【技术实现步骤摘要】
本专利技术提供一种存储器系统整合芯片(system on chip，SOC)，尤指一种利用氮化物只读存储器(NROM)处理以建立只读存储器(ROM)与氮化物只读存储器的系统整合芯片(SOC)的制作方法。
技术介绍
只读存储器(Read only memory，ROM)元件是一种用来储存数据的半导体元件，由多个存储器单元(memory cell)所组成，如今已广泛应用于电脑的数据储存与记忆。依数据储存方式，可将只读存储器分为罩幕只读存储器(mask ROM)、可编程只读存储器(Programable ROM，PROM)、可擦可编程只读存储器(Erasable programmble ROM，EPROM)、电可擦可编程只读存储器(Electrically erasable programmable ROM，EEPROM)、氮化物只读存储器(nitride read only memory，NROM)以及快闪存储器(flash ROM)等数种，其特点为一旦资料或数据被储存进去之后，所存入的资料或数据不会因为电源供应的中断而消失，因此又称为非易失性存储器(non-vo...
【技术保护点】
一种利用氮化物只读存储器（ｎｉｔｒｉｄｅ ｒｅａｄ ｏｎｌｙ ｍｅｍｏｒｙ，ＮＲＯＭ）建立只读存储器（ＲＯＭ）与非易失性存储器（ｎｏｎ－ｖｏｌａｔｉｌｅ ｍｅｍｏｒｙ）的系统整合芯片（ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ ｃｈｉｐ，ＳＯＣ）的制作方法，该系统整合芯片包含一定义有一存储器区以及一周边电路区的基底（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ），且该存储器区包含一非易失性存储器区以及一只读存储器区，而该只读存储器区又包含有至少一低起始电压（ｌｏｗ ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ，ｌｏｗ Ｖｔ）元件区与一高起始电压（ｈｉｇｈ ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ，ｈｉｇｈ Ｖｔ）元件区，该系统整合芯片的制作方法包含有...
【技术特征摘要】
1.一种利用氮化物只读存储器(nitride read only memory，NROM)建立只读存储器(ROM)与非易失性存储器(non-volatile memory)的系统整合芯片(system on chip，SOC)的制作方法，该系统整合芯片包含一定义有一存储器区以及一周边电路区的基底(substrate)，且该存储器区包含一非易失性存储器区以及一只读存储器区，而该只读存储器区又包含有至少一低起始电压(low threshold，low Vt)元件区与一高起始电压(highthreshold，high Vt)元件区，该系统整合芯片的制作方法包含有下列步骤在该基底表面形成多个绝缘物，以分别隔离该周边电路区、该非易失性存储器区以及该只读存储器区，并定义出各元件的有源区域；在该基底表面形成一由一底氧化层、一氮化硅层以及一上氧化层所构成的ONO(bottom oxide-nitride-top oxide)介电结构层；在该ONO介电层表面形成一第一光阻层，并进行一第一黄光处理以定义出多条比特线(bit line)的位置；利用该第一光阻层作为遮罩(mask)来进行一第一蚀刻处理，以去除未被该第一光阻层所覆盖的该ONO介电层；进行一第一离子布植处理，以在该基底中形成多个N型掺杂区，并形成该存储器区中的各该比特线；去除该第一光阻层；进行一第二蚀刻处理，去除该周边电路区上的该ONO介电层；进行一第二离子植入处理，用来调整该周边电路区的晶体管的起始电压(threshold voltage)；进行一第三蚀刻处理，去除该只读存储器区上的该ONO介电层；进行一热氧化法(thermal oxidation)，以在各该比特线表面形成一埋藏漏极氧化层(buried drain oxide layer)，并在该只读存储器区以及该周边电路区上分别形成该低起始电压元件、该高起始电压元件以及该周边电路晶体管的门极氧化层；在该基底表面依序形成一多晶硅层以及一第二光阻层，并利用一第二黄光处理，以在该第二光阻层中定义出该存储器区中的多条字线与该周边电路区中的各该周边电路晶体管的多个门极的位置；进行一第四蚀刻处理，去除未被该第二光阻层所覆盖的该多晶硅层，以同时形成该存储器区中的各该字线与该周边电路区的各该周边电路晶体管的各该门极，而在该非易失性存储器区上形成至少一氮化物只读存储器，并在该只读存储器区的该低起始电压(low Vth)元件区以及该高起始电压(high Vth)元件区分别形成一低起始电压元件...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖二琨，陈盈佐，刘建宏，潘锡树，黄守伟，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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