以做为参考位。

一种垂直式的氮化物只读存储单元的制造方法，此方法是在基底中形成沟渠，然后利用离子植入的方式，在基底的表面形成第一源极／漏极区与第二源极／漏极区，以及在沟渠的底部形成第三源极／漏极区，再在基底与沟渠的表面依序形成捕捉层与导体层。

一种应用于系统芯片的半导体器件的制造方法，提供具有存储单元与外围电路区的基底，在此基底的存储单元形成复数个位线与第一介电层，以及在外围电路区形成第二介电层。接着，在存储单元区与外围电路区形成复数个栅极后，以仅能够穿透外围电路区的基底表面...

一种氮化硅只读存储器的结构与制造方法，其中制造方法是在基底上形成由氧化硅／氮化硅／氧化硅复合介电层与栅极导体层组成的栅极结构后，在栅极结构两侧的基底中形成一源极／漏极区。然后，在栅极结构的侧壁上形成一氧化硅间隙壁，再在氧化硅间隙壁的侧壁...

一种氮化只读存储器的结构及其制造方法。此结构至少包括位于基底上的栅介电复层、位于栅介电复层表面的氧化硅层、位于栅介电复层的两侧基底中的位线氧化层、位于位线氧化层下方基底中的源极／漏极与横越栅介电复层与位线氧化层之上的栅极。其中栅介电复层...

本发明提供一种于一光阻层上形成一只读码布植图案的方法，该方法包含有下列步骤：提供一表面覆有一光阻层的芯片；提供一投影透镜设于该芯片正上方；提供一预定波长曝光光源，以产生一偶极光线；以及提供一只读码布植掩模，设于该投影透镜与该曝光光源之间...

本发明是提供一种双位元快速存储器结构及其制造方法。该方法是先在一硅基底表面形成一栅极氧化层，然后在该栅极氧化层表面形成一多晶锗化硅层。随后进行一离子布植制程，在该多晶锗化硅层中形成至少一绝缘区域，以分隔该多晶锗化硅层成两个相互不连续的导...

本发明是提供一种利用氮化物只读存储器（ＮＲＯＭ）处理以建立只读存储器（ＲＯＭ）与氮化物只读存储器的系统整合芯片（ＳＯＣ）的制作方法。该方式是先在该基底表面形成一ＯＮＯ介电层，接着利用一黄光与离子布植处理。随后去除周边电路区上的ＯＮＯ介电...

提供一种整合氮化物只读存储器的嵌入式存储器的制作方法。先在定义有存储器区和周边电路区的半导体基底表面上形成ＯＮＯ层和顶保护层，该周边电路区包含第一、第二和第三元件区，接着利用蚀刻及第一离子植入处理，在存储器区形成各位线。随后在存储器区的...

本发明有关一种制作场氧化层的方法，特别是有关于一种利用氧原子植入以制作自动对准的场氧化层的方法。本发明利用在部分底材内预先植入氧原子的方式，在制作场氧化层的制程中，能同时在晶片上依照高电压区域与低电压区域的需求，在高电压区域上形成较厚的...

一种调整半导体反应室真空系统的排气压力的装置及方法，该方法至少包含下列步骤：利用真空系统于半导体反应室内产生第一压力；检测第一压力并产生第一信号；依据第一信号得到排气压力的一设定值以及利用一控制器调节排气压力值达设定值；外加的所述排气控...

一种罩幕式只读存储器的制造方法，此方法是于基底上形成多个具有顶盖层的导体条状物后，于每一个导体条状物的侧壁形成第一间隙壁与第二间隙壁，且第一间隙壁与第二间隙壁下方的基底分别作为第一预定编码区与第二预定编码区。于第一间隙壁与第二间隙壁之间...

一种非易失性存储器的制造方法，其先在基底上形成绝缘材质的电荷陷阱层，以及作为栅极前身的长条状导电层，再在长条状导电层之间的基底中形成埋入式位线，其中埋入式位线与长条状导电层之间相隔有一段距离。接着在长条状导电层的侧壁形成高介电常数间隙壁...

一种阶梯式开口的形成方法，此方法是在具有第一介电层、蚀刻终止层、第二介电层的基底上，依次形成第一罩幕层、第二罩幕层、第三罩幕层。接着，在第一罩幕层、第二罩幕层、第三罩幕层、第二介电层以及蚀刻终止层中形成开口，再去除开口侧壁的部分第二罩幕...

一种金属内连线的制造方法，此方法是在基底上形成一层介电层，并在介电层中形成一开口。然后，在基底上形成一层金属层以填满开口。接着，以电化学法在金属层的表面形成一保护层后，移除开口以外的保护层与金属层，以完成金属内连线工艺。由于保护层比金属...

一种利用减少漏极植入范围而缩小器件尺寸的方法，可应用在存储器件上，例如是硅层／氧化层／氮化层／氧化层／硅层（ＳＯＮＯＳ）的堆栈层器件或氮化物只读存储器（ＮＲＯＭ），其中，在定义基底上的导电层之后，利用已定义的导电层作为罩幕来进行口袋离子...

一种具有埋入式源／漏极区的存储器组件的制造方法，是于基底上形成一介电层，再于基底上形成一字符线，然后于基底中形成一埋入式源／漏极区，接着于裸露的字符线表面形成一阻障层。随后于基底上形成一金属层，再定义金属层，使留下的金属层覆盖字符线两侧...

本发明揭露了一种制作双扩散漏极的方法。本发明利用单一种类掺质而非传统的两种掺质来形成双扩散漏极。首先进行一次轻掺杂离子布植过程。接着执行一第一热过程以驱入（ＤｒｉｖｅＩｎ）掺质。再者执行一重掺杂离子布植过程。最后进行一第二热过程以形成...