罩幕式只读存储器的制造方法技术

一种罩幕式只读存储器的制造方法，首先在一基底上形成埋入式位线，再在基底上形成栅极介电层与字符线，其中字符线与埋入式位线垂直。此时位于一对埋入式位线之间，并位于一条字符线下方的部分的基底作为一存储单元。接着在基底上覆盖第一介电层，再在第一介电层中形成数个编码窗口，位于部分的存储单元的上方。然后在编码窗口下方的存储单元中植入一离子，再在基底上形成第二介电层以填满所有编码窗口。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体工艺方法(Semiconductor Process)，且特别涉及一种罩幕式只读存储器(Mask ROM)的制造方法。在各种只读存储器中，罩幕式只读存储器是结构与工艺最为简单的，其存储单元(Memory Cell)的基本结构是一金氧半导体晶体管(MOSTransistor)，而在程序化时是在其栅极(Gate)下方的信道区(Channel)中植入离子，以改变其启始电压(Threshold Voltage，VT)。罩幕式只读存储器即是以存储单元的启始电压来代表其中的资料值，且读取时是以一定栅极电压下存储单元的信道开、关来决定其资料值，而此信道的开、关是由此存储单元本身的启始电压来决定的。公知技术的请参照附图说明图1A～1C。如图1A所示，首先在基底100上形成埋入式位线110(走向垂直纸面)及其上方的隔离氧化层120，再在基底100上形成栅极氧化层130。然后形成走向与埋入式位线110垂直的字符线140，此时位于一对埋入式位线110之间，且位于一条字符线140下方的部分的基底100即作为一存储单元144。请参照图1B，接下来进行编码步骤，其是先在基底上形成图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于：包括下列步骤： 提供一基底； 在该基底第一方向上形成复数条埋入式位线； 在该基底上形成复数个栅极介电层，并在第二方向上形成复数条字符线，而位于该些埋入式位线之间，且以该等字符线下方的该基底部分作为复数个存储单元； 在该基底上覆盖一第一介电层； 在该第一介电层中形成复数个编码窗口，该些编码窗口位于一预定部分的该等存储单元的上方； 在该些编码窗口的侧壁形成复数个间隙壁； 以该第一介电层与该些间隙壁为罩幕，在该些编码窗口下方的该些存储单元中植入一离子； 在该基底上形成一第二介电层以填满该些编码窗口。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于包括下列步骤提供一基底；在该基底第一方向上形成复数条埋入式位线；在该基底上形成复数个栅极介电层，并在第二方向上形成复数条字符线，而位于该些埋入式位线之间，且以该等字符线下方的该基底部分作为复数个存储单元；在该基底上覆盖一第一介电层；在该第一介电层中形成复数个编码窗口，该些编码窗口位于一预定部分的该等存储单元的上方；在该些编码窗口的侧壁形成复数个间隙壁；以该第一介电层与该些间隙壁为罩幕，在该些编码窗口下方的该些存储单元中植入一离子；在该基底上形成一第二介电层以填满该些编码窗口。2.根据权利要求1所述的罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于该第一方向与该第二方向垂直。3.根据权利要求1所述的罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于形成该些埋入式位线的方法包括下列步骤在该基底上形成一罩幕层；在该罩幕层中形成复数个沟道；在该些沟道所暴露出的该基底中植入离子，以形成复数条埋入式位线；氧化该些沟道所暴露出的该基底，以在每一条埋入式位线上形成一隔离氧化层；除去该罩幕层。4.根据权利要求1所述的罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于还包括在该基底上覆盖该第一介电层之后，平坦化该第一介电层的步骤。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛正诚，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]