【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种口袋型掺杂区(pocket doping region)的形成方法，且特别是有关于一种利用热扩散法形成口袋型掺杂区的。公知的浮置栅大多由多晶硅所构成，在半导体元件集成度提高的同时，会伴随着发生漏电的问题，因此，公知的解决方法是利用氧化硅-氮化硅-氧化硅所形成的捕捉层(Trapping Layer)结构取代浮置栅，以利用热载体注入的方式，使载体储存在绝缘的氮化硅中，达到资料储存的目的。以氧化硅-氮化硅-氧化硅作为捕捉层的存储元件，依照其操作的方式可以称为氮化硅只读存储器(Nitride Read Only Memory，NROM)、ONO EEPROM或称为SONOS元件。公知氮化硅只读存储器元件包括一基底，在此基底上具有氧化硅/氮化硅/氧化硅结构(ONO)，其组成依序为下氧化层、氮化硅层与上氧化硅介电层。在氧化硅/氮化硅/氧化硅结构上方形成栅极导体层。在氧化硅/氮化硅/氧化硅结构两侧的基底中具有源极/汲极区。在氧化硅/氮化硅/氧化硅结构下方且位于源极/汲极区之间具有一信道区。此外，在氧化硅/氮化硅/氧化硅层结构两侧下方与源极/汲极区相邻...
【技术保护点】
一种氮化硅只读存储器的制造方法，其特征为：该方法包括： 提供一基底； 在该基底上形成一捕捉层，该捕捉层由一氧化层、位于该氧化层上的一氮化物层及位于该氮化物层上的一介电层所构成； 在该基底上形成已图案化的一光阻层，其中该光阻层所覆盖的该捕捉层下方的部分该基底区域定义为一信道区，裸露的该捕捉层下方的部分该基底区域定义为一源极／汲极区； 以该光阻层为罩幕，进行一口袋离子植入步骤，将一第一型掺质植入该基底的该源极／汲极区中； 以该光阻层为罩幕，移除部分该捕捉层，以使该捕捉层图案化； 以该光阻层为罩幕，进行一源极／汲极离子植入步骤，将一第二型掺质植...
【技术特征摘要】
1.一种氮化硅只读存储器的制造方法，其特征为该方法包括提供一基底；在该基底上形成一捕捉层，该捕捉层由一氧化层、位于该氧化层上的一氮化物层及位于该氮化物层上的一介电层所构成；在该基底上形成已图案化的一光阻层，其中该光阻层所覆盖的该捕捉层下方的部分该基底区域定义为一信道区，裸露的该捕捉层下方的部分该基底区域定义为一源极/汲极区；以该光阻层为罩幕，进行一口袋离子植入步骤，将一第一型掺质植入该基底的该源极/汲极区中；以该光阻层为罩幕，移除部分该捕捉层，以使该捕捉层图案化；以该光阻层为罩幕，进行一源极/汲极离子植入步骤，将一第二型掺质植入该基底中的该源极/汲极区中；去除该光阻层；以该捕捉层为罩幕，进行一热工艺，以使该源极/汲极区的该基底表面形成一埋入式源极/汲极氧化层，同时使该第二型掺质在该埋入式源极/汲极氧化层下方形成一埋入式源极/汲极，该第一型掺质因热扩散而在该埋入式源极/汲极周缘的该信道区边缘形成一口袋型掺杂区；以及在该基底上形成一导体栅极。2.如权利要求1所述的氮化硅只读存储器的制造方法，其特征为该第一型掺质为P型，该第二型掺质为N型。3.如权利要求2所述的氮化硅只读存储器的制造方法，其特征为该第一型掺质选自于硼离子或BF2之一。4.如权利要求2所述的氮化硅只读存储器的制造方法，其特征为该口袋离子植入步骤的该第一型掺质为硼离子，且其剂量为5.0×1012/cm2～1.0×1013/cm2左右，能量为40KeV～60KeV左右。5.如权利要求2所述的氮化硅只读存储器的制造方法，其特征为该第二型掺质选自于砷离子与磷离子所组成的族群之一。6.如权利要求2所述的氮化硅只读存储器的制造方法，其特征为该源极/汲极离子植入步骤的该第二型掺质为砷离子，且其剂量为2.0×1015/cm2～4....
【专利技术属性】
技术研发人员：宋建龙，陈家兴，刘振钦，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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