半导体晶片的清洗方法技术

一种半导体晶片的清洗方法，此方法提供一晶片，以浓度随清洗时间的增加而降低的一化学清洗液清洗晶片，以及用去离子水清洗晶片，去除残留在晶片表面的化学清洗液。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是有关于一种半导体清洗方法，且特别是有关于一种。在集成电路元件的制造过程中，最频繁的的工艺步骤就是晶片洗净。晶片洗净的目的就是为了去除附着于晶片表面上的有机化合物、金属杂质或微粒(Particle)。而这些污染物对产品后续步骤的影响非常大。金属杂质的污染会造成p-n结漏电、缩减少数载子的生命期、降低栅极氧化层的崩溃电压。微粒的附着则会影响微影工艺图案转移的真实性，甚至造成电路结构的短路。因此，在晶片清洗过程中，必须有效的去除附着于晶片表面的有机化合物、金属杂质以及微粒(Particle)，同时在清洗后晶片表面必须没有原生氧化层(Native Oxide)，表面粗糙度要极小。为了清除附着于晶片表面上的有机化合物、金属杂质或微粒，一般是使用含有酸性药剂或碱性药剂的化学清洗液清洗晶片，而目前业界最广泛采用的是RCA晶片洗净工艺。在RCA晶片洗净工艺中，通常是先使用SC1清洗液(NH4OH/H2O2/H2O＝1∶1∶5)简称APM，在温度75℃至85℃的条件下清洗晶片，以去除附着于晶片表面的有机化合物、微粒。之后进行快速清洗过程，以大量去离子水清洗晶片，以去除残留在晶片表面的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体晶片的清洗方法，其特征在于：该方法包括： 提供一晶片； 将该晶片置于一洗净槽中； 持续提供浓度随时间的增加而降低的一化学清洗液于该洗净槽中以清洗该晶片； 以去离子水清洗该晶片，去除残留在该晶片表面的该化学清洗液。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体晶片的清洗方法，其特征在于该方法包括提供一晶片；将该晶片置于一洗净槽中；持续提供浓度随时间的增加而降低的一化学清洗液于该洗净槽中以清洗该晶片；以去离子水清洗该晶片，去除残留在该晶片表面的该化学清洗液。2.根据权利要求1所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于使该化学清洗液的浓度随清洗时间的增加而降低的方法包括将该化学清洗液的清洗时间划分为M个时间区段，M为大于1的正整数；使第N个时间区段的该化学清洗液的浓度低于第N-1个时间区段的该化学清洗液，N为小于M大于1的正整数。3，根据权利要求1所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于该化学清洗液至少包括一表面活性剂。4.根据权利要求1所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于该化学清洗液至少包括一氧化剂。5.根据权利要求1所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于该化学清洗液包括氨水/过氧化氢/去离子水的混合溶液。6.根据权利要求1所述的半导体晶片的清洗方法，其特征在于该化学清洗液包括氢氯酸/过氧化氢/去离子水的混合溶液。7.一种半导体晶片的清洗方法，其特征在于该方法包括提供一晶片；以至少包括一化学药剂的一清洗液清洗该晶片，且该清洗液的该化学药剂浓度随清洗时间的增加而降低；以去离子水清洗该晶片，去除残留在...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈中泰，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]