具有横向漂移区掺杂剂分布的DMOS晶体管的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种在一半导体基体（１０）中制造ＤＭＯＳ晶体管的方法，该半导体基体（１０）具有一个沟槽形漂移区（２９，３０，３３），该漂移区包括一个源极侧的侧面区域（２９），一个沿横向延伸的底部区域（３０）和一个漏极侧的侧面区域（３３），本发明专利技术的特征是，通过至少一次从上部进行的掺杂剂的注入，在所述底部区域（３０）内产生一个沿横向（３６）分布的掺杂剂浓度梯度，所述注入仅涉及底部区域（３０）的一个局部区域（４０）。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种在一块半导体基体上制造DMOS晶体管的方法，具有一个沟槽形漂移区，该漂移区包括一个源极侧的侧面区域，一个沿横向延伸的底部区域和一个漏极侧的侧面区域。
技术介绍
这种方法已经公开在德国专利文献DE 10131705 A1中。DMOS晶体管相对于普通MOS晶体管(金属氧化物半导体晶体管)的区别是，在晶体管的控制栅极的边缘和漏区之间设置一个漂移区，即在该区域内，载流子只能在一个施加在区域的相对的两端的电场作用下运动。在一个横向的DMOS晶体管(LDMOS晶体管)中，所述漂移区沿横向延伸，位于控制栅极的边缘和沿横向隔开的漏区之间。DMOS晶体管主要应用于高压器件中，作用在晶体管的漏区和源区之间的电压，即所谓的漏极电压可大于100伏。在美国专利文献US 5 539 238中公开的DMOS晶体管被制成深沟道结构，其中的掺杂区与沟槽(沟)的侧壁和底面相连，该区域就是晶体管的所谓漂移区。通过沿沟槽侧壁部分垂直地构成漂移区，可减小晶体管的长度。该方法的缺点是，施加在沟槽结构边缘上的反向电压(Sperrspannung)会在电位曲线上呈现不均匀性，从而导致反向电压的不希望的减小。此本文档来自技高网...

【技术保护点】
在一半导体基体（１０）中制造ＤＭＯＳ晶体管的方法，该半导体基体（１０）具有一个沟槽形漂移区（２９，３０，３３），该漂移区包括一个源极侧的侧面区域（２９），一个沿横向延伸的底部区域（３０）和一个漏极侧的侧面区域（３３），其特征是，通过至少一次从上部进行的掺杂剂的注入，在所述底部区域（３０）内产生一个沿横向（３６）分布的掺杂剂浓度梯度，所述注入仅涉及底部区域（３０）的一个局部区域（４０）。

【技术特征摘要】
DE 2003-9-19 103 45 347.41.在一半导体基体(10)中制造DMOS晶体管的方法，该半导体基体(10)具有一个沟槽形漂移区(29，30，33)，该漂移区包括一个源极侧的侧面区域(29)，一个沿横向延伸的底部区域(30)和一个漏极侧的侧面区域(33)，其特征是，通过至少一次从上部进行的掺杂剂的注入，在所述底部区域(30)内产生一个沿横向(36)分布的掺杂剂浓度梯度，所述注入仅涉及底部区域(30)的一个局部区域(40)。2.如权利要求1所述的方法，其特征是，所述底部区域(30)在一个漏极侧的侧壁(28)附近的掺杂率高于底部区域(30)在一个源极侧的侧壁(32)附近的掺杂率。3.如权利要求1所述的方法，其特征是，所述底部区域(30)的一个中央区的掺杂率高于一个漏极侧的侧壁(28)和/或一个源极侧的侧壁(32)附近的边缘侧的部分区域。4.如以上权利要求中任何一项所述的方法，其特征是，在该从上部进行的掺杂剂的注入之前，通过一个掩模(34)将底部区域(30)的一个互补的局部区域(38)掩盖。5.如权利要求4所述的方法，其特征是，采用一个自调节式掩模加工步骤。6.如权利要求5所述的方法，其特征是，所述掩模是通过利用光刻和腐蚀的结构转移被制出的。7.如权利要求5所述的方法，其特征是，所述掩模(34)的正图或负图是通过一层光刻胶层来确定。8.如以上权利要求中任何一项所述的方法，其特征是，该方法是在为定义该漂移区而进行的一个硬掩模(20)打开之后进行的。9.如权利要求8所述的方法，其特征是，该方法是在可能进行的LOCOS氧化之前进行的。10.如以上权利要求中任何一项所述的方法，其特征是，位于半导体基体(12)中的所述沟槽形漂移区(29，30，33)连同一个第一导电类型的第一槽区(16)和一个第二导电类型的第二槽区(18)部分或全部在所述第二槽区(18)内被产生。11.如以上权利要求中任何一项所述的方法，其特征是，所述沟槽形漂移区(29，30，33)的一个漏极侧侧壁(33)和一个漏区(46)之间制出一个间隔，该间隔优选在0.5微米至4.0微米之间。12.如以上权利要求中任何一项所述的方法，其特征是，在所述沟槽形漂移区(29，30，33)的所述侧壁(28，32...

【专利技术属性】
技术研发人员：福尔克尔杜德克，米夏埃多格拉夫，
申请(专利权)人：ATMEL德国有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]