浅沟渠隔离结构的制造方法技术

本发明专利技术是关于一种浅沟渠隔离结构的制造方法，此方法提供一个基底，首先在基底上依序形成垫氧化层、罩幕层，再除去部份垫氧化层、罩幕层以及基底，以在基底中形成沟渠。接着，以具有较高蚀刻／沉积比的高密度等离子体化学气相沉积工艺，进行第一阶段的绝缘层沉积。然后，用具有较低蚀刻／沉积比的高密度等离子体化学气相沉积工艺，进行第二阶段的绝缘层沉积，以在该基底上形成填满沟渠的绝缘层。在除去沟渠外的绝缘层后，再依序除去罩幕层以及垫氧化层，以形成浅沟渠隔离结构。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种电绝缘(Electrically insulating)结构的制造方法，且特别是有关于一种浅沟渠隔离(Shallow Trench Isolation，STI)结构的制造方法。由于高密度等离子体化学气相沉积(High Density Plasma ChemicalVapor Deposition，HDPCVD)法具备有“蚀刻”与“沉积”两个功能，因此在进行沉积的同时，也会进行将沉积物剥落的蚀刻反应，使得高密度等离子体化学气相沉积法具有良好的填沟(Gap filling)能力，也因此应用在形成浅沟渠隔离结构中的氧化硅绝缘层。公知形成浅沟渠隔离结构的方法如下所述，请参照图1A，首先提供一个基底100，再在基底100上依次形成垫氧化层102、氮化硅罩幕层104。接着，以非等向性蚀刻除去部份的氮化硅罩幕层104、垫氧化层102以及基底100，以形成沟渠106。其中沟渠106在基底100的顶角处形成圆角结构108，形成圆角结构108的原因是因为尖角结构在后续形成栅氧化层时，在尖角部位的栅氧化层的厚度将会不够而造成漏电。而圆角结构108可形成厚度均匀的栅氧化层，以避免本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征为：包括下列步骤： 提供一基底； 在该基底上形成一垫氧化层； 在该垫氧化层上形成一罩幕层； 在该基底中形成一沟渠，该沟渠的一顶角已被圆角化； 进行一高密度等离子体化学气相沉积工艺，以在该基底上形成一绝缘层，该绝缘层覆盖该罩幕层并且填满该沟渠，并且该高密度等离子体化学气相沉积工艺区分为一第一阶段以及一第二阶段，其中，该第二阶段的蚀刻／沉积比低于该第一阶段的蚀刻／沉积比； 除去该沟渠外的该绝缘层； 除去该罩幕层；以及 除去该垫氧化层，以形成浅沟渠隔离结构。

【技术特征摘要】
1.一种浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征为包括下列步骤提供一基底；在该基底上形成一垫氧化层；在该垫氧化层上形成一罩幕层；在该基底中形成一沟渠，该沟渠的一顶角已被圆角化；进行一高密度等离子体化学气相沉积工艺，以在该基底上形成一绝缘层，该绝缘层覆盖该罩幕层并且填满该沟渠，并且该高密度等离子体化学气相沉积工艺区分为一第一阶段以及一第二阶段，其中，该第二阶段的蚀刻/沉积比低于该第一阶段的蚀刻/沉积比；除去该沟渠外的该绝缘层；除去该罩幕层；以及除去该垫氧化层，以形成浅沟渠隔离结构。2.如权利要求1所述的浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征为该第一阶段的蚀刻/沉积比为0.15至0.6左右，该第二阶段的蚀刻/沉积比为0.02至0.15左右。3.如权利要求2所述的浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征为该第一阶段的操作功率为2700W至4500W左右的低频射频以及2700W至4000W左右的高频射频，且反应气体源为硅甲烷、氧气以及氮气。4.如权利要求3所述的浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征为该第一阶段的硅甲烷的流量为80sccm至150sccm左右，氧气的流量为120sccm至210sccm左右，以及氦气的流量为180sccm至280sccm左右。5.如权利要求2所述的浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征为该第二阶段的操作功率为3700W至5000W左右的低频射频以及1400W至2700W左右的高频射频，且反应气体源为硅甲烷、氧气以及氮气。6.如权利要求5所述的浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征为该第二阶段的硅甲烷的流量为100sccm至200sccm左右，氧气的流量为180sccm至280sccm左右，以及氦气的流量为350sccm至460sccm左右。7.一种浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征为包括下列步骤提供一基底；在该基底上形成一垫氧化层；在该垫氧化层上形成一罩幕层；在该基底中形成一沟渠；以一第一高密度等离子体化学...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘婉懿，张炳一，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]