一种双重金属镶嵌结构的制造方法，在具有双重金属镶嵌开口的半导体结构上形成阻障层与一层晶种层且覆盖此双重金属镶嵌开口；然后在晶种层上形成一层保护层且填满此双重金属镶嵌开口；并以晶种层为蚀刻终止层对保护层进行回蚀；接着去除暴露出的铜晶种层，...

一种罩幕式只读存储器的制造方法，首先在一基底上形成埋入式位线，再在基底上形成栅极介电层与字符线，其中字符线与埋入式位线垂直。此时位于一对埋入式位线之间，并位于一条字符线下方的部分的基底作为一存储单元。接着在基底上覆盖第一介电层，再在第一...

一种自行对准罩幕式只读存储器的制造方法，在基底上形成具有一栅极介电层、一栅极导体层、一栅极顶盖层的栅极堆栈，在该堆栈之间的基底中形成与栅极堆栈不相邻的复数个源极／漏极区。然后，依次在基底上形成第一介电层及具有复数个开口的图案化光阻层。以...

一种氮化硅只读存储器的制造方法，首先，在提供的基底上依次形成一第一氧化层与一氮化硅层；之后，图案化氮化硅层与第一氧化层，以形成一开口而暴露出部分基底；接着，进行一氧化过程，以在氮化硅层上形成一第二氧化硅层，并同时在开口所暴露的基底上形成...

一种浅沟道隔离结构的制造方法，此方法包括：提供一个已形成有垫氧化层、罩幕层的基底，且在基底中形成有复数个沟道，在基底上形成绝缘层以填满沟道并覆盖整个基底，再在绝缘层上形成牺牲层，然后以干式回蚀刻法完全去除牺牲层，并去除绝缘层至一预定厚度...

一种Ｎ型掺杂多晶硅的制造方法，此方法是在化学气相沉积反应室中通入反应气体源、Ｎ型掺杂气体源以及催化剂气体源，然后进行一个化学气相沉积工艺步骤，以形成Ｎ型掺杂多晶硅薄膜。

一种通过沉积物与光阻产生交联反应以减少光阻粗糙度的方法，此方法包括对具有光阻图案的一个基底依序进行一个曝光步骤与一个曝光后烘烤步骤，使光阻图案表面活性化。接着，在光阻图案的表面覆盖一层材料层，此材料层会与光阻图案表面产生交联反应形成一层...

一种半导体晶片的清洗方法，此方法提供一晶片，以浓度随清洗时间的增加而降低的一化学清洗液清洗晶片，以及用去离子水清洗晶片，去除残留在晶片表面的化学清洗液。

一种金氧半导体晶体管的制造方法，首先在已形成栅极及其侧壁的间隙壁的基底上进行一源／漏极离子植入，形成源／漏极区；接着在栅极与源／漏极区表面形成自行对准的金属硅化层；随后去除部分间隙壁，形成一锐角间隙壁；再对基底进行倾斜口袋离子植入，形成...

一种金氧半导体晶体管的制造工艺，是在一基底上依次形成栅极介电层与多晶硅层，再将氮离子植入多晶硅层与栅极介电层接触的区域中。接着，进行回火步骤，以使多晶硅层中的多晶硅晶粒变大，接着图案化多晶硅层，以形成栅极，再将掺质植入栅极两侧的基底中，...

一种金氧半导体晶体管的制造方法，首先对已形成栅极及其侧壁的间隙壁的基底进行一源／漏极离子植入，在间隙壁侧边的基底内形成源／漏极区；接着在栅极与源／漏极区表面形成自行对准金属硅化层；随后去除部分间隙壁，以形成剖面大致呈三角形的一锐角间隙壁...

一种闪存的结构，其结构包括一层穿隧氧化层、一个浮置栅极、一层介电叠层、一个控制栅极和一个源极／漏极区，其中介电叠层是由一层第一氧化层、一层高介电常数材质的介电层与一层第二氧化层依次堆栈而成，且配置在浮置栅极与控制栅极之间；而浮置栅极配置...

一种闪存的结构，此结构包括一个电子陷入层、一个栅极与一个源极／漏极区，其中，电子陷入层是由一层第一氧化层、一层高介电常数材质的介电层与一层第二氧化层依序堆栈而成；而栅极配置在电子陷入层上；源极／漏极区则是配置在电子陷入层两侧的基底之中。...

本发明提供一种用于晶片刻蚀机的操作方法，该操作方法包含有在一预热阶段对该晶片刻蚀机施加一第一功率以缩短该晶片刻蚀机的预热时间，在一刻蚀阶段对该晶片刻蚀机施加一低于该第一功率的第二功率以对一晶片进行刻蚀，以及在一清洗阶段对该晶片刻蚀机施加...

本发明提供一种在一半导体晶片的基板上制作一金属氧化物半导体（ＭＯＳ）晶体管并能防止该ＭＯＳ晶体管发生栅极贫化现象的方法。该方法是先在该基板表面形成一氧化硅层，接着于该氧化硅层表面上形成一非晶硅层，然后在该非晶硅层表面形成一多晶锗化硅（Ｓ...

本发明提供一种在一半导体晶片上制作一ＮＭＯＳ晶体管以及一ＰＭＯＳ晶体管的方法。该方法先在一半导体晶片的硅基板表面形成一氧化硅层，接着进行一原位掺杂化学气相沉积工艺，以便在该氧化硅层表面形成一多晶锗化硅（Ｓｉ↓［１－ｘ］Ｇｅ↓［ｘ］，ｘ＝...

本发明是关于一种浅沟渠隔离结构的制造方法，此方法提供一个基底，首先在基底上依序形成垫氧化层、罩幕层，再除去部份垫氧化层、罩幕层以及基底，以在基底中形成沟渠。接着，以具有较高蚀刻／沉积比的高密度等离子体化学气相沉积工艺，进行第一阶段的绝缘...

本发明是关于一种浅沟渠隔离结构的制造方法，此方法提供一个基底，首先在基底上依序形成垫氧化层以及罩幕层，再定义此基底，以在基底中形成沟渠。接着，用具备高蚀刻／沉积比的高密度等离子体化学气相沉积工艺，其中高密度等离子体化学气相沉积工艺的蚀刻...

本发明是有关于一种氮化硅只读存储器的制造方法。是在基底上依序形成一捕捉层，接着，在基底上形成已图案化的光阻层，以光阻层为罩幕，进行口袋离子植入步骤，将第一型掺质植入基底的源极／汲极区中，再移除部分捕捉层以使捕捉层图案化，最后进行源极／汲...

一种抑制存储器阵列位线间漏电的方法，其基本概念有三：一是利用Ｐ－注入抑制位线（ｂｉｔ ｌｉｎｅｓ）之间因间隙壁蚀刻损坏（ｅｔｃｈｉｎｇ ｄａｍａｇｅ）所造成的漏电；二是该Ｐ－注入步骤是在间隙壁蚀刻步骤之后实施，因此其注入区域较为局限...