一种用于通过静电力将制品固定在支撑台上的夹盘，所述制品为： －将在制造设备中采用光刻投影技术来加工的衬底；或 －光刻投影装置、掩膜处理装置如掩膜检查或清洁装置、或者掩膜制造装置中的光刻投影掩膜或掩膜坯件； 所述夹盘包括： 第一介质元件，其特征在于： 在所述介质元件的朝向所述制品的一侧上设有多个引脚，至少各所述引脚具有至少一个导电层，其形成于与所述制品接触的表面上，所述导电层具有小于１０欧米的电阻率。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于通过静电力将制品固定在支撑台上的夹盘，所述制品为-将在制造设备中采用光刻投影技术来加工的衬底；或-光刻投影装置、掩膜处理装置如掩膜检查或清洁装置、或者掩膜制造装置中的光刻投影掩膜或掩膜坯件；所述夹盘包括第一介质元件。本专利技术还涉及一种光刻投影装置，其包括-用于提供辐射投影光束的辐射系统；-用于支撑图案形成装置的支撑结构，图案形成装置用于按照所需图案来使投影光束形成图案；-用于固定衬底的衬底台；-用于将形成图案的光束投影到衬底的目标部分上的投影系统；-包括位于所述支撑结构或所述衬底台上的介质元件的夹盘；和-至少一个第一电极，用于在所述夹盘的所述介质元件上施加电位差以产生夹紧力。
技术介绍
这里所用的用语“图案形成装置”应被广义地解释为可用于使入射辐射光束的横截面具有一定图案的装置，此图案与将在衬底的目标部分中产生的图案相对应；用语“光阀”也可用于此上下文中。一般来说，所述图案对应于将在目标部分中形成的器件如集成电路或其它器件(见下文)中的某一特定功能层。这种图案形成装置的例子包括-掩模。掩模的概念在光刻技术中是众所周知的，其包括多种掩模类型，例如二元型、交变相移型、衰减相移型，以及各种混合掩模类型。将这种掩模放入辐射光束中会导致辐射的选择性透射(在透射掩模的情况下)或反射(在反射掩模的情况下)，光束根据掩模上的图案而照射在掩模上。在采用掩模的情况下，支撑结构通常为掩模台，其保证可将掩模固定在入射辐射光束内的所需位置上，并且如有需要可使掩模相对于光束运动。-可编程的镜阵列。这种装置的一个示例是具有粘弹性控制层和反射面的矩阵寻址的表面。此装置的基本原理是(例如)反射面的可寻址区域将入射光反射为衍射光，而非寻址区域将入射光反射为非衍射光。采用合适的滤光器可从反射光束中滤掉所述非衍射光，只留下衍射光；这样，光束根据矩阵寻址的表面的寻址图案而形成图案。可编程的镜阵列的另一实施例采用微型镜的矩阵设置，通过施加合适的局部电场或通过采用压电致动装置可使各微型镜围绕某一轴线分别地倾斜。同样，这些镜子是矩阵寻址的，使得寻址镜将以不同于非寻址镜的方向反射所入射的辐射光束；这样，反射光束根据矩阵寻址镜的寻址图案而形成图案。可利用合适的电子装置进行所需的矩阵寻址。在上述两种情况中，图案形成装置可包括一个或多个可编程的镜阵列。关于这里所提到的镜阵列的更多信息例如可从美国专利US 5296891、US 5523193和PCT专利申请WO 98/38597和WO 98/33096中收集到，这些专利通过引用结合于本文中。在采用可编程的镜阵列的情况下，所述支撑结构例如可为框架或台，其可根据要求为固定的或可动的。-可编程的LCD阵列。在美国专利US 5229872中给出了这种结构的一个示例，此专利通过引用结合于本文中。如上所述，在这种情况下支撑结构例如可为框架或台，其可根据要求为固定的或可动的。为简便起见，本文的余下部分在某些位置具体地集中到包括掩模和掩模台的示例上；然而，在这些示例中讨论的基本原理应在上述图案形成装置的更广泛的上下文中进行理解。光刻投影装置例如可用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，图案形成装置可产生与IC的单个层相对应的电路图案，而且此图案可成像于已涂覆有一层辐射敏感材料(抗蚀剂)的衬底(硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或多个管心)上。通常来说，单个晶片包含相邻目标部分的整个网格，所述相邻目标部分通过投影系统一次一个地连续地被照射。在现有装置中，在采用掩模台上的掩模来形成图案时，在两种不同类型的机器之间会存在差异。在一种光刻投影装置中，通过将整个掩模图案一次性地曝光在目标部分上来照射各目标部分；这种装置通常称为晶片分档器。在通常称为步进-扫描装置的另一种装置中，通过沿给定的基准方向(“扫描”方向)在投影光束下渐进地扫描掩模图案并以平行于或反向平行于此方向的方向同步地扫描衬底台来照射各目标部分；通常来说，由于投影系统具有一个放大系数M(通常小于1)，因此衬底台被扫描的速率V为掩模台被扫描的速率的M倍。关于这里所述的光刻装置的更多信息例如可从专利US 6046792中收集到，此专利通过引用结合于本文中。