【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于半导体晶片的托座和它的应用。半导体晶片以大批量生产并进一步被加工成电子元件。该生产过程还包括在不低于200℃的温度下,处理半导体晶片的过程,例如纯粹的热处理,或者通过淀积气体的热分解,在受处理半导体晶片的表面上淀积成层。这类处理必须严格确保半导体晶片不会受到有害的外来金属、掺杂物或颗粒物的污染,这些污染物以后是不可能被除去的或者只有添加大量耗费才能去除。有一些处理工作点,例如,在不低于200℃温度下连续处理半导体晶片的化学气相淀积(CVD)反应器。半导体晶片是被置于一传送带上,并用该传送带将其送入处理工作点。半导体晶片和传送带之间的相对运动以及半导体晶片和传送带之直接接触,增加了半导体晶片受损和被扩散进入半导体材料的外部金属污染的危险。如果半导体晶片被涂复则存在生长层会使半导体晶片和放置半导体的支承表面之间形成一牢固粘结的危险。难以使粘结半导体晶片与支承面分开,而同时又不损毁或污染半导体晶片。本专利技术的目的是,在不低于200℃温度下处理半导体晶片期间,减少半导体晶片,尤其是硅半导体晶片,损毁或污染的危险。本专利技术涉及一种用于有平整正面、平整背面和圆周边的半导体晶片的托座。其中,该托座至少有三个用来支承半导体晶片边缘的突起部位,以使该半导体晶片最终基本呈水平向,并且该托座不与半导体晶片的正面和背相接触,且该突起部位所具形状,要使要使半导体晶片边缘的位置,仅在半导体晶片的正、背面间中央处一虚拟中央平面之下。托座在恰当的位置固定半导体晶片,防止半导体晶片和受污染支承面之间的直接接触。在涂层后半导体晶片继续粘结到托座的危险,因托座的 ...
【技术保护点】
用于具有一平整正面、平整背面以及一圆周边的半导体晶片的托座,其中托座至少具有三个用来支承半导体晶片边缘的突起部位,使半导体晶片大体形成水平向,并且该托座不与该半导体晶片的正面及背面相接触,该突出部位所具形状使得半导体晶片的边缘仅在该半导体晶片正面和背面之间中心处的虚拟中央平面之下被支承。
【技术特征摘要】
DE 1996-7-31 19630932.81.用于具有一平整正面、平整背面以及一圆周边的半导体晶片的托座,其中托座至少具有三个用来支承半导体晶片边缘的突起部位,使半导体晶片大体形成水平向,并且该托座不与该半导体晶片的正面及背面相接触,该突出部位所具形状使得半导体晶片的边缘仅在该半导体晶片正面和背面之间中心处的虚拟中央平面之下被支承。2.根据权利要求1的托座,其中,该托座的突出部位所具有的形状,使得该半导体晶片的边缘仅在与中央平面以不重迭方式平行的虚拟平面之下被支承,并且,它与半导体晶片背面的最大距离是该半导体晶片中央平面和背面之间距离的80%。3.根据权利要求1或2的托座,其中,护圈置于水平...
【专利技术属性】
技术研发人员:贝恩德绍特,迪特尔塞弗特,
申请(专利权)人:瓦克硅电子股份公司,
类型:发明
国别省市:DE[德国]
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