半导体加工用粘合带制造技术

本发明专利技术提供一种半导体加工用粘合带，其在使用支撑构件的半导体元件制造工序中，即使在用于清洗将支撑构件贴合于半导体晶片的粘接剂的残渣的清洗液淋到粘合剂的情况下，粘合剂亦不会溶解并污染半导体元件，且具备支撑构件的物理性、机械性剥离时所需的牢固的粘接性。本发明专利技术的半导体加工用粘合带为于基材树脂薄膜的至少一个面上形成有辐射线固化性的粘合剂层的半导体加工用粘合带，其特征在于，所述粘合剂层的紫外线照射前的凝胶百分数为65％以上且100％以下，且所述粘合剂层的紫外线照射前的探针粘性试验(probe tack test)的峰值为100～600kPa。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体加工用粘合带
本专利技术关于制造半导体装置的工序中的半导体晶片切割所用的半导体加工用粘合带。更详细地，关于使用了支撑构件的半导体元件制造中所用的半导体加工用粘合带。现有技术对于已形成布线图案的半导体晶片的背面进行薄型加工时，为了进行半导体晶片的图案面的保护与半导体晶片本身的固定，一般为将保护片贴附于图案面之后，对背面施以研磨、磨削等薄型加工。作为此种保护片，一般使用将丙烯酸系粘合剂等涂布于由塑料膜所成的基材上者。然而，近年来随着IC卡或移动电话的薄型化、小型化，亦要求半导体芯片的厚度为50μm以下的等级，过去的使用保护带的工序中，仅以保护带已无法支撑半导体晶片，因磨削后的半导体晶片的翘曲或收纳于晶片匣时的挠曲等，使半导体晶片的处理变得困难，而难以使处理或运送自动化。对于该问题，已提案有通过粘接剂将玻璃基板、陶瓷基板或硅晶片基板等贴合于半导体晶片，对半导体晶片赋予支撑性的方法(参考例如专利文献1)。藉由使用玻璃基板、陶瓷基板或硅晶片基板等支撑构件代替此种保护片，可大幅提高半导体晶片的处理性，且使运送自动化成为可能。使用支撑构件处理半导体晶片时，在半导体晶片的背面磨削后，需要自半导体晶片剥离支撑构件的工序。支撑构件的剥离一般通过下列方法进行：(1)以化学药品使支撑构件与半导体晶片间的粘接剂溶解或分解，(2)对支撑构件与半导体晶片间的粘接剂照射激光进行光分解等。然而，(1)的方法中，存在使化学药品扩散于粘接剂中需要长时间处理的问题，且(2)的方法中，存在激光的扫描需要长时间处理的问题。并且，任一种方法均有需要准备特殊基板作为支撑构件的问题。因此，已提案有于支撑构件剥离时，形成剥离起点(切っ掛け)后，进行物理性、机械性剥离的方法(参照例如专利文献2、3)。该方法不需要过去的利用化学药品溶解或分解粘接剂、或以激光扫描进行光分解所需的长时间处理，而可于短时间进行处理。自半导体晶片剥离支撑构件后，接着以化学药品清洗支撑构件剥离时于半导体晶片上产生的粘接剂的残渣。背面经磨削的半导体晶片随后被移到切割工序，切断成各个芯片，但如上述，半导体芯片的厚度为50μm以下时，半导体晶片单独会因磨削后的半导体晶片的翘曲、或收纳于晶片匣时的挠曲等，使半导体晶片的处理变得非常困难，故通例为在半导体晶片刚进行背面磨削后于剥离支撑构件之前，将切割带贴合于半导体晶片的磨削面，以环框予以支撑固定。因此，对剥离支撑构件时于半导体晶片上产生的粘接剂残渣以化学药品进行的清洗，为在半导体晶片贴合于切割带的状态下进行，从而对切割带要求高的耐溶剂性。作为具有高的耐溶剂性的切割带，已提案有于粘合剂层中含有能量射线固化型丙烯酸类树脂组合物，且使凝胶百分数为70％以上(参照例如专利文献4)。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本特开2006-135272号公报[专利文献2]日本特表2011-510518号公报[专利文献3]美国专利申请公开第2011/0272092号说明书[专利文献4]日本特开2009-224621号公报
技术实现思路
