【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种可用于例如在通过光刻技术的器件的制造中执行量测的量测设备和方法。本专利技术还涉及用于监测光刻过程中的随机效应的这种方法。
技术介绍
1、光刻设备是将期望的图案施加至衬底上(通常施加至衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如集成电路(ic)的制造中。在那种情况下，图案形成装置(被替代地称为掩模或掩模版)可以用以产生待形成在ic的单独的层上的电路图案。这种图案可以转印至衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括管芯的部分、一个管芯或若干管芯)上。图案的转印通常经由成像至被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上来进行。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。
2、在光刻过程中，需要频繁地对所创建的结构进行测量，例如用于过程控制和验证。已知用于进行这种测量的各种工具，包括通常用于测量临界尺寸(cd)的扫描电子显微镜以及用于测量重叠、器件中的两层的对准准确性的专用工具。最近，已经开发了用于光刻领域的各种形式的散射仪。这些装置将辐射束引导到目标上，并测量散射辐射的一个或多个性质—例如，在单个反...
【技术保护点】
1.一种确定性能参数分布和/或相关联的分位数函数的方法，所述性能参数与用于在衬底上形成一个或多个结构的半导体制造过程相关联，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述分位数函数预测模型被约束为对跨所述衬底上的所述所预测的分位数值施加空间平滑度。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述分位数函数预测模型能够操作，使得预测分位数值的空间相关性由Zernike基系数描述。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括经由低秩变换将所述空间的Zernike基系数映射到Bernstein系数。
5.根据权利要求1所述的方法，还...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种确定性能参数分布和/或相关联的分位数函数的方法，所述性能参数与用于在衬底上形成一个或多个结构的半导体制造过程相关联，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述分位数函数预测模型被约束为对跨所述衬底上的所述所预测的分位数值施加空间平滑度。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述分位数函数预测模型能够操作，使得预测分位数值的空间相关性由zernike基系数描述。
4.根据权利要求3所述的方法，还包括经由低秩变换将所述空间的zernike基系数映射到bernstein系数。
5.根据权利要求1所述的方法，还包括：使用所述分位数函数预测模型，以预测指纹数据，所述指纹数据描述所述性能参数在所述衬底上的空间变化；以及根据所述指纹数据预测所述分位数值。
6.根据权利要求5所述的方法，还包括：使用所述分位数函数预测模型由所述指纹数据来预测bernstein系数；以及根据所述bernstein系数预测所述分位数值。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述分位数函数预测模型被约束为优选在分位数概率方面实质上限定高斯分位数函数的分位数值。
8.根据权利要求1所述的方法，还包括训练或校准步骤，所述训练或校准步骤使用输入分布数据来训练或校准所述分位数...
【专利技术属性】
技术研发人员：V·巴斯塔尼，R·M·S·诺普斯，T·希尤维斯，A·J·乌尔班奇克，J·S·怀登伯格，R·J·范维克，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：
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