包含背面研磨的半导体晶片加工方法技术

一种加工半导体晶片的方法，该晶片界定一正面及一背面，并且曾经由一精研步骤预先予以加工且在背面上具有一精研损伤，所述方法包括以下步骤：　　　　　研磨晶片背面以去除晶片材料，并大致消除精研损伤；　　　　在背面研磨步骤之后，依序先后抛光晶片的背面及正面。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

技术介绍
半导体晶片是由晶锭经过一系列的加工步骤而制造的，所设计的每个步骤是使晶片更接近符合合格晶片特性的规范。每个步骤也可对晶片实施下一步骤加工作准备及/或移除上一步骤所留下的损伤。晶片规范视晶片的预期用途而定，但通常晶片必须加以加工以使正、背两面均平整无瑕。平整度是以两种方式测得，其一，涵盖整个晶片表面的总厚度变动(TTV)，其二，以SFQR表示的部位平整度特性，该SFQR是对小框或称作部位(通常约为骰子同样大小，由晶片切割而成，作为成品芯片)的小面积内厚度变动的量测。平整度可通过称作毫微构形、具有更精细解析度的方法加以量测，该方法可量测较小框(通常为2毫米×2毫米或10毫米×10毫米)内峰至谷的变化，形成所谓的高度变化阈值(HCT)特性。凹痕或孔蚀等瑕疵通常是在例如雾灯下通过对晶片表面的目视检查而发觉的。利用一旋转盘式锯或一线状锯首先自晶锭或晶锭段切片成为晶片，上述锯也可使用一磨粉浆。随后，通过例如超声波清理作用，将黏附在晶片表面的晶片微粒、锯微粒和/或磨浆微粒去除，使晶片获得清理。之后，将晶片的边缘研磨至精确的直径，并将边缘的尖角施以倒角而变成圆边，如此则较不可能造成缺口或导致晶片破裂。随后，通常于两个转动盘之间并利用磨粉浆，将该晶片加以精研，从而使正、背两面平整且相互平行。该精研加工也可移除切片步骤中锯及锯浆(若使用)所造成的晶片表面损伤。该精研加工通常可改良晶片表面的平整度并使这些表面彼此更平行，而且也留下一个较切片损伤轻微的特征损伤。精研加工之后，通常使用一混合酸或一碱性溶液或两者并用，将两个面加以化学蚀刻，以消除精研加工的损伤。之后，视晶片的预定用途而定，至少将晶片正面加以抛光，虽然背面也可随后或与正而同时加以抛光。抛光之后，在(也许)正面上实施外延层沉积及进一步纳入集成电路之前，晶片即可加以清理及检查。辛氏所获美国专利U.S.No.6,214,704中描述精研加工后，对晶片正面施以精细研磨，并要求在该研磨步骤过程中，该精研加工损伤仍原封不动地留在晶片背面上。辛氏曾揭示在研磨正面之后，仅蚀刻正面，晶片的正、背两面则同时抛光。辛氏曾揭示将损伤保留在晶片的背面上，旨在于晶片背面上容易实施吸气作用。范达姆等人所获美国专利U.S.No.6,114,245中也曾描述于先后实施晶片精研及蚀刻之后，对晶片正面施以精细研磨。范达姆也曾揭示在一不包含精研步骤的加工中正面的精细研磨，及在一不包含精研步骤或蚀刻步骤的加工中的双面精细研磨。
技术实现思路
在一种用以加工曾经由精研步骤加工的半导体晶片的方法中，本专利技术的一个具体实施例包含研磨晶片的背面以大致消除精研加工损伤，随后最好依序先后抛光晶片的背面及正面。晶片背面的研磨最好是一种精细研磨，而且最好是在精研之后、并且没有大量去除晶片材料的中间步骤的情况下实施。晶片背面最好是在与晶片任何正面抛光分开的步骤内研磨之后加以抛光。晶片背面抛光后，最好将正面加以抛光。附图简介附图说明图1是一流程图，示出了根据本专利技术的半导体晶片加工步骤A-K的优选顺序。图2所示是选自图1所示半导体晶片加工步骤功效的示意图，其剖面也示出。而且，R1至R5指由D(R1)、F(R2与R3)、G(R4)及I(R5)各步骤分别移除的材料。具体实施例方式如图1所示，对来自半导体锭的晶片实施加工的第一个步骤是自锭或锭段切片成为晶片，该锭或锭段已经沿长度方向实施修整、磨平及制作参考用的凹槽(痕)。之后，晶片边缘最好加以研磨，从而将晶片直径减小至预期尺寸并形成适当构形的削边。晶片边缘的形状及角度通常是依照随后加工将晶片纳入集成电路的要求而加以规范。切片及磨边之后，晶片的正面及背面带有切片损伤，该损伤包含由锯割所产生的锥角及弯曲；正、背两面的不平行；晶片厚度的变动及表面损伤。随后利用任何适当的精研机将晶片加以精研以减少切片损伤。精研加工最好包含晶片是压在两个转动合金盘之间并将以氧化铝为主要成分的精研浆导入晶片的两个面。虽然精研浆内Al2O3的粒径可加以调节以影响精研至预定晶片—移除量所需的时间及影响所得精研损伤的深度，该粒径以最低约7微米至不超过15微米为佳。