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一种具有闸极堆叠介电层的半导体内存组件的制作方法，它包括：一第一介电层形成于具有一第一导电性的一半导体基底上，一第一导电层形成于第一介电层上，一第二介电层形成于第一导电层上，其中第二介电层依序堆叠形成一第一二氧化硅层、一氮化硅层、一氮氧化硅...
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