温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种于一半导体基底上制作复数个金属氧化物半导体（ＭＯＳ）晶体管的方法，其特征是：该方法包含有下列步骤： 于该半导体基底表面依序形成一栅氧化层以及一多晶硅层； 于该多晶硅层表面形成一第一光阻层，并进行一第一黄光制程以定义出至少一个...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。