【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用于除去钌基金属的半导体衬底的化学溶液处理装置。当使用这种高介电常数膜作为电容绝缘膜时，重要的是选择不会由于氧化而变为绝缘膜的材料作夹着电容绝缘膜的电极材料。在加热半导体器件期间，氧从这样的高介电常数膜中释放，将多晶硅等形成的电极氧化，结果形成具有低介电常数的氧化物膜，导致电容降低。作为不使得电容降低的电极材料，近年来钌引起了人们的关注。钌即使被氧化也具有导电性，并且其价格便宜，适合作为电极材料。然而，当用钌形成电极时，钌基金属(钌、氧化钌等)可能会粘到硅衬底端面或背面，并且剥落的材料可能会粘到器件形成区，这样会引起器件间及晶片间通过传输系统交叉污染。由于已知钌基金属对于半导体器件来说是所谓的寿命杀手，并且具有高的扩散率，所以只要微量钌基金属残留在硅衬底表面上，就可能降低器件性能并且可能会使器件可靠性受到损害。特别地，近年来，为减小电容器所占用的面积，要求在狭孔内形成电极膜，而且由于需要形成厚度小的均匀薄钌膜，从而采用具有良好覆盖能力的CVD方法形成该膜的必要性增大。如果采用这种CVD方法形成所述膜，钌基金属在硅衬底端面和背面上的粘附变得更加显...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种通过化学溶液溶解和除去粘附于半导体衬底的钌基金属的化学溶液处理装置，其包括化学溶液处理单元，其可使半导体衬底与所述的化学溶液接触；储存单元，用于储存在所述的化学溶液处理单元中所使用的化学溶液；和化学溶液循环系统，其具有所述的储存单元，用于将所述的储存单元内的化学溶液提供给所述的化学溶液处理单元的化学溶液供应装置，和用于将在所述的化学溶液处理单元中使用和回收的化学溶液返回到所述的储存单元的化学溶液返回装置，其中所述的化学溶液处理单元包括用于向半导体衬底提供化学溶液的化学溶液供应喷嘴，和用于回收所使用的化学溶液的回收机构；所述的储存单元的结构具有将与化学溶液接触的空隙部分，以便使源自所述的化学溶液处理中溶解和去除的钌基金属的气体成分在化学溶液循环过程中挥发脱离化学溶液，以及包括可强有力地从所述的储存单元中排出所述的挥发的气体成分的排气管道；和与半导体衬底接触之后的化学溶液在化学溶液处理单元中的停留时间比化学溶液在储存单元中的停留时间短。2.根据权利要求1的化学溶液处理装置，其包括用于除去所述的排气管道通道中的所述的气体成分的去除装置。3.根据权利要求1的化学溶液处理装置，其中所述的化学溶液处理单元具有单晶片式结构，该结构具有使基本上水平放置的半导体衬底旋转的旋转装置和在旋转的半导体衬底上表面侧放置的所述的化学溶液供应喷嘴。4.根据权利要求1的化学溶液处理装置，其中所述的化学溶液循环系统可使化学溶液保持在所述的储存单元中...
【专利技术属性】
技术研发人员：渡边薰，石川典夫，青木秀充，森清人，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，关东化学株式会社，
类型：发明
国别省市：
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