【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造技术，提供一种金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor，MOS)的制作方法，尤指一种可提高起始电压稳定性(threshold voltage stability)的金属氧化物半导体的制作方法。随着科技的日新月异，各种电子元件以及逻辑电路的性能不断地被提升，连带的也提高了对于MOS晶体管的要求，而稳定的起始电压(thresholdvoltage)，即为一最基本的要求。因为当MOS晶体管的起始电压不稳定或超出规格时，该MOS晶体管的开启(turn-on)或关闭(turn-off)便会不正常，进而影响整体电路运作的正确性。而在要求起始电压稳定的同时，又同时对其他的电气特性，如开启速度(turn-on speed)、电力消耗(power dissipation)以及遗漏电流(leakage current)等有所要求。请参考图1至图4，图1至图4为习知制作MOS晶体管38的方法示意图。如图1所示，习知的MOS晶体管制作于一半导体晶片10上，半导体晶片10包含有一半导体基底(substrate)11，一P型井(P-w...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种于一半导体基底上制作复数个金属氧化物半导体(MOS)晶体管的方法，其特征是该方法包含有下列步骤于该半导体基底表面依序形成一栅氧化层以及一多晶硅层；于该多晶硅层表面形成一第一光阻层，并进行一第一黄光制程以定义出至少一个栅极的位置；利用该第一光阻层作为遮罩来进行一第一蚀刻制程，以去除未被该第一光阻层所覆盖的该多晶硅层以及该栅氧化层，并形成至少一个晶体管的栅极；去除该第一光阻层；利用该栅极作为遮罩来进行一第一离子布植制程，以于该栅极两侧的半导体基底中形成一轻掺杂漏极；利用一低热预算制程，于该栅极以及该半导体基底的表面形成一氮化硅层；进行一第二离子植入制程，以于该氮化硅层中掺杂氟(F)原子；蚀刻该氮化硅层，以于该栅极的周围形成一侧壁子；以及利用该栅极以及该侧壁子作为遮罩，进行一第三离子植入制程，以于该栅极两侧的半导体基底中分别形成一源极/漏极。2.如权利要求1所述的方法，其特征是该半导体基底为一硅基底。3.如权利要求1所述的方法，其特征是该栅氧化层利用一热氧化法所形成，且该晶体管栅极之上另包含一金属硅化物。4.如权利要求1所述的方法，其特征是该低热预算制程包含有一等离子增强化学气相沉积制程或是一化学气相沉积制程。5.如权利要求4所述的方法，其特征是该等离子增强化学气相沉积制程的反应器为一单一晶片式的反应器。6.如权利要求4所述的方法，其特征是该化学气相沉积制程的反应器包含有一单一晶片式的反应器或是一整批式的反应器。7.如权利要求1所述的方法，其特征是另包含有一沉积制程，以于形成该氮化硅层之前，先于该半导体基底之上形成一衬氧化层。8.如权利要求1所述的方法，其特征是该第二离子植入制程的植入能量为2～5keV，且植入剂量为5E13～5E14/cm2。9.如权利要求1所述的方法，其特征是蚀刻该氮化硅层的方法为一非等向性干蚀刻制程。10.如权利要求1所述的方法，其特征是该氮化硅层利用该低热预算制程所形成，以避免该轻掺杂漏极内的掺质于该低热预算制程的中发生扩散现象。11.如权利要求1所述的方法，其特征是该等氟原子被掺杂于该氮化硅层中，用来捕获并固定该氮化硅层中的氢(H)原子，以抑制该氮化硅层中的该氢原子扩散至该栅氧化层与该半导体基底的介面。12.一种于一基底上制作一导线(conductive line...
【专利技术属性】
技术研发人员：李东兴，陈中怡，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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