本发明涉及一种对工件，特别是半导体晶片，实施湿化学处理的方法，其是将工件暴露于经充气的处理介质流体中，该经充气的处理介质流体，是将气泡均匀地分散于一液体内而生成。

本发明涉及用于半导体晶片的托座和该托座的应用。该托座至少有三个用来支承半导体晶片边缘的突出部分，以使半导体晶片最终基本上成水平向。该托座不与半导体晶片正面及背面相接触，并且突出部位所具形状要使半导体晶片的边缘仅在该晶片正面和背面之间中央...

本发明涉及一种锯削悬浮液，该悬浮液是由一种本质上非水的液体组成，且硬材料颗粒分散在其中。该液体是从包含低分子量聚乙二醇的一组化合物以及所述化合物的任何所想要的混合物中选出的。该锯削悬浮液与线锯结合使用，用来从脆性且为硬的材料上切割晶片。

本发明涉及一种抛光半导体晶片的方法，该半导体晶片安装在一个支承板的前侧面上并被一侧表面以一确定的压力挤压到一个夹持有抛光布的抛光晶上以被抛光。本发明还涉及一个装置，其适于实施本方法，而本方法之特征在于：ａ）多个压力腔的至少一个在半导体晶...

一种加工半导体晶片的方法，该晶片界定一正面及一背面，并且曾经由一精研步骤预先予以加工且在背面上具有一精研损伤，所述方法包括以下步骤：　　　　　研磨晶片背面以去除晶片材料，并大致消除精研损伤；　　　　在背面研磨步骤之后，依序先后抛光晶片的...

本发明涉及按照引上法制备单晶硅的装置，主要包括一个可用惰性气体清扫的接受器，容纳熔体的坩埚，自熔体提拉单晶的装置，和一个管锥状本体，该本体屏蔽生长的单晶并把熔体上方的接受室分成内外两部分区域，惰性气体被导入接受室内部区域在本体的低端和熔...

一种提拉硅单晶的装置，包括一个元件，该元件环绕在晶化界面上生长的单晶，并有一个面朝单晶的表面。该元件基本上在与晶化界面相同水平面上围绕单晶并具有反射单晶辐射出的热辐射或发出热辐射的性能。本发明还涉及一种提拉硅单晶的方法，其中该单晶受到所...

本发明涉及一种自含有掺杂剂且容纳于转动坩埚的熔融材料抽拉单晶以制造高掺杂硅单晶的方法。在单晶抽拉过程中生长起伏是限制在－０．３毫米／分钟至０．３毫米／分钟。

一种制造半导体晶片的方法，该方法包括：ａ）同时研磨辅助体之表面的一部分，辅助体的表面和端面实质上处于有关平面中，通过研磨而从辅助体上磨掉的材料的厚度实质上等于磨耗；ｂ）使用切割工具在切割平面切割辅助体，并产生一个具有经研磨部分和未经研磨...

本发明涉及一种从硬脆工件分离薄片的方法，其中工件向前运动并且按压在钢丝锯钢丝网的钢丝上，这种钢丝在限定的钢丝拉力作用下沿切割外形线在一定切割深度内与工件接触。该钢丝利用一具有若干辊筒的辊筒系统，由于其中至少一个辊筒移动到该钢丝网上再返回...