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半导体结构及其应用、尤其是限制过电压的应用制造技术
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文档序号:3204130
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半导体结构,具有:一个衬底;一个第一导电类型的半导体层,该层设置在衬底上及通过一个绝缘层与衬底隔开;第二导电类型的、构成在半导体层中的彼此间隔开的第一及第二层;第一导电类型的、构成在半导体层中的第三层,它与第二层形成接触;与第一层相接触的第...
该专利属于ATMEL德国有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过ATMEL德国有限公司授权不得商用。
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