制作金属氧化物半导体场效应晶体管的方法技术

一种制作金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，包括：提供一至少包括一底材晶片；形成一渠沟于底材内；形成一闸极于渠沟的底部；形成一间隙壁于闸极的两侧并填满渠沟；植入离子于间隙壁两侧的底材内；进行第一快速加热制程以在底材内形成一源极／漏极区域与一源极／漏极延伸区域；形成一金属层于闸极、间隙壁与源极／漏极区域；进行第二快速加热制程以在闸极与源极／漏极区域上形成一金属硅化物层；及移除金属层。本发明专利技术将金属氧化物半导体场效应晶体管的闸极与间隙壁制作在一预先形成在底材内的渠沟内，以降低源极／漏极的接合深度，并降低漏极电压导致源极与通道间电位能下降与贯穿漏电流的效应，避免在后续制程中发生针型漏电流的缺陷。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种，特别是有关于一种将闸极与间隙壁制作在一渠沟内的金属氧化物半导体场效应晶体管的方法。
技术介绍
半导体集成电路(semiconductor integrated circuit)的制造技术已经不断改进，当个别元件的尺寸已经显著地缩小时，安装在半导体晶片上的元件数量已经大量地增加。在现今的制造程序中，半导体元件的尺寸已经缩小到次微米(sub-micron)的领域。在如此高密度的晶片上，为了要获得良好的电性，每一个元件必须被适当地缩小，以减少缩小体积的半导体元件所发生的缺陷。参照图1所示，传统的金属氧化物半导体场效应晶体管的形成方法为先在一底材10上形成一闸极20，此闸极20至少包含一闸极氧化层22(gate oxidelayer)。参照图2所示，接下来利用离子植入的方式将制程所需N型离子或是P型离子植入闸极两侧的底材内以形成轻掺杂漏极(lightly doped drain；LDD)30的区域。参照图3所示，在闸极20的侧壁上形成间隙壁40，此间隙壁40的材质大部分通常为一绝缘材质，诸如氮化硅等。间隙壁40主要的功能为减少闸极20发生漏电流的缺陷。参照图4所示，利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制作金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，其特征在于，所述方法至少包括： 提供一晶片，所述晶片至少包括一底材； 形成一渠沟于所述底材内； 形成一闸极于所述渠沟的一底部； 形成一间隙壁于所述闸极的两侧并填满所述渠沟； 植入一离子于所述间隙壁两侧的所述底材内； 进行一第一快速加热制程以在所述底材内形成一源极／漏极区域与一源极／漏极延伸区域； 形成一金属层于所述闸极、所述间隙壁与所述源极／漏极区域； 进行一第二快速加热制程以在所述闸极与所述源极／漏极区域上形成一金属硅化物层；及 移除所述金属层。

【技术特征摘要】
1.一种制作金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，其特征在于，所述方法至少包括提供一晶片，所述晶片至少包括一底材；形成一渠沟于所述底材内；形成一闸极于所述渠沟的一底部；形成一间隙壁于所述闸极的两侧并填满所述渠沟；植入一离子于所述间隙壁两侧的所述底材内；进行一第一快速加热制程以在所述底材内形成一源极/漏极区域与一源极/漏极延伸区域；形成一金属层于所述闸极、所述间隙壁与所述源极/漏极区域；进行一第二快速加热制程以在所述闸极与所述源极/漏极区域上形成一金属硅化物层；及移除所述金属层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的渠沟的深度为所述闸极的一厚度的50％至80％。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的离子为N型离子。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的金属层的材料为钛。5.一种制作金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，其特征在于，所述方法至少包括提供一晶片，所述晶片至...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖汉昭，林宏穗，卢道政，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]