精研加工实质上将切片损伤移除，使晶片的两个面更平整且损伤更小。经精研的晶片表面通常显示的瑕疵，抵达表面下的距离约与精研浆内所用微粒粒径的量级相同。精研加工之后，将晶片加以清理以移除精研浆，且该清理步骤通常不会移除大量晶片材料。之后，将晶片背面施以研磨加工，尤以精细研磨加工为佳。最好，晶片背面的精细研磨可大致消除精研损伤。如以上所述，精研损伤的程度可依照精研加工的特性而改变。在背面精细研磨加工中，晶片材料的移除量以最低约5微米至不超过约18微米为佳，尤以最低约10微米至不超过约12微米的晶片材料移除量最佳。背面精细研磨步骤的实施最好利用一附有垂直轴及圆周边缘研磨轮的装置，亦即研磨轮围绕一中心轴转动，在研磨过程中，该中心轴与晶片的外周或边缘大致对正。在研磨过程中，最好晶片沿着与研磨轮相反的方向围绕中心轴转动。日本迪斯可公司所制DFG840研磨器是一适当研磨器的实例。背面精细研磨加工中研磨轮的通常转速至少约为3000转/分钟，但以至少约为4500转/分钟较佳，尤以约5000转/分钟至约6000转/分钟最佳。研磨轮朝向晶片进给的进入速率通常为至少约0.18微米/秒及不超过约1微米/秒。对最佳背面的进入速率以约0.33微米/秒最佳。研磨轮包含一表面，该表面最好是由嵌入树脂基质的金刚石微粒所组成。通常，这些微粒至少如同约1500筛目那么小，例如迪斯可公司出品的IF-01-1-5/10研磨轮，该公司曾规范的粒径为约5微米至约10微米。最好，这些微粒至少如同约2000筛目那么小，例如迪斯可公司出品的IF-01-4/6研磨轮，该公司曾规范的粒径为约4微米至约6微米。在实施背面精细研磨的过程中，最好使用一水溶液或其他适当溶液作为润滑剂。或者，可使用其他类型研磨装置或其他用于移除晶片材料的装置以替代该研磨器，从而大致消除精研损伤。经研磨之后，最好用激光将晶片加以标志以建立晶片的独特监码及区分正面及背面。通常，在随后加工程序中，将正面用作集成电路的沉积装置。在精研之后，尤以不到达晶片背面精细研磨之后为佳，最好用碱性溶液将晶片加以清理而且之后最好用一混合酸溶液加以蚀刻。另一变通方式是在背面精细研磨之前施以碱性及/或酸性溶液。公知的是，若背面精细研磨加工是在使用碱性及/或酸性溶液之后实施，则需要更黏的润滑剂。用碱性溶液实施清理以结合使用超声波能源为佳。最好，在此步骤内晶片材料的移除量约为4微米。使用碱性及酸性溶液的晶片材料总移除量通常为约20微米至约35微米。用酸蚀刻移除晶片材料的量以约28微米至32微米为佳。蚀刻之后，晶片所显示的总厚度变动(TTV)以低于约3.0微米为佳，尤以低于约1.5微米更佳。研磨之后，可通过传统方法将晶片加以边缘抛光，及一边缘抛光清理步骤等处理。之后，晶片的背面最好通过化学—机械抛光(CMP)机(尤以使用一PH值为约10.5至12的胶体硅石磨粉浆更佳)加以抛光。一个适当CMP机的实例是亚利桑那州、詹德勒SpeedFam-Ipec公司出品的Auriga C机器。最好，晶片是通过真空作用安装在一奥林匹亚式载具上，为实施背面抛光步骤无需晶片的蜡安装(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种加工半导体晶片的方法，该晶片界定一正面及一背面，并且曾经由一精研步骤预先予以加工且在背面上具有一精研损伤，所述方法包括以下步骤研磨晶片背面以去除晶片材料，并大致消除精研损伤；在背面研磨步骤之后，依序先后抛光晶片的背面及正面。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于在精研之后及背面研磨步骤之前，该晶片没有实施大量去除晶片材料的其它步骤。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于还包括在背面研磨步骤之后及晶片背面抛光步骤之前，用一碱性物质处理该晶片。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于还包括在背面研磨步骤之后及晶片背面抛光步骤之前，用一酸性物质处理该晶片。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于该酸性物质是一混合酸溶液。6.如权利要求1-5之一...

【专利技术属性】
技术研发人员：韦斯利·哈里森，戴维·戈尔，罗兰·旺达姆，
申请(专利权)人：瓦克硅电子股份公司，
类型：发明
国别省市：