在采用光刻投影装置的制造过程中，图案(例如掩模中的图案)被成像在至少部分地覆盖有一层辐射敏感材料(抗蚀剂)的衬底上。在此成像步骤之前，可对衬底进行各种工序，例如涂底层、抗蚀剂涂覆和软焙烘。在曝光后可对衬底进行其它工序，例如曝光后焙烘(FEB)、显影、硬焙烘和对所成像的特征进行测量/检查。此工序排列用作使器件例如IC的单个层形成图案的基础。随后可对这种形成了图案的层进行各种工序，例如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，所有这些工序均用于完成单个层的加工。如果需要多个层，那么必须对各个新层重复进行整个工序或其变型。最后，在衬底(晶片)上设置器件阵列。随后这些器件通过例如切片或切割技术而相互分开，从而将这些单个的器件安装在与引脚相连的载体等上。关于此工艺的更多信息例如可从下述书籍中得到“微芯片的制造半导体加工实用指南”，第三版，Peter van Zant著，McGraw Hill出版公司，1997年，ISBN 0-07-067250-4，其通过引用结合于本文中。为简便起见，在下文中将投影系统称为“透镜”；然而，此用语应被广义地理解为包括各种类型的投影系统，例如包括折射光学系统、反射光学系统和反射折射光学系统。辐射系统也可包括根据任一种这些设计类型来进行操作以对辐射投影光束进行引导、成形和控制的元件，这些元件在下文中统称或单独地称为“透镜”。另外，光刻装置可以是具有两个或多个衬底台(和/或两个或多个掩模台)的那种类型。在这种“多级”装置中，可使用并联的附加台，或者可在一个或多个台上进行预备工序而将一个或多个其它的台用于曝光。例如在专利US 5969441和WO 98/40791中介绍了双级光刻装置，这些专利通过引用结合于本文中。在光刻装置中，衬底被牢固地固定在衬底台上是很重要的。要求衬底的位置非常精确，即使在工作台承受较高加速度时也是如此。在传统的光刻装置中，已经知道可通过真空来提供这种夹紧。衬底台设有突起或引脚以及外壁。衬底位于这些引脚的上方，其后面的空间被抽空。作用在衬底表面上的气压用于将衬底牢固地固定住。关于这种衬底固定器的更多细节可见于EP-A-0947884，其通过引用结合于本文中。虽然这种夹紧在许多场合下是有效的，然而近来光刻术的进展要求使用EUV(远紫外线)辐射、X射线、电子或离子辐射。与采用UV辐射的传统光刻术不同，EUV技术要求光束路径或至少是一大部分光束路径被抽空。这样，真空夹紧方法的有效性降低。已经提出了可提供一种用于光刻装置中的夹紧系统，其采用静电力来将衬底夹紧在衬底台上。这种系统可与在衬底两侧是否存在真空无关地进行操作。在这种系统中，衬底是导电的，或者在其与衬底台相连的表面上设有导电电极。一个静电夹盘包括一个或多个电极。在电极上方设有介质材料层。此层的上表面通常形成了图案，以降低衬底和夹盘之间的接触面积。电极和衬底之间(单极设计)或在夹盘自身的两个或多个电极之间(双极或多极设计)的电位差设定成可产生静电力，以将衬底夹紧在夹盘上。通常来说，介质具本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于通过静电力将制品固定在支撑台上的夹盘，所述制品为-将在制造设备中采用光刻投影技术来加工的衬底；或-光刻投影装置、掩膜处理装置如掩膜检查或清洁装置、或者掩膜制造装置中的光刻投影掩膜或掩膜坯件；所述夹盘包括第一介质元件，其特征在于在所述介质元件的朝向所述制品的一侧上设有多个引脚，至少各所述引脚具有至少一个导电层，其形成于与所述制品接触的表面上，所述导电层具有小于10欧米的电阻率。2.根据权利要求1所述的夹盘，其特征在于，所述导电层的厚度小于200毫微米。3.根据权利要求1或2所述的夹盘，其特征在于，所述导电层为非金属的。4.根据权利要求1所述的夹盘，其特征在于，所述引脚为导电引脚，其穿过所述介质元件的深度并与导电元件相连。5.根据权利要求1所述的夹盘，其特征在于，所述引脚为导电引脚，其安装在所述第一介质元件的朝向所述制品的表面上。6.根据上述权利要求中任一项所述的夹盘，其特征在于，所述介质元件的厚度为50到200微米。7.根据上述权利要求中任一项所述的夹盘，其特征在于，所述引脚的与所述制品相接触的表面积小于所述介质元件的总面积的4％。8.根据上述权利要求中任一项所述的夹盘，其特征在于，所述引脚从所述介质元件的表面上伸出2到10微米。9.根据上述权利要求中任一项所述的夹盘，其特征在于，所述引脚的直径在0.15毫米到0.5毫米之...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·H·H·赫克斯，J·J·奥滕斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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