具有浮置栅的内存组件的制造方法技术

一种具有浮置栅的内存组件的制造方法，提供一个基底，并对基底进行一信道掺杂步骤，以使预定形成的内存组件的实际起始电压值大于预定形成的内存组件的预定起始电压值。接着，依序在基底上形成堆栈栅以及源／漏极区以完成内存组件的制作。通过实际起始电压值的提高，避免漏极开关漏电流的现象。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种内存的制造方法，且特别涉及一种具有浮置栅(Floating gate)的内存组件的制造方法。具有浮置栅结构的内存组件，例如是可电抹除且可程序只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，EEPROM)以及闪存(Flash memory)，在可写入、可抹除、以及断电后仍可保存数据之外，还具有集成度高的优点。因此是个人计算机和电子设备所广泛采用的内存组件。上述具有浮置栅结构的内存组件在进行程序化(Program)时，其中一种方法称为信道热电子注入(Channel hot electron iniection)法，信道热电子注入法是在控制栅(Control gate)上施加正电压(例如是12V)以使信道(channel)打开，同时在漏极上施加一中间水平的电压(例如是6V)以形成从源极至漏极的电场，当源极与漏极间的偏压相当大时，在信道上便会产生过多的热电子，部分的热电子会穿越穿隧氧化层(Tunneling oxide)，由其边缘进入浮置栅以进行程序化。在集成度提高的情况下，使得内存组件中的存储单元配本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有浮置栅的内存组件的制造方法，其特征在于：该方法包括下列步骤： 提供一基底； 对该基底进行一信道掺杂步骤，该信道掺杂步骤使预定形成的该具有浮置栅的内存组件的一实际起始电压值大于预定形成的该具有浮置栅的内存组件的一预定的起始电压值； 在该基底上形成一堆栈栅； 在该基底中形成一源／漏极区。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1. 一种具有浮置栅的内存组件的制造方法，其特征在于该方法包括下列步骤提供一基底；对该基底进行一信道掺杂步骤，该信道掺杂步骤使预定形成的该具有浮置栅的内存组件的一实际起始电压值大于预定形成的该具有浮置栅的内存组件的一预定的起始电压值；在该基底上形成一堆栈栅；在该基底中形成一源/漏极区。2. 根据权利要求1所述的具有浮置栅的内存组件的制造方法，其特征在于该信道掺杂步骤包括一第一井区植入步骤、一第二井区植入步骤、一起始电压调整植入步骤。3. 根据权利要求2所述的具有浮置栅的内存组件的制造方法，其特征在于该第一井区植入步骤包括使用离子植入法，以150至350千电子伏特左右的能量，植入剂量为1×1013至2.5×1013/cm2左右的P型掺质。4. 根据权利要求2所述的具有浮置栅的内存组件的制造方法，其特征在于该第二井区植入步骤包括使用离子植入法，植入能量在100至150千电子伏特左右，植入掺质为P型掺质。5. 根据权利要求2项所述的具有浮置栅的内存组件的制造方法，其中该起始电压调整植入步骤包括使用离子植入法，以20至70千电子伏特左右的能量，植入剂量为5×1012至25×1012/cm2左右的硼离子。6. 根据权利要求2所述的具有浮置栅的内存组件的制造方法，其特征在于该起始电压调整植入步骤包括使用离子植入法，以100至400千电子伏特左右的能量，植入剂量为5×1012至25×1012/cm2左右的BF2。7. 一种降低具有浮置栅的...

【专利技术属性】
技术研发人员：范左鸿，卢道政，蔡文哲，潘正圣，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]