一种应用于高压输入垫的静电放电保护元件，作为一两阶段保护电路中的一第二元件，其特征是，该静电放电保护元件包括：　　　　一基底；　　　　一第一ＭＯＳ晶体管，配置在该基底上，其中该第一ＭＯＳ晶体管包括一第一栅极、一第一源极以及一第一漏极，且...

一种组件，系应用于混合式电源的集成电路（ｍｉｘｅｄ　　ｐｏｗｅｒ　　ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　　ｃｉｒｃｕｉｔｓ）上，并用以耦接于不同的电源供应总线之间。此组件包括一二极管以及与此二极管串联的晶体管。晶体管系具有主动Ｐ型保护环（ａｃｔｉｖｅ...

一种静电放电保护电路，适用于具有第一电压源与第二电压源的集成电路中，包括第一半导体硅控整流器、第二半导体硅控整流器、以及寄生二极管。第一半导体硅控整流器的第一控制闸极与电压源相接。而上述的第二半导体硅控整流器的第二控制闸极也与上述的电压...

一种ＥＳＤ防护电路，连接于一输入垫以及一内部电路。静电放电防护电路包括主要ＥＳＤ防护组件、第一电阻及次要组件。主要ＥＳＤ防护组件连接于输入垫，用以箝制输入垫之电压。第一电阻具有一第一端用以连接输入垫，以及一第二端用以连接至内部电路。次要...

一种具有屏蔽效应的半导体存储器，至少包括：多条字符线，各该字符线平行排列；一接地线控制单元；以及多个存储单元，各该存储单元包括：一主位线，与这些字符线交错垂直排列，由一控制信号而致能；一接地线，与该接 ...

一种不同层次的曝光方法，以一微影机台对一芯片进行多层次曝光，该芯片具有多数集成电路层，其特征在于：该方法包括下列步骤：（Ａ）将一具有多数相异线路图像的光罩定位于该微影机台上；（Ｂ）将该芯片定位于该微影机台上； ...

一种调整记忆体单元临界电压的方法，其特征在于其包括：对一薄膜施加能量，该薄膜由能够改变临界电压的材料构成。

一种半导体元件的结构，可有效减少芯片封装时因引线键合而造成的破裂，其中，该半导体元件的结构包括：一基材；一层间介电层，形成于该基材上；一第一金属层，形成于该层间介电层上；一第二金属层，位于该第一金属层上方，且 ...

一种光感测芯片封装结构，包括一导线架、一光感测芯片、数条导线、一封胶体及一透明板。光感测芯片具有相对的一作用面及一非作用面，作用面具有一中央光感测区部分与一周边部分，周边部分具有数个焊垫。导线架包含数个引脚及数个芯片支撑架，芯片支撑架是...

一种具有小的且与硫属化合物记忆单元有效连接的水平电极。截面积的范围是由一般的沉积／蚀刻半导体制程步骤来控制。最后产生出的记忆单元则可以藉由互补式金氧半导体操作单元来驱动。

本发明是有关于一种的铁电存储器的使用方法、集成电路，以及生产方法，本方法是利用一个状态引擎控制铁电存储器，从多个数据值中接收一个数据值，其中不同的数据值对应到不同的特定持续时间。藉由在特定持续时间中提供电压给铁电记忆胞，将对应于此选定的...

本发明是有关于一种相转移元件及其制造方法与相转移记忆胞。该相转移元件，包含一第一接触电极结构，一相转移材料及介于该相转移材料与该第一接触电极结构之间之一第一绝缘材料，以及与该相转移材料接触的一第二接触电极。也包含形成于介于该第一接触电极...

一种电荷储存存储单元（如ＮＲＯＭ或浮置栅极快闪存储单元）的自收敛编程电路和方法。该方法包括：从两个以上的待存储于存储单元的数据值中确定一个数据值，并将一组预定栅极电压电平中对应所述确定数据值的一个栅极电压施加到控制栅极。控制编程参数，建...

本发明是关于一种可电性擦除且可程序化的只读记忆胞及其程序化方法，该可电性擦除且可程序化的只读记忆胞是由堆叠层、闸极导电层、第一源极／汲极区、第二源极／汲极区、第一口袋植入掺杂区与第二口袋植入掺杂区所构成。其中，堆叠层配置在基底上。此外，...

防止存储器阵列读取边限缩小的系统与方法，包括：一超循环氮化物只读存储器（ＮＲＯＭ）元件耦合至一ＮＲＯＭ阵列，使得当ＮＲＯＭ阵列中的ＮＲＯＭ元件被抹除时，该超循环ＮＲＯＭ元件的两个位也被抹除，随后程序化该超循环ＮＲＯＭ元件的右侧位，以便从...

一种等离子体损害保护电路，包括具有避免等离子体损害特性的一字线驱动器。当制造中等离子体处理于字在线产生电荷时，电荷可由字线通过至少字线驱动器传导至半导体衬底。另一等离子体损害保护电路包括连接多个字线驱动器的一组件。当制造中等离子体处理于...

一种具有高纵横比的ＰＮ接合的半导体元件，包括导体层。此半导体元件还包括形成于导体层上的多个第一掺杂区。掺杂区的侧壁经过掺杂而形成ＰＮ接合。此半导体元件还包括位于第一掺杂区上的多个第二掺杂区。

一种减少电荷陷入层存储单元中栅极干扰的方法，它是通过施加不同的Ｖｐａｓｓ电压于所选择的字线的不同侧。较高的Ｖｐａｓｓ电压用于通过较高的源极／漏极电压以及较低的Ｖｐａｓｓ电压用于通过较低的源极／漏极电压。当施加Ｖｐａｓｓ电压时，可通过控制...

一种减少字元线片电阻的方法，此方法是形成具有较低片电阻的记忆体字元线。在一实施例中，利用第一前驱气体流量在一半导体基底上沉积一第一多晶硅部。利用第二前驱气体流量沉积一第二多晶硅部，其中第二前驱气体流量大于第一前驱气体流量。利用硅烷气体沉...

一种相变记忆胞的制作方法。相变内存单元的一个接触的剖面面积会受下电极的宽度与暴露的长度影响，本方法可以制作非常小的相变记忆胞。