【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光刻胶，具体涉及一类稠环芳香烃衍生物及其制备方法和在光刻中的应用。
技术介绍
1、集成电路是现代装备制造业的基础，是通过大规模和超大规模集成电路制造工艺得到的。随着半导体行业的飞速发展，电子器件要求集成电路(芯片)的尺寸越来越小，集成度越来越高。光刻技术是集成电路制造过程中最为关键的一道工艺，其曝光过程所用的波长影响着集成电路的分辨率。自二十世纪八十年代开始，光刻技术从最初的g线(436nm)、i线(365nm)光刻发展到深紫外(248nm、193nm)光刻，再到下一代光刻技术的极紫外光刻(13.5nm)，波长减小，集成电路可达到的最小尺寸也越来越小。此外，还发展出了纳米压印技术、电子束光刻技术等先进的光刻技术。集成电路的最小特征尺寸也从最初的微米级别、亚微米级别进入到纳米级别。
2、光刻胶作为光刻中的核心材料，也在不断地发展和变化。传统的高分子化学放大胶由于分子量大且分布不均匀，很难实现高分辨率、低线边缘粗糙度的线条图案。分子玻璃材料是一种具有较高玻璃态转变温度(tg)的小分子有机化合物，具有分子量单分散的特...
【技术保护点】
1.式(Ⅰ)所示的化合物：
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述稠环芳香烃选自C9-40芳烃，优选C10-16芳烃；
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于，Ra、Rb、Rc、Rd相同或不同，彼此独立地选自H或条件是Ra、Rb、Rc、Rd中的一个、两个、三个或四个为
4.根据权利要求1-3任一项所述的化合物，其特征在于，所述化合物具有式(A)或式(B)所示的结构：
5.根据权利要求1-4任一项所述的化合物，其特征在于，所述化合物选自如下结构：
6.权利要求1-5任一项所述化合物的制备方法，
【技术特征摘要】
1.式(ⅰ)所示的化合物：
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述稠环芳香烃选自c9-40芳烃，优选c10-16芳烃；
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于，ra、rb、rc、rd相同或不同，彼此独立地选自h或条件是ra、rb、rc、rd中的一个、两个、三个或四个为
4.根据权利要求1-3任一项所述的化合物，其特征在于，所述化合物具有式(a)或式(b)所示的结构：
5.根据权利要求1-4任一项所述的化合物，其特征在于，所述化合物选自如下结构：
6.权利要求1-5任一项所...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨国强，丛雪，郭旭东，胡睿，王双青，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。