[专利技术欲解决的课题]然而，专利文献4所记载的半导体加工用粘合带并未具备如所述的专利文献2、3所示的于支撑构件的物理性、机械性剥离时必要的牢固的粘接性，而于自半导体晶片剥离支撑构件时，会有半导体晶片自半导体加工用粘合带剥离的问题。因此，本专利技术的目的为提供一种半导体加工用粘合带，其在使用支撑构件的半导体元件制造工序中，即使在用于清洗将支撑构件贴合于半导体晶片的粘接剂的残渣的清洗液淋到粘合剂的情况下，粘合剂亦不会溶解并污染半导体元件，且具备支撑构件的物理性、机械性剥离时所需的牢固的粘接性。[用于解决课题的手段]本专利技术人等为了达成上述目的而重复深入研究的结果在于，发现一种于基材树脂膜上具有粘合剂层而成的半导体加工用粘合带，且藉由将其凝胶百分数设为特定值，且将其探针粘性(probetack)设为特定值，由此，在包括支撑构件的物理性、机械性剥离工序的半导体元件的制造工序中，即使在清洗液淋到粘合剂的情况下，粘合剂亦不会溶解并污染半导体元件，且能够具备支撑构件的物理性、机械性剥离时所需的牢固的粘接性。本专利技术为基于该见解而完成者。即，本专利技术的半导体加工用粘合带为于基材树脂薄膜的至少一个面上形成有辐射线固化性粘合剂层的半导体加工用粘合带，其特征在于，所述粘合剂层的紫外线照射前的凝胶百分数为65％以上且100％以下，且所述粘合剂层的紫外线照射前的探针粘性试验(probetacktest)的峰值为200～600kPa。上述半导体加工用粘合带中，优选所述粘合剂层至少含有于分子内具有辐射线固化性碳-碳双键的丙烯酸类聚合物、光聚合引发剂与聚环氧丙烷而成，且所述聚环氧丙烷相对于所述粘合剂层的总固体成分优选含0.1质量％以上且2.0质量％以下。并且，上述半导体加工用粘合带中，优选所述聚环氧丙烷的数均分子量大于3000且为10000以下。此外，上述半导体加工用粘合带中，优选自基材树脂膜侧入射的波长1064nm的光线的平行光线透射率为88％以上且小于100％。另外，上述半导体加工用粘合带中，优选基材树脂膜的与粘合剂层相反侧的表面粗糙度Ra为0.1μm以上且0.3μm以下。表面粗糙度Ra更优选为0.12μm以上且0.19μm以下。[专利技术效果]依据本专利技术，在使用了支撑构件的半导体元件制造工序中，即使在用于清洗将支撑构件贴合于半导体晶片的粘接剂的残渣的清洗液淋到粘合剂的情况下，粘合剂亦不会溶解并污染半导体元件，且具备支撑构件的物理性、机械性剥离时所需的牢固的粘接性。具体实施方式以下，针对本专利技术的实施方式加以详细说明。本专利技术的实施方式的半导体加工用粘合带为在基材树脂膜的至少一侧形成有至少1层的粘合剂层者。本专利技术的实施方式的半导体加工用粘合带中，粘合剂层的凝胶百分数为65％以上，优选70％以上，更优选80％以上。凝胶百分数为相对于化学药品的凝胶百分数，所述化学药品用于将在半导体晶片的背面磨削时将支撑构件贴合于半导体晶片所使用的粘接剂溶解或分解，优选为相对于甲基异丁基酮的凝胶百分数。凝胶百分数过小时，粘合剂层的耐化学药品性低，在有使半导体加工用粘合带暴露于甲基异丁基酮及其衍生物等化学药品的可能性的半导体元件的制造工序中，因上述化学药品而溶解的粘合剂会污染半导体芯片。另外，本专利技术中所谓的凝胶百分数是指粘合剂层中除了被交联成分外的经交联的粘合剂成分的比率。凝胶百分数的计算使用以下说明的方法。另外，本专利技术中，凝胶百分数为刚形成粘合剂层后以隔离片等保护粘合剂层表面的状态对能量射线照射前的粘合剂层进行测定。(凝胶百分数的计算)自经切割成50mm×50mm大小的半导体加工用粘合带去除隔离片，秤量其质量A。接着再将该经秤量的半导体加工用粘合带的样品在浸渍于例如甲基异丁基酮(MIBK)100g中的状态下放置48小时后，于50℃的恒温层中干燥，秤量其质量B。接着，使用100g的乙酸乙酯擦拭去除样品的粘合剂层后，秤量样品的质量C，以下述式(1)算出凝胶百分数。凝胶百分数(％)＝(B-C)/(A-C)(1)此外，粘合剂层的辐射线照射前的探针粘性试验的峰值为200～600kPa。探针粘性试验的峰值过小时，粘合剂层对被粘物的密合性不足，样品构件的剥离变得困难。探针粘性试验的峰值过本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体加工用粘合带，其在对半导体晶片贴合赋予支撑性的支撑构件且研磨所述半导体晶片的背面后，在所述支撑构件的剥离前贴合于所述半导体晶片的研磨面，且在机械性剥离所述支撑构件之后被用于所述半导体晶片的切割，所述半导体加工用粘合带的特征在于，于基材树脂薄膜的至少一个面形成辐射线固化性的粘合剂层，所述粘合剂层含有下述(a)～(c)的化合物的全部，(a)包含下述的化合物(a1)～(a3)、具有不饱和双键、且重均分子量满足100000以上且2000000以下的丙烯酸系化合物，(a1)自丙烯酸戊酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸2‑乙基己酯、丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸甲氧基乙酯、丙烯酸乙氧基乙酯或与这些同样的甲基丙烯酸酯、丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、衣康酸、富马酸、邻苯二甲酸、丙烯酸羟烷基酯类、甲基丙烯酸羟烷基酯类、二醇单丙烯酸酯类、二醇单甲基丙烯酸酯类、N‑羟甲基丙烯酰胺、N‑羟甲基甲基丙烯酰胺、烯丙醇、丙烯酸N‑烷基氨基乙酯类、甲基丙烯酸N‑烷基氨基乙酯类、丙烯酰胺类、甲基丙烯酰胺类、马来酸酐、衣康酸酐、富马酸酐、邻苯二甲酸酐、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚、乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈、乙烯醇中选出的1种或多种的聚合物、或者数种聚合物的混合物，(a2)作为具有与所述化合物(a1)共聚的官能团的丙烯酸系化合物，为分子量满足100以上的丙烯酸羟烷基酯类或羟基烷基丙烯酰胺类，(a3)作为具有可与所述化合物(a1)进行加成反应的官能团和光聚合性碳‑碳双键的化合物，当成为加成反应对象的侧链为羧基或酸酐时，为(甲基)丙烯酸缩水甘油酯，当成为加成反应对象的侧链为环氧基时，为(甲基)丙烯酸，当成为加成反应对象的侧链为羟基时，为(甲基)丙烯酸2‑异氰酸根合烷基酯，(b)光聚合引发剂，(c)相对于所述化合物(a)100质量份为0.1～15质量份的多异氰酸酯类，所述粘合剂层的紫外线照射前的相对于甲基异丁基酮的凝胶百分数为65％以上且100％以下，所述甲基异丁基酮为清洗贴合所述支撑构件所使用的粘接剂残渣的清洗液，并且，所述粘合剂层的化合物(a)～(c)以使所述粘合剂层的紫外线照射前的在23℃下的探针粘性试验的峰值达到200～600kPa的方式进行调整，所述探针粘性试验为：使直径3.0mm的SUS304制的探针以30mm/min的速度、0.98N的接触载荷接触1秒钟后，测定以600mm/min的剥离速度朝上方剥离所述探针所需的力的试验。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体加工用粘合带，其在对半导体晶片贴合赋予支撑性的支撑构件且研磨所述半导体晶片的背面后，在所述支撑构件的剥离前贴合于所述半导体晶片的研磨面，且在机械性剥离所述支撑构件之后被用于所述半导体晶片的切割，所述半导体加工用粘合带的特征在于，于基材树脂膜的至少一个面形成辐射线固化性的粘合剂层，基材树脂膜的与粘合剂层相反侧的表面粗糙度Ra为0.12μm以上且0.3μm以下，所述粘合剂层含有下述(a)～(c)的化合物的全部，(a)包含下述的化合物(a1)～(a3)、具有不饱和双键、且重均分子量满足100000以上且2000000以下的丙烯酸系化合物，(a1)自丙烯酸戊酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸甲氧基乙酯、丙烯酸乙氧基乙酯或与这些同样的甲基丙烯酸酯、丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、衣康酸、富马酸、邻苯二甲酸、丙烯酸羟烷基酯类、甲基丙烯酸羟烷基酯类、二醇单丙烯酸酯类、二醇单甲基丙烯酸酯类、N-羟甲基丙烯酰胺、N-羟甲基甲基丙烯酰胺、烯丙醇、丙烯酸N-烷基氨基乙酯类、甲基丙烯酸N-烷基氨基乙酯类、丙烯酰胺类、甲基丙烯酰胺类、马来酸酐、衣康酸酐、富马酸酐、邻苯二甲酸酐、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚、乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈、乙烯醇中选出的1种或多种的聚合物、或者数种聚合物的混合物，(a2)作为具有与所述化合物(a1)共聚的官能团的丙烯酸系化合物，为分子量满足100以上的丙烯酸羟烷基酯类或羟基烷基丙烯酰胺类，(a3)作为具有可与所述化合物(a1)进...

【专利技术属性】
技术研发人员：玉川有理，大田乡史，矢吹朗，服部聪，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP