具有闸极堆叠介电层的半导体内存组件的制作方法技术

一种具有闸极堆叠介电层的半导体内存组件的制作方法，它包括：一第一介电层形成于具有一第一导电性的一半导体基底上，一第一导电层形成于第一介电层上，一第二介电层形成于第一导电层上，其中第二介电层依序堆叠形成一第一二氧化硅层、一氮化硅层、一氮氧化硅层及一第二二氧化硅层于第一导电层上而形成；一第二导电层形成于第二介电层上；图案蚀刻第一介电层、第一导电层、第二介电层及第二导电层，以形成一第一闸极介电层、一浮动逻辑闸极、一第二闸极介电层及一控制闸极；最后，形成具有电性相反于第一导电性的一第二导电性的一漏极／源极于浮动逻辑闸极一侧的半导体基底中。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种半导体组件制作方法；特别是有关一种具有高可靠性介电层的半导体内存组件的制作方法。
技术介绍
传统的堆叠构造的非挥发性半导体内存组件中，是使用一二氧化硅层作为隔离一浮动逻辑闸极(floating gate)与一控制闸极(control gate)的一绝缘层，其称做第二闸极介电层。半导体组件是朝向迷你化的趋势前进，在此情况下，需要厚度愈来愈薄的第二闸极介电层。由于具有有二氧化硅/氮化硅/二氧化硅堆叠结构的ONO介电层在相当薄的厚度下，仍具有有良好的崩溃电压特性，并且具有ONO介电层的半导体内存组件的存储胞也具有较佳的保持特性(retention characteristic)。因此，ONO介电层已被使用取代二氧化硅层供做第二闸极介电层。目前ONO介电层的制作方法是将一热氧化二氧化硅层形成于一多晶硅层上。一氮化硅层沉积于此热氧化二氧化硅层上。之后，此氮化硅层的顶部表面是经氧化以于其上形成一二氧化硅层，或者一二氧化硅层沉积于此氮化硅层上。然而，为保持市场竞争力，半导体组件的尺寸正在继续缩小中，以提高组件的积集度。在此情况下，ONO介电层厚度缩小到足以使其氮化硅层产生针孔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有闸极堆叠介电层的半导体内存组件的制作方法，其特征在于，至少包括：形成一第一介电层于具有一第一导电性的一半导体基底上；形成一第一导电层于所述第一介电层上；形成一第二介电层于所述第一导电层上，所述第二介电层是通过依序堆叠形成 一第一二氧化硅层、一氮化硅层、一氮氧化硅层及一第二二氧化硅层于所述第一导电层上而形成；形成一第二导电层于所述第二介电层上；图案蚀刻所述第一介电层、所述第一导电层、所述第二介电层及所述第二导电层，以形成一第一闸极介电层、一浮动逻辑闸极 、一第二闸极介电层及一控制闸极；及形成具有电性相反于所述第一导电性的一第二导电性的一漏极／源极于所述...

【技术特征摘要】
1.一种具有闸极堆叠介电层的半导体内存组件的制作方法，其特征在于，至少包括形成一第一介电层于具有一第一导电性的一半导体基底上；形成一第一导电层于所述第一介电层上；形成一第二介电层于所述第一导电层上，所述第二介电层是通过依序堆叠形成一第一二氧化硅层、一氮化硅层、一氮氧化硅层及一第二二氧化硅层于所述第一导电层上而形成；形成一第二导电层于所述第二介电层上；图案蚀刻所述第一介电层、所述第一导电层、所述第二介电层及所述第二导电层，以形成一第一闸极介电层、一浮动逻辑闸极、一第二闸极介电层及一控制闸极；及形成具有电性相反于所述第一导电性的一第二导电性的一漏极/源极于所述浮动逻辑闸极一侧的所述半导体基底中。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的第一导电性为N型导电性及P型导电性之一。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的第一导电层包含多晶硅。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的氮化硅层是利用NH3及SiH4作为反应气体，以低压化学气相沉积方法形成。5.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：骆统，林经祥，黄燿林，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]