【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及栅控二极管、电池充电组件和发电机组件。一种栅控二极管可以包括均为第一导电类型的源极区域和漏极区域。源极区域直接毗邻半导体管芯的第一表面，并且漏极区域直接毗邻半导体管芯的相对的第二表面。漏极区域包括在半导体管芯的外延层中形成的漂移区域。第二导电类型的基极区域被提供在漏极区域和源极区域之间，该第二导电类型与第一导电类型相反。漂移区域还包括调节区域，该调节区域直接毗邻基极区域并且分布布置在相应基极区域和第二表面之间。调节区域中的净掺杂剂浓度为第二子区域中的净掺杂剂浓度的至少两倍。调节区域精确地定义反向击穿电压。【专利说明】栅控二极管、电池充电组件和发电机组件
本专利技术涉及栅控二极管、电池充电组件和发电机组件。
技术介绍
由汽车的引擎供电的车辆发电机被用于装载汽车电池。电池充电电路的整流器组件对车辆发电机输出的交流电压整流，并且将经整流电池充电电压提供到汽车电池。整流器组件典型地是基于pn 二极管，其提供低正向偏置电压从而最小化功率损耗以及严格定义的反向击穿特性从而在负载突降情况下可靠地保护车辆中的电子电路。期望提供具有改进性能的电池...
【技术保护点】
一种栅控二极管，包括：第一导电类型的源极区域和漏极区域，该源极区域直接毗邻第一表面并且该漏极区域直接毗邻半导体管芯的相对的第二表面，该漏极区域包括在半导体管芯的外延层中形成的漂移区域；与第一导电类型相反的第二导电类型的基极区域，该基极区域被提供在漏极区域和源极区域之间；并且其中该漏极区域包括多个调节区域，该调节区域直接毗邻基极区域其中之一且分别布置在相应基极区域和该第二表面之间，并且具有的净掺杂剂浓度为在毗邻调节区域的漂移区域的部分中的净掺杂剂浓度的至少两倍。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：D阿勒斯，D博纳特，L博鲁基，M聪德尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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