半导体结构及其应用、尤其是限制过电压的应用制造技术

半导体结构，具有：一个衬底；一个第一导电类型的半导体层，该层设置在衬底上及通过一个绝缘层与衬底隔开；第二导电类型的、构成在半导体层中的彼此间隔开的第一及第二层；第一导电类型的、构成在半导体层中的第三层，它与第二层形成接触；与第一层相接触的第一电极；与第二及第三层相接触的第二电极；第一导电类型的、构成在半导体层中的第四层，该层包围第二及第三层，其中该层分别与第二及第三层直接接触；及第一导电类型的、构成在半导体层中第一层下面的、具有相对该半导体层增高的搀杂的第五层；其中第一层基本上环形地围绕着第二、第三及第四层。该可单片集成的半导体结构，除应用于集成电路上过电压的可靠限制外也适于用作普通二极管。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体结构，它具有一个衬底；一个第一导电类型的半导体层，该层设置在衬底上及通过一个绝缘层与衬底隔开；第二导电类型的、构成在半导体层中的彼此间隔开的第一及第二层；第一导电类型的、构成在半导体层中的第三层，它与第二层形成接触；与第一层相接触的第一电极；与第二及第三层相接触的第二电极；第一导电类型的、构成在半导体层中的第四层，该层包围第二及第三层，其中该层分别与第二及第三层直接接触；及第一导电类型的、构成在半导体层中第一层下面的、具有相对该半导体层增高的搀杂的第五层；其中第一层基本上环形地围绕着第二、第三及第四层。
技术介绍
在集成电路(IC)的操作及使用时需要保护其中包含的元件及组件，以防止过电压的不利影响。对于过电压这里应理解成一种电信号，例如静电电荷放电时的过电压，该放电可由人或机器部分通过集成电路(IC)发生或由集成电路通过人或机器部分发生。这种放电过程也被称为静电放电(ESD)。如果这个可能为若干kV的信号输入到集成电路，将在这些元件或组件上引起不可逆的变化，例如通过薄层烧穿(thin film burn-out)、丝化现象(filamentation)及接本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体结构（１），它具有：－一个衬底（３）；－一个第一导电类型的半导体层（４），该层设置在该衬底（３）上面及通过一个绝缘层（５）与该衬底隔开；－一个第二导电类型的、构成在该半导体层（４）中的彼此间隔开的一个第一层（６）及一个第二层（７）；－该第一导电类型的、一个构成在该半导体层中的第三层（８），它与第二层（７）形成接触；－一个与该第一层（６）相接触的第一电极（１７）；－一个与该第二层（７）及第三层（８）相接触的第二电极（１８）；－该第一导电类型的、一个构成在该半导体层（４）中的第四层（９），该层包围该第二层（７）及第三层（８），其中该层分别与第二及第三层直接接触；及－该第一导电类型的、构成在该...

【技术特征摘要】
DE 2003-9-18 10343681.21.半导体结构(1)，它具有-一个衬底(3)；-一个第一导电类型的半导体层(4)，该层设置在该衬底(3)上面及通过一个绝缘层(5)与该衬底隔开；-一个第二导电类型的、构成在该半导体层(4)中的彼此间隔开的一个第一层(6)及一个第二层(7)；-该第一导电类型的、一个构成在该半导体层中的第三层(8)，它与第二层(7)形成接触；-一个与该第一层(6)相接触的第一电极(17)；-一个与该第二层(7)及第三层(8)相接触的第二电极(18)；-该第一导电类型的、一个构成在该半导体层(4)中的第四层(9)，该层包围该第二层(7)及第三层(8)，其中该层分别与第二及第三层直接接触；及-该第一导电类型的、构成在该半导体层(4)中第一层(6)下面的、具有相对该半导体层(4)增高的搀杂的第五层(13)；其中该第一层(6)基本上环形地围绕着该第二层(7)、第三层(8)及第四层(9)。2.根据权利要求1的半导体结构，其特征在于该第五层(13)沿与该第一层(6)的一个交界面(6”)具有一个相对该第一层(6)的一个尺寸(B1)减小的尺寸(B2)。3.根据权利要求2的半导体结构，其特征在于该第五层(13)被中心地设置在该第一层(6)的下面。4.根据权利要求1至3中一项的半导体结构，其特征在于该第二层(7)被设置在该第一层(6)及该第三层(8)之间。5.根据权利要求3或4的半导体结构，其特征在于该第二层(7)被构造成大致环状的。6.根据权利要求1至5中一项的半导体结构，其特征在于在以该第一层(6)...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗朗茨迪茨，米夏埃多格拉夫，
申请(专利权)人：ATMEL德国有限公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]