【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电可擦可编程非易失性存储器，尤其涉及具有偏压安排的电荷捕捉(charge trapping)的存储器，其对于读取不同位置的存储单元的电荷捕捉结构相当灵敏。
技术介绍
目前在电子编程及擦除非易失性存储技术中，是以应用在各个领域的电荷储存结构，如已知的电可擦可编程只读存储器(EEPROM)及闪存为主，而一些存储单元结构可用于电可擦可编程只读存储器及闪存。随着集成电路的尺寸缩小，以电荷捕捉介电材料层为主的存储单元结构因其可以量产并且工艺简单，渐渐受到瞩目。以电荷捕捉介电材料层为主的各种存储单元结构如包含已知技术中工业名称为PHINES、NROM及SONOS的结构，这些存储单元结构通过将电荷捕捉至电荷捕捉介电层(如氮化硅层)而储存数据，而当捕捉到相当多的净负电荷时，存储单元的临界电位将会增加。可通过从电荷捕捉层移除净负电荷或加入净正电荷至电荷捕捉层而降低存储单元的临界电位。一般的存储单元依靠反向读取操作来决定存储结构的内容，然而，即使只关注一部份电荷捕捉结构的数据，反向读取技术实际上也会与电荷捕捉结构的多个位置耦合。这样的依赖性限制了电荷捕捉结构，如非易...
【技术保护点】
一种操作非易失性存储器阵列的方法，该非易失性存储器阵列利用电荷储存状态来储存数据，该非易失性存储器包含排列成行的非易失性存储单元，每一个该非易失性存储单元在衬底区域中包含第一和第二载电流节点，并且包含电荷储存结构以及一个或多个介电结构，所述一个或多个介电结构至少一部份在所述电荷储存结构与栅极电压源之间，并且所述一个或多个介电结构至少一部份在所述衬底区域与所述电荷储存结构之间，该方法包括：执行一个或多个存储器操作，在位线上施加位线偏压，包括：使该位线偏压与一行非 易失性存储单元的一个第一端电连接，该行为串联排列，使该行中相邻的存储单元的相邻的所述...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：叶致锴，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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