一种阵列碳纳米管薄膜晶体管的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种阵列碳纳米管薄膜晶体管的制备方法，依如下顺序步骤进行：将ＳｉＯ＃－［２］／高掺杂硅基片放入石英管中部，通入氢气或氩气中的一种气体，开始加热，将盛有金属酞菁的石英舟放入路口温度为５００－６００℃的区域，恒温１－６０分钟后，停止加热，继续通氢气使电炉冷至１０－４０℃，在基片上得到列阵碳纳米管薄膜，将其放入真空镀膜机，利用叉指电极模板真空蒸镀金作为薄膜晶体管的源、漏极。本发明专利技术制备方法工艺简单，成本低廉。所制备的器件空穴的场效应迁移率高达７９．５ｃｍ＃＋［２］／Ｖｓ。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
薄膜晶体管是现代微电子技术的一种关键性元器件，它可以用于显示器、交易卡和身份识别器，易于制造，成本低等优点。薄膜晶体管主要由源极、漏极、栅极、栅极绝缘层以及半导体组成。当器件在积累模式时，电荷从源极注入半导体，在源漏之间移动形成电流。目前，用于薄膜晶体管的半导体材料主要是硅基材料，但是随着微电子器件尺寸的不断缩小，硅基电子器件的尺寸已接近其极限。因此开发新的、优良的、可制备更小尺寸器件的半导体材料尤为重要。碳纳米管由于其独特的力学和电学性能，已经成为科学家广泛关注的极具潜力的特殊功能材料和器件材料。目前，碳纳米管被用于制备不同的电子元器件，尤其是具有半导体性能的碳纳米管是制备场效应晶体管的最有前途的材料。已有许多研究小组利用单根碳纳米管制成了晶体管(1Derycke，V.；Martel，R.；Appenzeller，J.；Avouris，Ph.Nano.Lett.2001，1，453.2Martel，R.；Schmidt，T.；Shea，H.R.；Hertel，T.；Avouris，Ph.Appl.Phys.Lett.1998，73，2447.3Fuhr本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列碳纳米管薄膜晶体管的制备方法，依如下顺序步骤进行：以高掺杂硅作为栅电极，其上氧化一层２００－４００纳米的ＳｉＯ↓［２］作为栅极绝缘层，将此ＳｉＯ↓［２］／高掺杂硅基片放入石英管中部，通入氢气或氩气中的一种气体，将控温仪设置到８００－１２００℃，开始加热，当炉心温度达到设置温度时，将盛有金属酞菁的石英舟放入路口温度为５００－６００℃的区域，恒温１－６０分钟后，停止加热，继续通氢气使电炉冷至１０－４０℃，在基片上得到列阵碳纳米管薄膜，将其放入真空镀膜机，利用叉指电极模板真空蒸镀金作为薄膜晶体管的源、漏极。

【技术特征摘要】
1.一种阵列碳纳米管薄膜晶体管的制备方法，依如下顺序步骤进行以高掺杂硅作为栅电极，其上氧化一层200-400纳米的SiO2作为栅极绝缘层，将此SiO2/高掺杂硅基片放入石英管中部，通入氢气或氩气中的一种气体，将控温仪设置到800-1200℃，开始加热，当炉心温度达到设置温度时，将盛有金属酞菁的石英舟放入路口温度为500-600℃的区域，恒温1-60分钟后，停止加热，继续通氢气使电炉冷至10...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘云圻，肖恺，胡平安，于贵，王贤保，朱道本，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]