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本发明公开了一种阵列碳纳米管薄膜晶体管的制备方法，依如下顺序步骤进行：将ＳｉＯ＃－［２］／高掺杂硅基片放入石英管中部，通入氢气或氩气中的一种气体，开始加热，将盛有金属酞菁的石英舟放入路口温度为５００－６００℃的区域，恒温１－６０分钟后，停止...
该专利属于中国科学院化学研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院化学研究所授权不得商用。

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