110Kv及以上半导电可化学交联的屏蔽料的制备方法及设备技术

本发明专利技术公开了一种110Kv及以上半导电可化学交联的屏蔽料的制备方法，是通过以下的步骤实现的：（1）将若干种原料单独通入若干个全封闭真空入料装置进行原料混合；（2）将混合后的原料送入往复式单螺杆机进行熔融挤出，水环切粒后制备屏蔽料；（3）制备完成的屏蔽料在恒温状态下送入至过渡料仓；（4）将过渡料仓中的屏蔽料进行后吸收处理进行出料。本发明专利技术还公开了这种制备方法采用的完全封闭设备。本发明专利技术全程保证了原料高纯净度，产品无杂质；设备可以在多处设置过滤装置，保证产品能够达到110Kv及以上的耐压等级。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种IlOKv及以上半导电可化学交联的屏蔽料的制备方法及设备，属于高压屏蔽材料

技术介绍
高压化学屏蔽材料一般是由树脂、抗氧剂和碳黑混合后，共挤出制备得到的。任何用在高压上的产品对杂质的要求都非常严格，如遇到杂质混入所生产的产品，将会导致电缆击穿从而引发严重的质量事故。在现有技术中，生产35Kv及以下产品的工艺比较成熟，该产品对原料的纯净度和生产环境的纯净度的要求现有的技术已经完全可以满足，而生产IlOKv及以上的屏蔽料则要求完全无杂质条件。在生产IlOKv及以上的屏蔽料的过程中，除原料本身需要纯净之外，原料从其入料开始就必须保证全封闭状态，生产环境的空气也需要净化，如空气中的粉尘混入原料中，则不能保证产品能够屏蔽IlOKv高压的性质。为了解决该问题，现有技术采用的是在原料合成过程中就采用高清摄像方式控制了杂质含量。但这种方法效率较低，是发现问题才进行解决，同时也浪费了大量的原料，在处理杂质的过程中也不能保证真空度。另一方面，在制备过程中，设备的过滤工序也很重要，现有的设备通用性不强，只是设置了一个或两个过滤装置，而为了达到产品的纯净度，在制备的整个工艺流程本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种110Kv及以上半导电可化学交联的屏蔽料的制备方法，其特征在于是通过以下的步骤实现的：（1）将若干种原料单独通入若干个并联连接的全封闭真空入料装置，所述入料装置的入口与原料的承装装置密封连接，原料通过入料装置底部的阀门密封输送至原料称量装置，控制系统控制称量各种原料组分，各种原料组分在称量装置中过滤后密封输送至混合料斗，混合料斗将混合原料密封输送至往复式单螺杆装置进行共挤；（2）在往复式单螺杆装置中的混合原料在130℃?150℃条件下进行熔融共挤制备屏蔽料，制备完成的屏蔽料通过换网器和换向阀进行整理，然后通过65℃的恒温循环水降温输送至过渡料仓；（3）将过渡料仓中的屏蔽料密封通入至称量装置...

【技术特征摘要】
1.一种IlOKv及以上半导电可化学交联的屏蔽料的制备方法，其特征在于是通过以下的步骤实现的(1)将若干种原料单独通入若干个并联连接的全封闭真空入料装置，所述入料装置的入口与原料的承装装置密封连接，原料通过入料装置底部的阀门密封输送至原料称量装置，控制系统控制称量各种原料组分，各种原料组分在称量装置中过滤后密封输送至混合料斗，混合料斗将混合原料密封输送至往复式单螺杆装置进行共挤；(2)在往复式单螺杆装置中的混合原料在130°C_150°C条件下进行熔融共挤制备屏蔽料，制备完成的屏蔽料通过换网器和换向阀进行整理，然后通过65°C的恒温循环水降温输送至过渡料仓；(3)将过渡料仓中的屏蔽料密封通入至称量装置，通过控制系统控制进入翻滚式搅拌器，在翻滚式搅拌器中将屏蔽料熔化，在65°C条件下喷入雾化过氧化物，完成后的屏蔽料进入料仓，完成制备过程；所述化学屏蔽料是屏蔽110Kv-220Kv之间的高压等级；所述制备屏蔽料的整个过程中，保持生产空间的空气纯净，采用离子交换树脂进行生产空间的空气净化。2.如权利要求1所述的IlOKv及以上半导电可化学交联的屏蔽料的制备方法，其特征在于所述步骤(I)中的入...

【专利技术属性】
技术研发人员：周建明，戴红兵，陈敏，顾金云，张丽本，栾珊珊，王兴宁，
申请(专利权)人：江苏德威新材料股份有限公司，
类型：发明
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