浅沟渠隔离结构的制造方法技术

本发明专利技术是关于一种浅沟渠隔离结构的制造方法，此方法提供一个基底，首先在基底上依序形成垫氧化层以及罩幕层，再定义此基底，以在基底中形成沟渠。接着，用具备高蚀刻／沉积比的高密度等离子体化学气相沉积工艺，其中高密度等离子体化学气相沉积工艺的蚀刻／沉积比为０．１５至０．６左右，在基底上形成覆盖基底并填满沟渠的绝缘层。然后除去沟渠外的绝缘层，再依序除去罩幕层以及垫氧化层，以形成浅沟渠隔离结构。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种电绝缘(Electrically insulating)结构的制造方法，且特别是有关于一种浅沟渠隔离(Shallow Trench Isolation，STI)结构的制造方法。由于高密度等离子体化学气相沉积(High Density Plasma ChemicalVapor Deposition，HDPCVD)法具备有“蚀刻”与“沉积”两个功能，因此在进行沉积的同时，也会进行将沉积物剥落的蚀刻反应，使得高密度等离子体化学气相沉积法具有良好的填沟(Gap filling)能力，也因此应用在形成浅沟渠隔离结构中的氧化硅绝缘层。公知形成浅沟渠隔离的方法如下所述，请参照附图说明图1A，首先提供一个基底100，再在基底100上依次形成垫氧化层102、氮化硅罩幕层104。接着，以非等向性蚀刻法除去部份的氮化硅罩幕层104、垫氧化层102以及基底100，以形成沟渠106。而且，在沟渠106的顶角处形成圆角结构108。形成圆角结构108的原因是因为公知的尖角结构在后续形成栅氧化层时，在尖角部位的栅氧化层厚度将会不够而造成漏电。而圆角结构108可避免后续形成的栅氧化层发生厚本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征为：包括下列步骤：提供一基底；在该基底上形成一垫氧化层；在该垫氧化层上形成一罩幕层；定义该基底，在该基底中形成一沟渠，该沟渠的一顶角已被圆角化；以一高密度等离子体化学气相沉积工艺，在该 基底上形成一绝缘层以覆盖该基底并填满该沟渠，其中该高密度等离子体化学气相沉积工艺的蚀刻／沉积比为０．１５至０．６左右；除去该沟渠外的该绝缘层；除去该罩幕层；以及除去该垫氧化层，以形成浅沟渠隔离结构。

【技术特征摘要】
1.一种浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征为包括下列步骤提供一基底；在该基底上形成一垫氧化层；在该垫氧化层上形成一罩幕层；定义该基底，在该基底中形成一沟渠，该沟渠的一顶角已被圆角化；以一高密度等离子体化学气相沉积工艺，在该基底上形成一绝缘层以覆盖该基底并填满该沟渠，其中该高密度等离子体化学气相沉积工艺的蚀刻/沉积比为0.15至0.6左右；除去该沟渠外的该绝缘层；除去该罩幕层；以及除去该垫氧化层，以形成浅沟渠隔离结构。2.如权利要求1所述的浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征为该高密度等离子体化学气相沉积工艺的操作温度为摄氏550度至700度左右。3.如权利要求1所述的浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征为在该高密度等离子体化学气相沉积工艺中，低频射频的操作功率为2700W至4500W左右。4.如权利要求1所述的浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征为在该高密度等离子体化学气相沉积工艺中，高频射频的操作功率为2700W至4000W左右。5.如权利要求1所述的浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征为在该高密度等离子体化学气相沉积工艺所使用的一反应气体源包括硅甲烷、氧气以及氮气。6.如权利要求5所述的浅沟渠隔离结构的制造方法，其特征为该反应气体源的硅甲烷流量为80sccm至150sccm左右，氧气流量为120sccm至210sccm左右，以及氦气流量为180sccm至280sccm左右。7.一种浅...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘婉懿，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]