通过沉积物与光阻产生交联反应以减少光阻粗糙度的方法技术

一种通过沉积物与光阻产生交联反应以减少光阻粗糙度的方法，此方法包括对具有光阻图案的一个基底依序进行一个曝光步骤与一个曝光后烘烤步骤，使光阻图案表面活性化。接着，在光阻图案的表面覆盖一层材料层，此材料层会与光阻图案表面产生交联反应形成一层修补层，而填补光阻图案的凹凸不平区域。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是有关于一种减少光阻粗糙度的方法，特别是有关于一种。光刻术(Photolithography)可说是整个半导体工艺中，最重要的步骤之一。凡是与MOS组件结构相关的，如各层薄膜的图案(Pattern)及掺杂(Doping)的区域，都由光刻术步骤来决定。而且在要求电路集成化越来越高的情况下，整个电路组件大小的设计也被迫不停往尺寸缩小的方向前进，是否能继续的往更小的线宽进行，也决定于光刻术工艺技术的发展。一般光刻术工艺，包括光阻涂布(Coating)、软烤(Soft Bake)或称曝光前烘烤(Pre-Exposure Bake)、曝光(Exposure)、曝光后烘烤(PostExposure Bake)、显影(Developer)以及硬烤(Hard Bake)等步骤。其中，在进行显影工艺步骤时，利用显影液移除不需要的光阻层，而使光阻层所转移的图案显现出来，如附图说明图1所示，在基底100上形成光阻图案102。但是此光阻图案102的边缘(Line Edge)表面104会非常粗糙(Roughness)，因而影响转移图案的精确性，进而影响关键尺寸(CriticalDimensio本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过沉积物与光阻产生交联反应以减少光阻粗糙度的方法，该方法包括：提供一个基底；在该基底上形成一个光阻图案，其特征在于：该光阻图案的表面具有光酸；在该光阻图案表面覆盖一层材料层，该材料层与该光阻图案表面的光酸产生交联反应形成一层修补层，而填补该光阻图案的凹凸不平表面。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种通过沉积物与光阻产生交联反应以减少光阻粗糙度的方法，该方法包括提供一个基底；在该基底上形成一个光阻图案，其特征在于该光阻图案的表面具有光酸；在该光阻图案表面覆盖一层材料层，该材料层与该光阻图案表面的光酸产生交联反应形成一层修补层，而填补该光阻图案的凹凸不平表面。2.根据权利要求1所述的通过沉积物与光阻产生交联反应以减少光阻粗糙度的方法，其特征是该材料层的材质为选自六甲基二硅氨烷、双(二甲基氨基)二甲基甲硅烷与二甲基甲硅烷基二乙胺所组成的族群其中之一。3.根据权利要求1所述的通过沉积物与光阻产生交联反应以减少光阻粗糙度的方法，其特征是形成该材料层的方法为化学气相沉积法、涂布法和喷洒法其中的一种方法。4.根据权利要求1所述的通过沉积物与光阻产生交联反应以减少光阻粗糙度的方法，其特征是该光阻图案为选自正光阻与负光阻所组成的族群其中之一。5.一种通过沉积物与光阻产生交联反应以减少光阻粗糙度的方法，该方法包括提供已形成一光阻图案的一个基底，其特征在于活化该光阻图案表面，以增加该光阻图案表面的光酸浓度；在该光阻图案的表面覆盖一层材料层，该材料层与该光阻图案表面的光酸产生交联反应形成一层修补层，而填补该光阻图...

【专利技术属性】
技术研发人员：林顺利，谢季芳，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]